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[发明专利]有机电致发光器件和其制造方法-CN200880000488.0有效
发明人：吉田英博;森清隆;小野晋也;山室景成 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种有机电致发光器件，其包括：半导体元件A，其具有源电极和漏电极、以及栅电极；半导体元件B，其具有源电极和漏电极、以及与所述半导体元件A的源电极或漏电极连接的栅电极；以及有机电致发光元件，其具有与所述半导体元件B的漏电极连接的像素电极，所述半导体元件A的源电极和漏电极、以及所述半导体元件B的栅电极被配置在同一平面上。
有机电致发光器件制造方法

[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法-CN201110255497.8有效
发明人：吉冈启;齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;斋藤涉;杉山亨 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的控制方法-CN202111008803.8在审
发明人：岩鍜治阳子;末代知子;系数裕子;河村圭子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其控制方法。半导体装置具有第一电极、第二电极、第一至第五半导体区域、第一及第二栅极电极。第一半导体区域设置于第一电极与第二电极之间。第二半导体区域设置于第一半导体区域与第二电极之间。第三半导体区域设置于第一半导体区域与第一电极之间。第一栅极电极隔着第一绝缘膜与第二半导体区域对置。第二栅极电极隔着第二绝缘膜与第二半导体区域对置，且隔着与第二绝缘膜接触的第三绝缘膜而与第二电极对置。第五半导体区域设置于第二半导体区域与第二电极之间，且隔着第二或第三绝缘膜与第二栅极电极相邻，并且具有与第二电极电接触的边界部。第四半导体区域的上表面与第一电极的距离大于边界部与第一电极的距离。
半导体装置控制方法

[发明专利]具有改善的可制造性的显示基板-CN201710356073.8在审
发明人：朴承铉;宋俊昊;宋溱镐;李宰学 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：显示基板包括设置在基底上的栅电极；设置在基底上并且覆盖栅电极的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上并且交叠栅电极的半导体层；设置在半导体层上并且连接到半导体层的源电极和漏电极；设置在栅绝缘层上、连接到漏电极、并且从漏电极延伸的像素电极；与像素电极绝缘并且交叠像素电极的公共电极；以及设置在栅绝缘层和像素电极之间的半导体图案，半导体图案交叠像素电极。半导体图案包括与半导体层相同的材料并且从半导体层延伸。
具有改善制造显示

[发明专利]半导体元件-CN201210017576.X有效
发明人：斋藤涉;小野升太郎;仲敏行;谷内俊治;渡边美穗;山下浩明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体元件具备：第1导电型的第1半导体层、第1导电型的第2半导体层、第2导电型的第3半导体层、第1导电型的第4半导体层、第1控制电极、引出电极、第2控制电极、第3控制电极。上述第1控制电极与上述第2半导体层、上述第3半导体层以及上述第4半导体层隔着第1绝缘膜对置。上述引出电极与上述第1控制电极电连接，设置在上述第2半导体层之上。上述第2控制电极以及上述第3控制电极与上述引出电极电连接，在上述引出电极下隔着第2绝缘膜与上述第2半导体层对置。在上述引出电极下的上述第2半导体层的表面没有设置上述第3半导体层。上述第2控制电极的电阻比上述第3控制电极的电阻高。
半导体元件

[发明专利]层叠线圈部件-CN202211114916.0在审
发明人：志贺悠人;飞田和哉;数田洋一;田久保悠一;松浦利典;占部顺一郎;滨地纪彰 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01F5/04 文献下载
摘要：层叠线圈部件包括素体、线圈和外部电极。素体具有主面、在第一方向上彼此相对的侧面、和在第二方向上彼此相对的一对端面。外部电极与线圈电连接。线圈具有在第一方向上排列的多个线圈导体。外部电极具有在第一方向上排列的多个电极导体。多个线圈导体包括多个第一线圈导体、第二线圈导体和第三线圈导体。多个第一线圈导体与多个电极导体位于同一层。第二线圈导体不与多个电极导体中的任一个电极导体位于同一层。第三线圈导体不与多个电极导体中的任一个电极导体位于同一层。
层叠线圈部件

[发明专利]半导体装置-CN201680088933.8有效
发明人：藤田重人;稻口隆 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置。具备：上电极，其设置于下电极的上方；半导体芯片，其设置于该下电极和该上电极之间；压垫，其在该下电极和该上电极之间与该半导体芯片重叠地设置；以及螺旋导体，其在该下电极和该上电极之间与该半导体芯片以及该压垫重叠地设置，该螺旋导体具有上侧螺旋导体和下侧螺旋导体，该下侧螺旋导体与该上侧螺旋导体的下端接触，与该上侧螺旋导体相对，通过在该上侧螺旋导体和该下侧螺旋导体形成槽，从而使得俯视观察时在该上侧螺旋导体流动的电流的方向和在该下侧螺旋导体流动的电流的方向一致
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201410379777.3有效
发明人：森塚宏平 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种导通损失较少、元件特性不易劣化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设在第1电极与第2电极之间；第1导电型的第2半导体区域，设在第1半导体区域与第1电极之间，杂质浓度比第1半导体区域高；第2导电型的第3半导体区域，设在第1半导体区域与第2电极之间；第2导电型的第5半导体区域，设在第1半导体区域与第2电极之间；第1导电型的第4半导体区域，设在第3半导体区域与第2电极之间、以及第5半导体区域与第2电极之间，杂质浓度比第1半导体区域高；第3电极，经由第1绝缘膜接触在第1半导体区域、第3半导体区域及第4半导体区域上；第2绝缘膜，接触在第1半导体区域、第5半导体区域及第4半导体区域上。
半导体装置

[发明专利]发光元件-CN202210350163.7在审
发明人：陈奕宏;李佳安;林冠亨 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种发光元件，包括半导体结构、绝缘层、第一电极、第二电极及第三电极。半导体结构包括第一型半导体层、第二型半导体层及设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间的有源层。绝缘层设置于半导体结构上。第一电极电性连接至第一型半导体层。第二电极电性连接至第二型半导体层。第一电极、第二电极及第三电极于结构上分离。第三电极至少具有第一部分。第三电极的第一部分设置于半导体结构的侧壁上，且绝缘层位于第三电极与半导体结构之间。
发光元件

[发明专利]电力半导体元件-CN201310049194.X无效
发明人：斎藤涉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供低损耗、低噪声、低导通电阻的电力半导体元件。根据实施方式，提供具备层叠体、栅电极以及第一～第三电极的电力半导体元件。层叠体包括第一～第五半导体层。第二半导体层设置在第一半导体层之上。第三半导体层在第二半导体层上设置为多个，在与第一半导体层和第二半导体层之间的层叠方向垂直的第一方向上排列。第四半导体层设置在第二半导体层之上。第五半导体层与第二半导体层分离而设置在第四半导体层。栅电极在层叠体上设置为多个。第一电极设置在多个栅电极之下。第二电极与第一半导体层导通。第三电极与第五半导体层导通。多个第一电极中的任意个第一电极与栅电极导通。多个第一电极中的其他的任意个第一电极与第三电极导通。
电力半导体元件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110841080.3在审
发明人：本间庄一;坂口大辅 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实施方式所涉及的半导体装置具备层叠的多个第1半导体芯片。第1柱状电极与多个第1半导体芯片的电极盘连接，沿多个第1半导体芯片的层叠方向延伸。多个第2半导体芯片层叠于第1半导体芯片的上方。第2柱状电极与多个第2半导体芯片的电极盘连接，沿多个第2半导体芯片的层叠方向延伸。第3柱状电极与第1柱状电极的前端电连接，沿多个第2半导体芯片的层叠方向延伸。树脂层包覆第1半导体芯片、第2半导体芯片、第2柱状电极及第3柱状电极，使第2柱状电极及第3柱状电极的前端露出。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210831311.7在审
发明人：系数裕子;末代知子;岩鍜治阳子;河村圭子;布施香织 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供开关损耗小、击穿耐量大的半导体装置。半导体装置具备包含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二及第三半导体层的半导体部、第一电极、第二电极、设于所述半导体部中的多个第三电极。所述半导体部设于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第一半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸。所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设于所述第二半导体层与所述第二电极之间。在相邻的两个所述第三电极之间，所述第二电极具有在所述第二半导体层中延伸的接触部。所述第三半导体层相互分离，分别设于所述接触部与所述两个第三电极中的任意的一方之间，并与所述两个第三电极的所述一方面对。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510086468.1在审
发明人：奥村秀树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供高耐压、低导通电阻的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层；第一电极，在第一半导体层上；第二电极及第三电极，沿着从第一电极朝向第一半导体层的第一方向延伸，具有位于第一半导体层中的第一端和与第一电极相接的第二端；第二导电型的第二半导体层，在第二电极与第三电极之间设置在第一半导体层上；第二导电型的第三半导体层，在第一半导体层与第二电极之间以及第一半导体层与第三电极之间；第一绝缘膜，在第二电极及第三电极与第三半导体层之间；第一导电型的第四半导体层，在第二半导体层上，与第一电极电连接；第四电极，穿过第四半导体层在第一半导体层中延伸，与第四、第二半导体层及第一半导体层之间隔有第二绝缘膜。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的模拟方法、模拟装置、模拟程序产品及数据结构-CN202210888697.5在审
发明人：山本洋;长谷川光平;原琢磨 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高精度的半导体装置的模拟方法、半导体装置的模拟装置、半导体装置的模拟程序产品及数据结构。实施方式的模拟方法是半导体装置的模拟方法。半导体装置包含第一电极、第二电极、配置于第一电极与第二电极之间的半导体部分、配置于半导体部分内的绝缘部件、配置于绝缘部件内的第三电极以及在绝缘部件内配置于第一电极与第三电极之间的第四电极。半导体部分包含与第一电极连接的第一导电型的第一半导体层、与第二电极连接的第一导电型的第二半导体层以及与第一半导体层及第二半导体层相接的第二导电型的第三半导体层。使连接在第二电极与第四电极之间的第一电阻的值根据第一电极与第二电极之间的第一电压的值而变化。
半导体装置模拟方法程序产品数据结构

[发明专利]半导体装置-CN201510533043.0在审
发明人：新井雅俊;鉾本吉孝;西胁达也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，包括第一电极以及连接至第一电极的第一导电型的第一半导体层。半导体装置还包括：设置于第一半导体层上的第二导电型的第二半导体层；设置于第二半导体层上的第一导电型的第三半导体层；以及设置于第三半导体层上的第二电极。半导体装置还包括设置于第一电极与第二电极之间的第三电极。半导体装置还包括具有连接至第二电极的上端部的第四电极，其中，第四电极具有比第二电极高的电阻率。
半导体装置