专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]平面放电管-CN200480025765.5无效
  • 岩间纯一;中岛健人 - 来希普株式会社
  • 2004-09-02 - 2006-10-18 - H01J61/30
  • 一种平面放电管,在第1电介体平板的内面有间隔地一体设置有根据规定的放电距离规定的相同高度的多个电介体肋条,在与该第1电介体平板相向平行设置第2电介体平板而形成的密封空间内封入惰性气体,对分别在上述两个电介体平板的外面设置的薄膜状电极施加规定的电压
  • 平面放电
  • [发明专利]平面显示装置-CN200580020190.2无效
  • 横田昌广;村田弘贵;西村孝司 - 株式会社东芝
  • 2005-05-25 - 2007-05-23 - H01J31/12
  • 一种SED包括前面基板(10)和背面基板(12),两块基板通过矩形框形侧壁(14)排列形成密封的空间。在前面基板(10)的内表面上,形成了具有荧光层的图像显示单元(20)。在背面基板(12)的内表面上,形成了多个电子发射元件及其驱动配线(19a,19b)。用于通过金属衬垫向图像显示单元(20)提供高电压的环形电源线(21)形成于前面基板(10)的图像显示单元(20)的外表面上。在背面基板(12)上与电源线(21)对置的那部分处,设置了充当避雷针的旁路部件(30),该部件处于与下配线(19a)电气独立的状态中。
  • 平面显示装置
  • [发明专利]X射线诊断设备-CN02811501.5无效
  • 冈村秀文;土肥元达 - 株式会社日立医药
  • 2002-06-07 - 2004-07-21 - A61B6/00
  • 一种X射线诊断设备,包括:一个X射线发生器(1),用于向物体辅射X射线;一个平面X射线探测仪(14),用于探测从X射线发生器辅射出来并穿过该物体的射线;传热介质(5),用于吸收X射线发生器和平面X射线探测仪中产生的热量;冷却装置(13),用来冷却因吸收热量而被加热了的传热介质;和用于在X射线发生器和平面X射线探测仪以及冷却装置之间移动传热介质的装置。
  • 射线诊断设备
  • [发明专利]建筑物面型-CN201110450773.6无效
  • 孙善骏 - 孙善骏
  • 2011-12-29 - 2013-07-03 - E04F13/075
  • 一种建筑物面型板主要由集热面层或/和饰面层1、平面板2、型板3组成,采用平面板2和型板3胶接或焊接的形式对接成型,平面板2和型板3对接成型板的基本板做防锈、防腐处理增加其耐久性,集热面层或/和饰面层1可以选择做在平面板2外侧,也可以选择做在型板3的外侧,建筑物面型板还可以配合建筑物保温、饰面、通风、发电系统装置的要求合理安装,从而能实现建筑物面型板不易变形、耐久性好、在建筑物上使用不易渗漏。
  • 建筑物面型板
  • [实用新型]建筑物面型-CN201120563071.4有效
  • 孙善骏 - 孙善骏
  • 2011-12-29 - 2012-10-17 - E04F13/075
  • 一种建筑物面型板主要由集热面层或/和饰面层1、平面板2、型板3组成,采用平面板2和型板3胶接或焊接的形式对接成型,平面板2和型板3对接成型板的基本板做防锈、防腐处理增加其耐久性,集热面层或/和饰面层1可以选择做在平面板2外侧,也可以选择做在型板3的外侧,建筑物面型板还可以配合建筑物保温、饰面、通风、发电系统装置的要求合理安装,从而能实现建筑物面型板不易变形、耐久性好、在建筑物上使用不易渗漏。
  • 建筑物面型板
  • [发明专利]平面VDMOS器件的制作方法-CN201510242975.X有效
  • 赵圣哲 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
  • 2015-05-13 - 2019-04-02 - H01L21/336
  • 本发明实施例提供一种平面VDMOS器件的制作方法。型外延层中生成P‑区和N+源区;对栅氧化层进行光刻、刻蚀处理,以露出P‑区和部分N+源区;从露出的P‑区的表面向下在不同深度位置分别注入P型杂质;对P型杂质进行驱入处理形成P+区;生成介质层和金属层,以完成平面本发明实施例可以精确控制深体区即P+区的结深,通过增大深体区结深,以及注入P型杂质增大掺杂浓度,减小了深体区电阻,有效防止寄生三极管导通,提升了平面VDMOS器件的EAS能力,同时不影响平面VDMOS
  • 平面vdmos器件制作方法

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