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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]外延GaN的串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法-CN201410301093.1有效
发明人：郭辉;翟华星;张艺蒙;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-06-29 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延GaN的串联式PIN结构α辐照电池，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型GaN外延层欧姆接触电极、N型GaN外延层、P型SiC外延层、P型SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、N型SiC外延层、P型GaN外延层、P型GaN外延层欧姆接触电极；每个PIN结中包含多个填满β放射源沟槽，两个PIN结的外延层欧姆接触电极相接触，使上下沟槽镜像对称且相互贯通。
外延 gan 串联式 pin 结构辐照电池及其制备方法

[发明专利]外延GaN的串联式PIN结构β辐照电池及其制备方法-CN201410300661.6无效
发明人：郭辉;翟华星;张艺蒙;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-06-29 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延GaN的串联式PIN结构β辐照电池，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型β辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型GaN外延层欧姆接触电极、N型GaN外延层、P型SiC外延层、P型SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、N型SiC外延层、P型GaN外延层、P型GaN外延层欧姆接触电极；每个PIN结中包含多个填满β放射源的沟槽；两个PIN结的外延层欧姆接触电极相接，使上下沟槽镜像对称且相互贯通。
外延 gan 串联式 pin 结构辐照电池及其制备方法

[发明专利]水压式沼气池清水破壳方法及采用的装置-CN201310137851.6无效
发明人：曾广宇;李勇江;李金怀 -专利权人：广西壮族自治区林业科学研究院
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C12M1/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种水压式沼气池清水破壳方法及采用的装置，在沼气池内的上方安装雾化喷头，连接雾化喷头的管道在池外形成U型管然后连接水阀，U型管的进水一端高度高于水压间储水最高度，U型管的底部弯折部位低于喷头底部结壳后，通过定时将清水均匀喷在沼气池内的结壳层顶部，使结壳层部分位置打湿，重新让原料发酵，原料通过打湿及降解，减少原料横向张力，让结壳层下面产生的沼气及沼液通过这些部位溢出来，从而打破结壳层，完成破壳。本发明装置简单，成本低，操作简便，可提高池内原料利用率，实现发酵原料的多样化，提高沼气池的产气量，减少因结壳问题。
水压沼气池清水方法采用装置

[发明专利]光波长测量方法及便携式光波长计-CN201210155145.X无效
发明人：栾添;宁宣经;陈徐宗 -专利权人：北京优立光太科技有限公司;北京大学
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01J9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光波长测量方法及便携式光波长计。方法包括：硅双结型色敏半导体根据接收到的待测量的光信号，输出两路短路电流；对输出的两路短路电流进行对数运算，得到相应的对数电压值；将两路对数电压值进行减法运算，得到两个结的短路电流比的对数电压值；根据所述得到的两个结的短路电流比的对数电压值，查询预先存储的光波长数值与两个结的短路电流比的对数电压值的对应关系，获得所述待测量的光信号的波长。便携式光波长计包括：硅双结型色敏半导体、电流/电压对数放大器、减法器和单片机。
波长测量方法便携式

[发明专利]一种具有碳化硅超级结的半导体功率器件-CN202111019637.1有效
发明人：原小明 -专利权人：南京江智科技有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有碳化硅超级结的半导体功率器件，是一种具有第一和第二类型栅沟槽，用于形成栅极和超级结区的SiC超级结沟槽式MOSFET。其中，栅极位于底部具有厚氧化层的第一类型栅沟槽内，超级结区围绕在完全被厚氧化层填充的第二类型栅沟槽的周围。此器件还进一步包括一个毗邻体区下表面、并临近栅沟槽的栅氧化层电场降低区。
一种具有碳化硅超级半导体功率器件

[发明专利]串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法-CN201410299971.0有效
发明人：郭辉;赵亚秋;宋庆文;王悦湖;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-06-29 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决现有技术中制作碳化硅辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型外延层欧姆接触电极、N型高掺杂外延层、P型低掺杂外延层、P型高掺杂SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型高掺杂SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层、P型外延层欧姆接触电极；每个PIN结中包含多个沟槽，这两个PIN结通过其外延层欧姆接触电极相接触，上下沟槽镜像对称且相互贯通，每个沟槽内均放置α放射源。
串联式 pin 结构辐照电池及其制备方法

[发明专利]抗风机结露的干湿组合型脱硫除尘装置-CN201610691947.0在审
发明人：徐桂泉 -专利权人：天津寰泰科技有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： B01D50/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗风机结露的干湿组合型脱硫除尘装置，一种抗风机结露的干湿组合型脱硫除尘装置，由湿式脱硫除尘装置和干式除尘装置组成，干式除尘装置由干式除尘装置由进口烟道、干式除尘器和出口烟道组成，湿式脱硫除尘装置由进口烟道、湿式脱硫除尘塔和出口烟道组成，湿式脱硫除尘塔的内部设一密封内筒，干式除尘器固定在密封内筒中，干式除尘装置的出口烟道与湿式脱硫除尘装置的出口烟道连通。本发明将湿式和干式二种除尘装置组合于一体，发挥各自优点，处理后烟气既能达到国家排放标准，温度又高于露点温度，克服了风机的结露现象，减少了烟气对风机的腐蚀、积灰及振动。
风机干湿组合脱硫除尘装置

[实用新型]抗风机结露的干湿组合型脱硫除尘装置-CN02261380.3无效
发明人： -专利权人：
申请日： 2002-11-08 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗风机结露的干湿组合型脱硫除尘装置，一种抗风机结露的干湿组合型脱硫除尘装置，由湿式脱硫除尘装置和干式除尘装置组成，干式除尘装置由干式除尘装置由进口烟道、干式除尘器和出口烟道组成，湿式脱硫除尘装置由进口烟道、湿式脱硫除尘塔和出口烟道组成，湿式脱硫除尘塔的内部设一密封内筒，干式除尘器固定在密封内筒中，干式除尘装置的出口烟道与湿式脱硫除尘装置的出口烟道连通。本实用新型将湿式和干式二种除尘装置组合于一体，发挥各自优点，处理后烟气既能达到国家排放标准，温度又高于露点温度，克服了风机的结露现象，减少了烟气对风机的腐蚀、积灰及振动。
风机干湿组合脱硫除尘装置

[实用新型]一种双异质结薄膜光催化反应器-CN202022049085.6有效
发明人：谢晶晶;王朋成;王行乐;李小怡 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双异质结薄膜光催化反应器，包括：槽式太阳能聚光装置，所述槽式太阳能聚光装置包括：安装板，所述安装板上设置有安装孔一；所述安装孔一上安装双异质结催化装置；所述双异质结催化装置包括：基体层，所述基体层正面均匀设置有侧面呈倾斜状的槽体；所述基体层上方设置有N型半导体薄膜层一；所述N型半导体薄膜层一正面上方设置有P型半导体薄膜层；所述P型半导体薄膜层上方设置有N型半导体薄膜层二。
一种双异质结薄膜光催化反应器

[实用新型]鳍式双极结型晶体管-CN201220499149.5有效
发明人：夏维;陈向东 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种鳍式双极结型晶体管。根据一示例性实施方式，鳍式双极结型晶体管（BJT）包括宽集电极，其位于半导体衬底中。鳍式基极被置于宽集电极上方。此外，鳍式发射极和外延发射极被置于鳍式基极上方。鳍式BJT的窄基极-发射极结通过鳍式基极和鳍式发射极形成，以及外延发射极为鳍式BJT提供增强的电流传导性和减小的电阻。外延发射极可外延形成在鳍式发射极上，且可包括多晶硅。此外，鳍式基极和鳍式发射极各自可包括单晶硅。本实用新型提供了一种具有相比常规BJT改善后的性能的BJT，且该BJT的制造能与CMOS工艺结合。
鳍式双极结型晶体管

[实用新型]一种上拉型下吸式防结垢防污染吸气阀-CN201420023304.5有效
发明人：陈乙飞;廖金芝 -专利权人：深圳市华力大机电技术有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： F16K17/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种上拉型下吸式防结垢防污染吸气阀，具体的说是涉及一种具有防结垢防污染和快速真空破坏能力的上拉型下吸式防结垢防污染吸气阀。本实用新型仅能在负压下高速吸气、而不能在正压下高速排气的单向吸气阀，零部件很少，关键的活动部件不浸泡在介质里，而是位于阀内介质液位以上，而且被阀瓣隔离密封，从而不会结垢、不容易生锈，解决液路系统中的通气问题
一种上拉型下吸式防结垢污染吸气

[发明专利]串联式PIN结构β辐照电池及其制备方法-CN201410299990.3无效
发明人：郭辉;黄海栗;宋庆文;王悦湖;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-06-29 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种串联式PIN结构β辐照电池及其制备方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN型β辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型高掺杂外延层、P型低掺杂外延层、P型高掺杂衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型高掺杂衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层；每个PIN结中包含多个沟槽，两个PIN结的高掺杂外延层通过金属过渡层接触在一起，上下沟槽镜像对称且相互贯通，每个沟槽内均放置β放射源。
串联式 pin 结构辐照电池及其制备方法

[发明专利]用于电容式麦克风的静电放电保护电路-CN200480001304.4无效
发明人：宋清淡;郑益周;金贤浩;林俊 -专利权人：宝星电子株式会社
申请日： 2004-10-01 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：公开了一种用于电容式麦克风的静电放电保护电路。本发明的用于电容式麦克风的静电放电保护电路包括：结型场效应晶体管，其包括连接至地的源极、连接至ECM的栅极、以及连接至输出端子的漏极，用于对从ECM接收到的信号进行放大并将经放大的信号输出至漏极；二极管，并联连接在结型场效应晶体管的漏极与源极之间，用于汇吸因静电放电引起的过电流；以及多个电容器，并联连接在结型场效应晶体管的源极与漏极之间。因此，所述用于电容式麦克风的静电放电保护电路并联连接在结型场效应晶体管的源极与漏极之间，并且通过把因从外部产生的ESD引起的过电流汇吸至地以便保护内部电路元件而具有对ESD的强耐受度。
用于电容麦克风静电放电保护电路

[发明专利]具有结隔离结构的集成式芯片及其制作方法-CN202110335569.3在审
发明人：赵起越;高吴昊;杨超;罗建宇 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种具有结隔离结构的集成式芯片及其制作方法，集成式芯片包括衬底和外延结构。衬底设有阱区，阱区将集成式芯片分成沿横向布置的第一半导体器件区和第二半导体器件区。衬底包括N型区和P型区，N型区与P型区之间形成两个PN结，两个PN结分别位于两个半导体器件区。第一源极通过第二电气互连件与N型区或与P型区电连接，第二漏极和第一源极短接。第二源极通过第三电气互连件与N型区或与P型区电连接。集成式芯片可实现两个半导体器件区衬底的有效隔离。
具有隔离结构集成芯片及其制作方法

[实用新型]具有结隔离结构的集成式芯片-CN202120636801.2有效
发明人：赵起越;高吴昊;杨超;罗建宇 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有结隔离结构的集成式芯片，集成式芯片包括衬底和外延结构。衬底设有阱区，阱区将集成式芯片分成沿横向布置的第一半导体器件区和第二半导体器件区。衬底包括N型区和P型区，N型区与P型区之间形成两个PN结，两个PN结分别位于两个半导体器件区。第一源极通过第二电气互连件与N型区或与P型区电连接，第二漏极和第一源极短接。第二源极通过第三电气互连件与N型区或与P型区电连接。集成式芯片可实现两个半导体器件区衬底的有效隔离。
具有隔离结构集成芯片

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