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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]金属层中小丘的检测方法和装置-CN201610665646.0在审
发明人：肖亮;张勋泽;朴祥秀 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供一种金属层中小丘的检测方法和装置，属于小丘检测技术领域，其可解决现有的金属层中小丘的检测方法复杂、效率低、难以用于实际生产的问题。本发明的金属层中小丘的检测方法包括采集所述金属层的光学图像；调整所述光学图像的对比度和亮度；将调整后的所述光学图像转换为黑白图像；对所述黑白图像进行分析，以所述黑白图像中的黑色像素作为对应小丘的点。
金属小丘检测方法装置

[发明专利]通过外延横向过生长获得平滑表面的方法-CN201980087480.0在审
发明人：神川刚;S.甘德罗图拉 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该方法不使用错切的取向，也不抑制椎体形小丘的出现，而是将椎体形小丘嵌入epi层中。生长限制掩模用于限制椎体形小丘在横向方向上的扩展。由于椎体形小丘的消失，epi层的表面变得极为平滑。
通过外延横向生长获得平滑表面方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板-CN201711031125.0有效
发明人：刘军;黄勇潮;周斌;苏同上;程磊磊 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：：形成金属薄膜；在金属薄膜上沉积保护薄膜；将暴露于保护薄膜外的金属进行刻蚀处理，以消除暴露于保护薄膜外的金属；剥离保护薄膜，本发明提供的技术方案通过在金属薄膜上沉积保护薄膜，使得金属薄膜表面高度较高的小丘处无法连续沉积而断裂露出小丘，继而对暴露于保护薄膜外的金属进行刻蚀，消除金属薄膜表面存在的小丘，提高了薄膜晶体管的性能和良品率。
一种薄膜晶体管及其制作方法显示面板

[发明专利]高效率的LED芯片-CN201010004140.8无效
发明人：伍永安;高绍兵 -专利权人：山西乐百利特科技有限责任公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：芯片有高的出光效率的照明用的LED芯片，采用的技术方案是：高效率的LED芯片，在底衬的上方自下而上依次设置有第一层GaN缓冲层、第二层缓冲层、N型电极、反射层、N型GaN层、电子隧穿势垒层、有源层、P型GaN层、P型电极和微型小丘，所述的微型小丘为折射率为n的周期性图形，图形尺寸为250-300μm，间距为40μm，所述的微型小丘的折射率大于P型GaN层的折射率，本发明应用在制造照明用的LED芯片中。
高效率 led 芯片

[实用新型]高亮度LED芯片-CN201020003718.3有效
发明人：伍永安;高绍兵 -专利权人：山西乐百利特科技有限责任公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：芯片有高的出光效率的照明用的LED芯片，采用的技术方案是：高效率的LED芯片，在底衬的上方自下而上依次设置有第一层GaN缓冲层、第二层缓冲层、N型电极、反射层、N型GaN层、电子隧穿势垒层、有源层、P型GaN层、P型电极和微型小丘，所述的微型小丘的折射率为周期性图形，图形尺寸为250-300μm，间距为40μm，所述的微型小丘的折射率大于P型GaN层的折射率，本实用新型应用在制造照明用的LED芯片中。
亮度 led 芯片

[发明专利]一种降低影像传感器小丘的方法-CN201310011283.5无效
发明人：李平 -专利权人：陆伟
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低影像传感器小丘的方法，包括淀积粘合层、铝遮蔽、破真空和淀积抗反射层，粘合层为一层厚度为20-100埃的金属钛层，且金属钛层上淀积有一层厚度为200-300埃的氮化钛层，铝遮蔽的厚度为1000本发明优化了铝遮蔽传统工艺，在铝淀积后采用破真空的方法来缓解铝薄膜的应力，解决小丘现象，本发明对比起传统铝遮蔽工艺，减少了小丘，降低了串扰，提高了传感器的质量。
一种降低影像传感器小丘方法

[发明专利]半导体装置用Al合金膜-CN201280022035.4有效
发明人：奥野博行;钉宫敏洋;横田嘉宏;前田刚彰 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于
半导体装置 al 合金

[实用新型]小丘用水液输送管-CN03261588.4无效
发明人：张铭显 -专利权人：张铭显
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： F17D1/08 文献下载
摘要：小丘用水液输送管，其包含有三通管座、管件、控制阀及塞件，该三通管座二侧通管各延接有一管件，二管件终端分别延接有一控制阀，该三通管座的竖管位上有一定位转动的控制钮，控制钮终端有一阀塞，三通管座内的隔墙上有通孔
小丘用水液输送

[发明专利]显示装置的制造方法-CN96107275.X无效
发明人：小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1996-04-13 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：形成栅线路中，在栅线路薄膜形成图案以前，在小丘和晶须部位形成缝隙。(如果产生小丘和晶须将造成串音或短路)，并且对缝隙内的栅线路部分进行阳极处理。利用缝隙形成的部位构成导线线路。
显示装置制造方法

[发明专利]消除金属薄膜表面小丘状缺陷的方法-CN201410134726.4在审
发明人：王佳;陈俊;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种消除金属薄膜表面小丘状缺陷的方法，该方法包括：提供一半导体衬底；于真空环境下在该半导体衬底上制备一粘附层后，制备一金属薄膜覆盖所述粘附层的表面，且所述金属薄膜中形成有应力；在进行后续的退火处理工艺之前通过本发明方法能够使金属薄膜能够在后续的高温退火工艺后，仍保持其表面的平整度，避免了小丘状突起缺陷的产生。
消除金属薄膜表面小丘缺陷方法

[发明专利]电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法-CN201010156378.2有效
发明人：张金中;张文余 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明中，第一铝层可以较快的释放压缩应力，避免了小丘生成；第二铝层的电阻率较小，能够满足电极信号延迟的要求；同时金属层也可以抑制铝层表面生成小丘。
电极结构制备方法阵列

[实用新型]小丘用之水液输送管-CN93224086.0无效
发明人：张铭显 -专利权人：张铭显
申请日： 1993-09-09 - 公布日： 1994-12-28 - 主分类号： F17D1/08 文献下载
摘要：一种小丘用之水液输送管，其特征在于，其系以三通管座之二侧通管各延挂有一软管，软管终端结合有控制阀，软管与三通管座及控制阀有良好之密封，该控制阀可启闭，以使水液成通过或阻断，三通管座之竖管部分有一控制钮可使一阀塞将一水液通孔成开启或关闭
小丘输送

[发明专利]半导体层叠结构及其制造方法以及半导体装置-CN202210350344.X在审
发明人：平崎贵英 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供能抑制小丘的半导体层叠结构、半导体装置以及半导体层叠结构的制造方法。
半导体层叠结构及其制造方法以及装置

[发明专利]AI基合金溅射靶-CN201010529527.5无效
发明人：高木敏晃;松本克史;岩崎祐纪;莳野秀忠 -专利权人：株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种Al基合金溅射靶，其对于形成低布线电阻和抗小丘性优异的金属薄膜有用，优选还能够抑制溅射时的飞溅发生。
ai 合金溅射

[实用新型]阵列基板和液晶显示器-CN201020173337.X有效
发明人：刘翔 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型的阵列基板和液晶显示器，通过在铝或铝合金的下面沉积一层有机缓冲层，使得在制作TFT后续工艺中，铝或铝合金产生的应力可以在有机缓冲层中释放，小丘也形成在该有机缓冲层中；由此避免了采用铝或铝合金制作栅线时出现的小丘对铝或铝合金上方的
阵列液晶显示器

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