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- [实用新型]光源装置-CN201921204056.3有效
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张权;胡军楚
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深圳市绎立锐光科技开发有限公司
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2019-07-29
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2020-03-24
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F21K9/20
- 本实用新型提供一种光源装置，包括LED灯板和多个透镜单元，其中，LED灯板包括基板和多个LED单元，基板包括中心区域以及围绕中心区域的至少一层同心环区域；多个LED单元设置于中心区域和同心环区域。多个透镜单元与LED单元对应且遮盖LED单元，与中心区域对应的透镜单元在基板的正投影为多边形；同心环区域中设置的LED单元的数量与该同心环区域的层数、以及中心区域对应的透镜单元在基板的多边形正投影的边数对应本实用新型提供的光源装置通过将多个LED单元设置于基板的中心区域和同心环区域，实现了LED单元的紧密排列，减小了光源装置的体积。
- 光源装置
- [发明专利]精馏塔釜与热虹吸再沸器配置方法-CN201310389234.5无效
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耿中峰;李桂明;马静;余英哲;李永辉;张敏华
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天津大学
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2013-08-29
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2013-12-11
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B01D3/14
- 本发明涉及一种精馏塔釜与热虹吸再沸器配置方法，在精馏塔釜设置竖直隔板，分为循环区和采出区，循环区与上层塔板的降液管位于同侧，用于接收来自上层塔板轻组分含量高的物料，循环区的物料出口设置在底部，并与热虹吸再沸器底部进料口相连；采出区与塔釜循环液返回口位于同侧，用于接收来自再沸器返回的汽-液两相混合物闪蒸后的液相，该区域底部的出口与塔釜出料泵入口相连；隔板上设置有平衡两侧液位的平衡孔。本发明使得来自上层塔板的物料直接进入热虹吸再沸器循环，自再沸器顶部返回物料闪蒸后的液相，作为塔釜物料采出，这样可以提高循环物料中轻组分的含量，还保了再沸器具有较高的循环推动力和传热推动力，利于热虹吸再沸器的稳定运行
- 精馏塔虹吸再沸器配置方法
- [发明专利]玻璃的风刀清洗机-CN201410295159.0无效
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魏龙祥
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苏州一合光学有限公司
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2014-06-26
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2014-10-29
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B08B11/04
- 机架的上方依次设置有放置区、清洗区、风干区、烘干区及取成品区，所述机架上设置有导辊输送带，所述导辊输送带贯通设置于所述放置区至所述取成品区之间，所述导辊输送带由同步链条同步传动；所述清洗区依次包括热水排水区、热水循环区、自来水循环区、纯净水循环区及过渡区，所述热水排水区、热水循环区、自来水循环区及纯净水循环区分别与供水泵连接。本发明结构简单，对玻璃片的输送平稳；通过排水和循环水相结合对玻璃片进行清洗，既能防止二次污染，又能节省水量；采用夹导辊及毛刷组合对玻璃片上下表面进行清洁，简化了设备结构；设置风刀结构加快水分的蒸发，还避免了灰尘的静电附着
- 玻璃清洗
- [实用新型]玻璃的风刀清洗机-CN201420347544.0有效
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魏龙祥
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苏州一合光学有限公司
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2014-06-26
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2014-11-12
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B08B11/04
- 机架的上方依次设置有放置区、清洗区、风干区、烘干区及取成品区，所述机架上设置有导辊输送带，所述导辊输送带贯通设置于所述放置区至所述取成品区之间，所述导辊输送带由同步链条同步传动；所述清洗区依次包括热水排水区、热水循环区、自来水循环区、纯净水循环区及过渡区，所述热水排水区、热水循环区、自来水循环区及纯净水循环区分别与供水泵连接。本实用新型结构简单，对玻璃片的输送平稳；通过排水和循环水相结合对玻璃片进行清洗，既能防止二次污染，又能节省水量；采用夹导辊及毛刷组合对玻璃片上下表面进行清洁，简化了设备结构；设置风刀结构加快水分的蒸发，
- 玻璃清洗
- [发明专利]一种晶圆刻蚀方法-CN202210390035.5在审
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梅震;黄斌斌;章兴洋;罗坤;刘兆
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江西乾照光电有限公司
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2022-04-14
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2022-08-02
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H01L21/3065
- 本申请公开了一种晶圆刻蚀方法，首先将待刻蚀晶圆划分为至少两个同心圆环区域，然后基于预先获取的晶圆中不同半径的圆环区域中待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽与所用刻蚀光刻版的线宽之间的对应关系，设计待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的刻蚀光刻版的线宽，从而在利用待刻蚀晶圆中各圆环区域对应的设计好线宽的刻蚀光刻版，对待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层进行深刻蚀时，使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽均不大于第一预设宽度，进而使得待刻蚀晶圆中各圆环区域的待刻蚀层被刻蚀干净的情况下
- 一种刻蚀方法
- [发明专利]半导体装置-CN201410487147.8有效
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斋藤顺;青井佐智子;渡辺行彦;山本敏雅
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丰田自动车株式会社
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2014-09-22
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2018-01-02
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H01L29/06
- 本发明提供一种半导体装置(10)，其包括半导体基板(11)，所述半导体基板具有元件区域(12)以及终端区域(14)。元件区域包括第一体区域(36a，38)，其具有第一导电类型；第一漂移区(32)，其具有第二导电类型；以及第一浮动区域(34)，其具有第一导电类型。终端区域包括场限环区域(41)、第二漂移区(32b)以及第二浮动区域(37)。场限环区域具有第一导电类型并围绕元件区域。第二漂移区具有所述第二导电类型，并与场限环区域相接触且围绕场限环区域。所述第二浮动区域具有第一导电类型并被第二漂移区围绕。所述第二浮动区域围绕元件区域。至少一个所述第二浮动区域相对于最接近所述元件区域的一个场限环区域而被置于元件区域侧。
- 半导体装置
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