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- [发明专利]一种窄带隙三元共聚物太阳能电池给体材料的合成方法-CN201410857766.1在审
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缴春明;徐清;姚禹国;苏帅;冯俊凤
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宁波大学;宁波大昌盛博新材料科技有限公司
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2014-12-26
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2016-08-24
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C08G61/12
- 本发明涉及一种结构式如下式的窄带隙三元共聚物太阳能电池给体材料的合成方法,包括以下步骤:①采用4,7-二溴-5,6-二氟-2,1,3-苯并噻二唑和3-己基噻吩-2-硼酸频哪醇酯反应,得5,6-二氟-4,7-二(3-己基噻吩-2-基)-2,1,3-苯并噻二唑;②采用5,6-二氟-4,7-二(3-己基噻吩-2-基)-2,1,3-苯并噻二唑和N-溴代丁二酰亚胺反应,得4,7-二(5-溴-3-己基噻吩-2-基)-5,6-二氟-2,1,3-苯并噻二唑;③采用4,8-二[(2-乙基己基)氧基]苯并[1,2-b∶4,5-b′]二噻吩和三甲基氯化锡反应,得2,6-二(三甲基锡)-4,8-二[(2-乙基己基)氧基]苯并[1,2-b∶4,5-b′]二噻吩;④采用2,6-二(三甲基锡)-4,8-二[(2-乙基己基)氧基]苯并[1,2-b∶4,5-b′]二噻吩和4,7-二(5-溴-3-己基噻吩-2-基)-5,6-二氟-2,1,3-苯并噻二唑、1,3-二溴-5-乙基己基-4H-噻吩并[3,4-C]吡咯-4,6(5H)-二酮反应,得所述材料。
- 一种窄带三元共聚物太阳能电池材料合成方法
- [发明专利]一种碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法-CN201610011912.8有效
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田雪雁
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京东方科技集团股份有限公司
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2016-01-08
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2017-02-15
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H01L29/66
- 本发明涉及一种碳纳米管薄膜晶体管,包括衬底,设置于衬底上的栅极,设置于栅极表面的有机绝缘层,设置于所述有机绝缘层上的半导体层,设置于所述半导体层上的源极和漏极,所述半导体层为依次设置的聚3‑己基噻吩层和碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层,所述聚3‑己基噻吩层设置于绝缘层与碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层之间。本发明的碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层中的半导体性碳纳米管的含量较高,基本避免了含有金属性碳纳米管,保证了薄膜晶体管的电学性能。而且,所述碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层与所述聚3‑己基噻吩层通过π‑π键连接,形成碳纳米管薄膜晶体管的半导体层立体通道,从而使制得的碳纳米管薄膜晶体管具有了较高的电学性能。
- 一种纳米薄膜晶体管及其制备方法
- [发明专利]一种以二噻吩并吡咯为给电子中心的齐聚噻吩衍生物及其制备方法-CN201810884253.8有效
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段宗范;何刚;李康
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西安理工大学
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2018-08-06
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2020-04-21
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C07D495/14
- 本发明公开了一种以二噻吩并吡咯为给电子中心的齐聚噻吩衍生物及其制备方法,通过Stille交叉偶联反应,将中间体3‑溴‑7‑[5‑(4‑正己基苯基)‑2‑噻吩基]二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物与中间体2,6‑二(三甲基锡)‑N‑(1,5‑二甲基己基)二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]吡咯键联,合成了一种以(1,5‑二甲基己基)二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]吡咯给电子单元为分子中心,以己基苯基噻吩基为端基给电子单元,以S,S‑二氧‑二苯并噻吩为嵌入受电子单元的给‑受型齐聚噻吩衍生物。
- 一种噻吩吡咯电子中心齐聚衍生物及其制备方法
- [发明专利]一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物及其制备方法-CN201810366441.1有效
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段宗范;何刚;李康
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西安理工大学
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2018-04-23
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2020-03-27
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C07D495/04
- 本发明公开了一种以S,S‑二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物及其制备方法;在惰性气氛中,将2‑(三甲基锡)‑5‑(4‑正己基苯基)噻吩(1),3,7‑二溴‑S,S‑二氧‑二苯并噻吩(2)和催化剂溶于溶剂,进行Stille交叉偶联反应,得到3‑溴‑7‑(5‑己基‑2,2’‑二噻吩基)二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物;将3‑溴‑7‑(5‑己基‑2,2’‑二噻吩基)二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物,中间体2,6‑二(三甲基锡)‑4,8‑二(2‑乙基己氧基)苯并[1,2‑b:4,5‑b’]二噻吩(3)和催化剂溶于溶剂,进行Stille交叉偶联反应,得到齐聚噻吩衍生物有机半导体材料;其具有较低的HOMO能级和合适的光学带隙
- 一种二氧噻吩电子单元齐聚衍生物及其制备方法
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