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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种基于离子注入的GaN基JBS二极管及其制备方法-CN202310151872.7在审
发明人：张苇杭;文钰;张进成;冯欣;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于离子注入的GaN基JBS二极管及其制备方法，主要解决GaN基JBS二极管中Mg离子注入激活效率低导致的耐压和导通损耗问题。本发明可以显著提高GaN基JBS二极管中Mg离子注入p型掺杂的激活效率，提升GaN基JBS二极管的反向耐压，降低导通损耗，可广泛应用于高频开关和整流系统中。
一种基于离子注入 gan jbs 二极管及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅二极管制备方法及碳化硅二极管-CN202310892312.7在审
发明人：张鹏;冯尹 -专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种碳化硅二极管制备方法及碳化硅二极管，所述方法包括，在碳化硅外延片的P型外延层制备一类N型注入区和二类N型注入区；在外延层上制备二氧化硅层覆盖一类N型注入区、二类N型注入区以及两者之间的部分型外延层本发明提供的方法相比于传统的二极管结构，增加了导电通道，从而降低导通电阻，能够降低器件的开关损耗，从而提高碳化硅二极管的整体性能；无需进行铝离子注入，能够简化器件制造工艺，有效降低生产成本。
一种碳化硅二极管制备方法

[发明专利]一种带续流通路的全桥变换器-CN201710862166.8有效
发明人：赵振兴;浣喜明;李立 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种带续流通路的全桥变换器，包括：全桥桥臂1，隔直电容2，能量传递变压器3，能量主输出通路4，能量续流通路5；所述全桥桥臂由四个功率开关器件组成；所述隔直电容2和能量传递变压器3的初级绕组串联后分别与全桥桥臂的超前臂和滞后臂的中心连接；所述能量主输出通路4由变压器3的主次级绕组、四个整流二极管及主滤波电感构成；所述能量续流通路5由变压器3的辅助次级绕组、四个整流二极管、π型滤波器、谐振电容及续流钳位二极管构成；所述能量主输出通路4和能量续流通路本发明解决了传统全桥变换器存在的整流二极管电压应力大，占空比丢失、环流损耗大等缺点并能实现输出电压从零到最大增益的宽范围调节。
一种流通变换器

[实用新型]一种石墨烯场效应管的结构-CN201720746216.1有效
发明人：张晓阳 -专利权人：宿州新材云计算服务有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型提供一种石墨烯场效应管的结构，包括二氧化硅衬底、第一电极层、石墨烯层、第二电极层、第一介质层、第二介质层、源极和漏极。源极和漏极设置在石墨烯层处，第一电极层与第二电极层利用所述量子态形成的导电通道的不同形状来实现场效应管的开关状态。本实用新型能降低场效应管的能量消耗。
一种石墨场效应结构

[发明专利]一种光伏组件模型参数辨识方法-CN201710346562.5在审
发明人：苏恒循;宋菁;陈华杰;金浩;魏力;解凯;姜彬 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏组件模型参数辨识方法，包括如下步骤步骤一、根据光伏电池单二极管等效原理图，建立光伏组件五参数模型，五参数分别为光生电流Iph、二极管反向饱和电流I0、等效串联电阻Rs、等效并联电阻Rsh和二极管理想因子n；步骤二、推导光伏组件五参数模型中五个参数之间的关系，确定需辨识的未知参数，即二极管理想因子n；步骤三、采用改进的粒子群算法对二极管理想因子n进行辨识。
一种组件模型参数辨识方法

[实用新型]一种耐火散热型贴片二极管-CN202121817977.4有效
发明人：张炯 -专利权人：互创（东莞）电子科技有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种耐火散热型贴片二极管，包括环氧树脂封装体、位于所述环氧树脂封装体内部的二极管芯片、固定在所述环氧树脂封装体底部的阴极焊脚、阳极焊脚，所述二极管芯片下端与所述阴极焊脚之间连接有第一导电散热胶，所述环氧树脂封装体内侧还设有金属导电片，所述金属导电片与所述二极管芯片之间连接有第二导电胶，所述金属导电片与所述阳极焊脚之间连接有第三导电胶，所述环氧树脂封装体外侧还覆盖有耐火胶层、防氧化膜层，所述防氧化膜层上端还设有铝板散热片本实用新型的贴片二极管，具有优异的耐火性能和散热性能。
一种耐火散热型贴片二极管

[实用新型]六边形六相半波整流桥组-CN200920068272.X无效
发明人：王爱民 -专利权人：上海东明动力设备有限公司
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H02M7/04 文献下载
摘要：一种六边形六相半波整流桥组，涉及整流桥组，由两组桥组固定板、连接板、绝缘垫和六个整流二极管组成，其特征在于：所述六个整流二极管用螺钉固定在桥组固定板上，两组桥组固定板用两块连接板相连，形成六边形结构。将连接板垫上绝缘垫，用螺栓固定在电机定子机座内部，定子六相引出线与六个二极管相连，经整流后，由公共极引出，由于旋转电机运行时有强制通风措施，因此，六边形固定板实际就起到了散热器、固定板、公共极这三种作用
六边形六相半波整流

[实用新型]管式永磁同步直线电动机的径向磁路组合次级-CN200820088149.X无效
发明人：赵佰淼 -专利权人：赵佰淼
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H02K1/06 文献下载
摘要：一种管式永磁同步直线电动机径向磁路组合次级，它由环形极靴、瓦片形磁钢、隔磁环及管状钢磁轭组成一个磁极，极性为N或S，相邻磁极的极性相反，在整个管状钢磁轭长度上由若干个磁极组成按N、S、N、S极性顺序交错排列组成径向磁路次极；所述的环形极靴包围在瓦片形磁钢外；所述的相邻两瓦片形磁钢间有用以减少漏磁的隔磁环；它具有如下技术效果：第一是极靴表面磁感应强度比切向磁路磁极表面磁感应强度高15％；第二是工艺简单易加工不受次极直径尺寸的限制、可制成大推力的管式永磁同步直线电机；第三是磁钢的体积小、重量轻、成本低。
永磁同步直线电动机径向磁路组合次级

[发明专利]发光元件、显示器件及电子装置-CN201310495174.5在审
发明人：外园伸秋;山下淳一;小野山有亮 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：所述驱动电路至少包括：(A)驱动晶体管，其为p沟道型场效应晶体管，(B)图像信号写入晶体管，(C)发光控制晶体管，以及(D)电容器。所述驱动晶体管、所述图像信号写入晶体管及所述发光控制晶体管中的每一者均设置于n型阱中，所述n型阱形成于D型硅半导体基板中。所述驱动晶体管的第一源极／漏极区域电连接至其中形成有所述驱动晶体管的所述n型阱。
发光元件显示器件电子装置

[发明专利]驱动过流检测电路-CN201910272102.1在审
发明人：关硕;张旭;陈光胜 -专利权人：上海东软载波微电子有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：一种驱动过流检测电路，包括：驱动管、与驱动管相同类型的MOS管、运算放大电路、第一电流镜电路以及基准电流源，其中：所述运算放大电路，第一输入端与所述驱动管的漏极耦接，第二输入端与所述MOS管的漏极耦接，输出端与所述第一电流镜电路的电流输入端耦接；驱动管，栅极输入控制信号；MOS管，栅极输入控制信号；第一电流镜电路，电流输出端与基准电流源的输出端、驱动过流检测电路的判断结果输出端耦接；当所述第一电流镜的电流输出端的输出电流大于所述基准电流源的输出电流时上述方案能够准确地判断驱动管是否过流。
驱动管耦接过流检测电路电流镜电路基准电流源输出端运算放大电路控制信号输出电流栅极输入输入端驱动漏极电流输出端电流输入端电流输出判断结果电流镜判定

[发明专利]显示器件-CN201810506042.0有效
发明人：外园伸秋;山下淳一;小野山有亮 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：所述驱动电路至少包括：(A)驱动晶体管，其为p沟道型场效应晶体管，(B)图像信号写入晶体管，(C)发光控制晶体管，以及(D)电容器。所述驱动晶体管、所述图像信号写入晶体管及所述发光控制晶体管中的每一者均设置于n型阱中，所述n型阱形成于p型硅半导体基板中。所述驱动晶体管的第一源极/漏极区域电连接至其中形成有所述驱动晶体管的所述n型阱。
显示器件

[发明专利]显示器件-CN201810908242.9有效
发明人：外园伸秋;山下淳一;小野山有亮 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：所述驱动电路至少包括：(A)驱动晶体管，其为p沟道型场效应晶体管，(B)图像信号写入晶体管，(C)发光控制晶体管，以及(D)电容器。所述驱动晶体管、所述图像信号写入晶体管及所述发光控制晶体管中的每一者均设置于n型阱中，所述n型阱形成于p型硅半导体基板中。所述驱动晶体管的第一源极/漏极区域电连接至其中形成有所述驱动晶体管的所述n型阱。
显示器件

[发明专利]成像系统、输出线电路及其快速稳定的方法-CN201811560800.3有效
发明人：海老原弘知;王雪青 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：光电二极管适于积聚图像电荷。转移晶体管将图像电荷转移到浮动扩散区。源极跟随器晶体管被耦合成接收浮动扩散区的电压并提供经放大信号。行选择晶体管将经放大信号使能并将经放大信号输出到位线。第一电流源产生器通过第一栅地‑阴地晶体管、第一偏压晶体管及第二偏压晶体管吸收电流。第一栅地‑阴地晶体管通过栅地‑阴地控制电压被施加偏压。第一偏压晶体管及第二偏压晶体管通过偏压控制电压被施加偏压。
成像系统输出电路及其快速稳定方法

[发明专利]一种采样计量定量全过程电数据处理方法-CN202211515706.2有效
发明人：黄庆发;吴敏;柴敏平;熊丽姬;冷健雄;彭戈;王志强;张初华;汪杨;吴启峰 -专利权人：江西怡杉环保股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01N1/14 文献下载
摘要：一种采样计量定量全过程电数据处理方法，其特征在于：通过水样管对污水供养管进行抽取，将待测水样通过多通道阀进行分流，多通道阀一端连接有计量管，所述计量管周围设置有发光二极管和与发光二极管相匹配的光电转换器，光电转换器与控制板连接获取光信号电压，计量管的一端设置有蠕动泵对计量管进行高精度抽样。本专利根据不同的问题组合，进行逐一排除逐一设计，设计出一套比较完善的控制流程和方法来适应各种复杂的水样的采样和计量，整个取样过程的精度稳定，利于后面检测过程的进行。
一种采样计量定量全过程数据处理方法

[发明专利]一种单相功率时钟控制的能量回收电路-CN200710037199.5无效
发明人：李舜;严伟;周锋 -专利权人：复旦大学
申请日： 2007-02-06 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明属集成电路技术领域，具体为一种新型的单相功率时钟控制的能量回收电路。它由1个接成二极管形式的PMOS管、1个接成二极管形式的NMOS管、1个PMOS管、1个NMOS管、1个等效负载电容组成。通过仅有的一个功率时钟控制，实现数字反相功能。若把PMOS管和NMOS管分别换成P型逻辑电路和相应的N型逻辑电路，就可以实现任何所需的逻辑功能，从而进一步设计出各种功能的数字电路。
一种单相功率时钟控制能量回收电路

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