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[发明专利]一种铝合金晶粒度侵蚀剂及其应用-CN202211404378.9在审
发明人：马赟;潘安霞;吴建华;朱宇杰;刘仕远;刘景梅;张冯章;张兆翔 -专利权人：中铁检验认证（常州）机车车辆配件检验站有限公司;中车戚墅堰机车车辆工艺研究所有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C23F1/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝合金晶粒度侵蚀剂及其应用，本发明的侵蚀剂采用混合酸、表面活性剂和稀释剂，其中，混合酸为氢氟酸和盐酸，以容量计，氢氟酸和盐酸的组分比为1:1.6～1:2.4。本发明提供的侵蚀剂可以清晰完整地显示铝合金试样的大晶粒、小晶粒、大小混晶及变形晶粒的晶界，100倍和200倍下晶粒清晰完整且容易进行晶粒度评级，效果良好。
一种铝合金晶粒侵蚀及其应用

[发明专利]一种晶粒梯度细化的高完整性金属材料表面加工方法-CN202311029650.4在审
发明人：白锦轩;许志伟;钱林茂;韩艳君 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B23P9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶粒梯度细化的高完整性金属材料表面加工方法，属于金属表面强化技术领域，包括以下步骤：步骤S1，获取激光能量密度与待加工材料激光影响层厚度的关联关系；步骤S2，确定激光辅助微细铣削工艺及加工参数；步骤S3，高质量表面以及金属表面晶粒细化且尺寸呈梯度分布特征的实现。通过本发明中的方法，有效提高了金属表面加工的加工效率，能够快速高效的完成待加工材料加工表面晶粒细化。并且，通过本发明中的方法，激光辐照与铣削加工相结合，在实现高完整性、高质量加工表面的同时，还可以对加工表面晶粒进行梯度细化，使加工表面具有厚度大、晶粒尺寸小并且分布均匀有序的晶粒细化层。
一种晶粒梯度细化完整性金属材料表面加工方法

[发明专利]一种用于大功率光源的发光陶瓷及发光装置-CN201510219000.5有效
发明人：李乾;许颜正 -专利权人：深圳光峰科技股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本申请的发光陶瓷包括YAG基质和均匀分散于YAG基质中的发光中心，发光中心为晶粒粒径10‑20μm的YAG荧光粉颗粒。本申请的发光陶瓷，在YAG基质中均匀分散晶粒粒径10‑20μm的YAG荧光粉颗粒，整个发光陶瓷没有杂相；大晶粒粒径的YAG荧光粉颗粒作为发光中心，发光中心多，且大晶粒粒径YAG荧光粉颗粒饱满、形貌健全，本申请的发光陶瓷，大晶粒YAG荧光粉颗粒和小晶粒YAG基质交错构造，晶界纯净，使得发光陶瓷的发光更均匀，匀光性能高于现有的体系。
一种用于大功率光源发光陶瓷装置

[实用新型]一种半导体晶粒芯片的自动筛分装置-CN201420833780.3有效
发明人：高宝华 -专利权人：常州银河电器有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体晶粒芯片的自动筛分装置，包括：一机座；一晃震装置；所述晃震装置包括电机、偏心盘、电机安装板和至少3个弹簧；当驱动电机，电机安装板在偏心盘的作用下则产生晃动和震动；一筛选框安装架；在工况下，所述筛选框安装架与电机安装板同步晃动和震动；一筛选框组件，所述筛选框组件包括用来筛选满足大尺寸晶粒的一级筛选框单元，用来筛选满足尺寸要求晶粒的二级筛选框单元、用来筛选满足小尺寸要求晶粒的三级筛选框单元和接灰盘；在工况下，通过驱动电机，可实施大、中、小三种尺寸晶粒的分层筛选。本实用新型具有不仅结构合理，而且省时省力，能够自动筛分晶粒等优点。
一种半导体晶粒芯片自动筛分装置

[实用新型]一种制冷芯片及纳米水离子发生器-CN202120996450.6有效
发明人：唐峰;代星杰;吴泽滨;袁超 -专利权人：杭州大湛机电科技有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制冷芯片及纳米水离子发生器，封装严密、结构紧凑、不易损坏、制冷效率高，且其尺寸小，可应用于多种场景。由一对P/N型半导体晶粒、吸热件、散热件和基板组成。P/N型半导体晶粒贯穿嵌入所述基板，用以保护和封装所述P/N型半导体晶粒；所述吸热件与P/N型半导体晶粒的制冷端相电连，用以获取制冷端产生的冷量；所述散热件与P/N型半导体晶粒的发热端相电连，用以获取发热端产生的热量；同时设置中间件，所述中间件一端与所述基板相固定连接，另一端与所述吸热件相固定连接，用以强化所述吸热件与所述半导体晶粒的电连接的牢靠度。
一种制冷芯片纳米离子发生器

[发明专利]一种甲基丙烯胺化生产2-甲基-2-丙胺的催化剂及制备方法-CN201610979347.4有效
发明人：朱向学;刘盛林;高尚耀;李秀杰;谢素娟;陈福存;安杰;徐龙伢 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： B01J29/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种甲基丙烯胺化生产2‑甲基‑2‑丙胺的催化剂及制备方法，所述催化剂由小晶粒分子筛‑粘结剂‑改性元素组成，其中按质量百分比催化剂中小晶粒分子筛占60～90wt％，粘结剂占9.5～38wt％，改性元素含量为0.5～2.0wt％；所述小晶粒分子筛的粒径150～800nm，分子筛类型为十元环或十二元环分子筛，所述改性元素为稀土元素和/或卤素。
一种甲基丙烯化生催化剂制备方法

[发明专利]一种多步晶化合成小晶粒SAPO‑34分子筛及其合成方法-CN201711293430.7在审
发明人：罗明检;胡冰;王宝辉;毛国梁;王大康;付亚东 -专利权人：东北石油大学
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C01B39/54 文献下载
摘要：一种多步晶化合成小晶粒SAPO‑34分子筛及其合成方法的方法，涉及分子筛合成方法技术领域，它首先用常规方法配制合成SAPO‑34分子筛的反应混合物凝胶，然后升温到170～250℃条件下进行第一段晶化，晶化本多步晶化合成小晶粒SAPO‑34分子筛的方法得到的SAPO‑34分子筛产物较常规方法所得产物晶粒更小，晶粒大小均匀，不易生成杂晶，催化性能得到提高。
一种多步晶化合晶粒 sapo 34 分子筛及其合成方法

[发明专利]一种超细晶粒钢的制造方法-CN201010289390.0有效
发明人：楚觉非;邱红雷;王端军;刘朝霞;李晓玲;陈远姝;宋世佳;范益;王晓文;赵亚娟;李丽 -专利权人：南京钢铁股份有限公司
申请日： 2010-09-20 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超细晶粒钢的制造方法，对以质量分数计，含碳量在0.02～0.20％、含锰量介于0.40～1.60％之间的碳素钢，加热到温度1200～1240℃进行奥氏体化，随后采用奥氏体再结晶区和奥氏体未再结晶区两阶段控制轧制制备出超细晶粒铁素体钢，铁素体晶粒尺寸＜3.0μm。本发明无需大变形，无需超快冷的工艺方法，道次变形量小，轧机负荷小，工艺简便，获得的室温超细铁素体晶粒稳定。
一种晶粒制造方法

[发明专利]一种多级碎化、颗粒筛选制备化合物粉末的方法-CN201810028799.3有效
发明人：张格梅 -专利权人：张格梅
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：对源金属进行加热处理，使其成为液态；对液态的源金属进行多级碎化处理，形成细小金属液滴；筛选微细金属液滴，将微细金属液滴导入到化合物反应系统；将微细金属液滴与反应气体进行反应，使微细金属液滴转化成化合物晶粒；将化合物晶粒碎化，减少晶粒团聚与集聚；化合物晶粒冷却成为化合物粉末；化合物粉末筛分、静电吸附处理；超细微粉末静化、沉积、收集处理。本发明具有效率高、成本低和环境影响小的优点，所制成的化合物粉末材料则具有纯度高和颗粒小、均匀等特性，有效解决了利用传统的方法合成难熔化合物粉末材料颗粒大，反应不完全、不充分等问题。
微细金属液滴化合物晶粒碎化化合物粉末制备化合物颗粒筛选源金属化合物粉末材料粉末材料颗粒超细微粉末难熔化合物晶粒反应气体反应系统环境影响加热处理金属液滴静电吸附收集处理碎化处理有效解决传统的沉积冷却集聚团聚合成筛选转化

[发明专利]热冲压成形体-CN201880007847.9在审
发明人：户田由梨;虻川玄纪;前田大介;匹田和夫 -专利权人：日本制铁株式会社
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明提供弯曲性、延展性、耐碰撞特性及耐氢脆特性优异、并且硬度不均小的热冲压成形体。本发明的热冲压成形体的特征在于，具备板厚中央部和配置于上述板厚中央部的两侧或单侧的软化层，上述板厚中央部具有500Hv～800Hv的硬度，其中，在与板厚方向平行的截面中，在将由具有15°以上的取向差的晶界所围成的区域定义为晶粒时，从软化层的表面下的20μm的深度到软化层的厚度的1/2的深度为止的金属组织中的晶粒内部的最大晶体取向差为1°以下的晶粒与上述晶粒内部的最大晶体取向差为8°～15°的晶粒的合计面积率为20％以上且低于50
晶粒板厚中央成形体热冲压软化层晶粒内部晶体取向延展性板厚方向金属组织区域定义面积率耐碰撞取向差弯曲性晶界氢脆平行配置

[发明专利]电介质瓷器及层叠陶瓷电容器-CN200880112732.2有效
发明人：东勇介;山崎洋一;名古屋雅昭 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2008-08-26 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：提供一种电介质瓷器及一种层叠陶瓷电容器，其中，所述电介质瓷器介电常数高且介质损耗小，且相对介电常数的温度变化满足EIA标准的X7R特性，即使在施加的电压低的情况下，也能够得到高绝缘电阻。所述介电质瓷器以钛酸钡为主成分，含有规定量的钒、镁、锰及稀土类元素，表示正方晶系的钛酸钡的(004)面的衍射强度大于表示立方晶系的钛酸钡的(004)面的衍射强度，晶粒包括钙浓度为0.2原子％以下的晶粒和钙浓度为0.4原子％以上的晶粒，钙浓度为0.4原子％以上的晶粒的面积比为0.4～0.7，晶粒的平均粒径为0.21～0.28μm。
电介质瓷器层叠陶瓷电容器

[发明专利]用于热电应用的纳米颗粒压实体材料-CN201280057083.7无效
发明人： R·文卡塔苏伯拉玛尼安;J·斯图尔特;R·维塔拉;P·汤姆斯;C·C·科克;T·E·千 -专利权人：研究三角协会;北卡罗来纳州立大学
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：该热电复合物是半导体材料,该半导体材料由用来产生半导体材料的纳米颗粒的半导体材料的单质成分的机械合金化的粉末形成，且将其压实为具有至少一种分歧的晶粒组织。该分歧的晶粒组织具有至少两种不同的晶粒尺寸，包括2～200nm的小尺寸晶粒和0.5～5微米的大尺寸晶粒。
用于热电应用纳米颗粒实体材料

[发明专利]一种晶粒尺寸可控的钛硅分子筛的制备方法-CN201310691060.8有效
发明人：左轶;郭新闻;刘民;张安峰;洪鲁伟;姜海英;刘准 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶粒尺寸可控的钛硅分子筛的制备方法，该方法是通过调变作为晶种的纳米级分子筛母液的尺寸，在水热体系中合成出晶粒尺寸可控的钛硅分子筛，晶粒尺寸范围为50～500nm。该方法所合成的钛硅分子筛具有晶粒尺寸小，结晶度高，骨架钛含量高，疏水性强，对于烯烃环氧化、芳烃羟基化、酮类氨氧化等选择氧化反应具有很高的活性。
一种晶粒尺寸可控分子筛制备方法

[发明专利]超细晶高比重钨合金及其制备方法-CN201911165279.8有效
发明人：周昱昭;乐国敏;王斗;杨晓珊;李晋锋;刘学;王小英 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明的超细晶高比重钨合金的晶粒度小于5μm，钨含量为80～95％；所述晶粒的平均圆度为1.25～1.75。本发明的超细晶高比重钨合金的晶粒度小，圆度高，同等的钨含量前提下，本发明的强度比现有技术更高，颗粒粘结度、延伸率、硬度等综合性能好。本发明的制备方法克服了原始细小粉体流动差的问题，同时制备得到晶粒度小于5μm的超细晶高比重钨合金。
超细晶高比重合金及其制备方法

[发明专利]稀土类－铁－钴－硼系各向异性磁体-CN92100957.7无效
发明人：武下拓夫;中山亮治;石井义成;小川保 -专利权人：三菱麻铁里亚尔株式会社
申请日： 1992-01-30 - 公布日： 1999-10-06 - 主分类号： H01F1/08 文献下载
摘要：一种经氢处理而得的Ｒ－Ｆｅ－Ｃｏ－Ｂ系永磁体粉末制造的各向异性磁体，它具有优良的磁各向异性且矫顽力温度系数小。由平均粒径为０．０５—３μｍ的结晶粒结构组成，其各个晶粒的最长粒径／最短粒径〈２的晶粒占全部晶粒的５０体积％以上。
稀土各向异性磁体