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[发明专利]具有存储器层级的三维电路系统和方法-CN202210528264.9在审
发明人： S·韦伯;J·卡恩;I·加努索夫;M·朗哈默尔;M·阿迪莱塔;T·马吉;A·法齐奥;R·库尔森;R·古塔拉;A·达苏;M·伊耶 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种三维电路系统包括具有核心逻辑区域的第一集成电路管芯，该核心逻辑区域具有第一存储器电路和逻辑电路。该三维电路系统包括具有第二存储器电路的第二集成电路管芯。第一集成电路管芯和第二集成电路管芯以垂直堆叠配置耦合在一起。该三维电路系统包括耦合到第一集成电路管芯的第三存储器电路。该第三存储器电路驻留在第一集成电路管芯的平面中。逻辑电路被耦合以访问第一存储器电路、第二存储器电路和第三存储器电路，并且数据可以在第一存储器、第二存储器和第三存储器之间移动。第三存储器电路具有比第二存储器电路更大的存储器容量和更小的存储器访问带宽。第二存储器电路具有比第一存储器电路更大的存储器容量和更小的存储器访问带宽。
具有存储器层级三维电路系统方法

[发明专利]使用存储器内置自测的存储器保护电路测试和存储器擦洗-CN201711351173.8在审
发明人：艾伦·杰里米·贝克尔;彼得·洛根·哈罗德 -专利权人： ARM有限公司;安谋科技（中国）有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本公开涉及使用存储器内置自测的存储器保护电路测试和存储器擦洗。一种数据处理设备包括存储器和存储器保护电路，该存储器保护电路用于在存储器的操作使用期间提供到存储器的操作路径。存储器内置自测控制器34使用通过存储器保护电路到存储器的间接测试访问路径或绕过存储器保护电路到存储器的直接测试访问路径对存储器执行内置自测操作。因此，除了存储器的正确操作之外，还可以测试存储器保护电路本身的正确操作。
存储器存储器保护电路内置自测访问路径擦洗数据处理设备测试存储器测试操作路径间接测试使用期间直接测试控制器绕过电路

[发明专利]存储器存储装置及其测试方法-CN201710498769.4有效
发明人：周诠胜;林孟弘;吴伯伦;何家骅 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器存储装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。另外，一种存储器存储装置的测试方法也被提出。
存储器存储装置及其测试方法

[发明专利]半导体集成电路装置-CN200410069823.6无效
发明人：贞方博之;野村浩一郎;坂元正二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：以往，当利用存储器BIST电路进行烧入测试时，必须从外部对存储器BIST电路的复位动作进行控制。本发明中，在存储器宏的烧入测试时利用存储器BIST电路，BIST复位控制电路检测从存储器BIST电路来的存储器BIST测试结束信号，并自动地进行存储器BIST电路的复位。因此，可以利用存储器BIST电路对存储器宏进行反复连续的测试，可以实施存储器BIST电路的烧入测试。
半导体集成电路装置

[发明专利]存储器芯片及存储器装置-CN202111147340.3在审
发明人：陈彦儒 -专利权人：鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：一种存储器芯片包括存储器单元电路、周边电路、互连结构及控制逻辑电路。周边电路位于存储器单元电路之下，电性连接存储器单元电路。互连结构位于存储器单元电路的侧面。控制逻辑电路位于互连结构之下，控制逻辑电路电性连接互连结构及周边电路，且包括动态随机存取存储器。在包含存储器芯片的存储器装置中，由于控制逻辑电路整合于存储器芯片中，存储器装置不须设置控制器芯片，从而可降低存储器装置的制造成本且提升信号传输速度，可有利于小型化存储器装置的体积，且节省出来的空间则可以设置更多的存储器芯片，提升存储器装置的储存空间。
存储器芯片装置

[实用新型]一种嵌入式系统存储器切换装置-CN201521076284.9有效
发明人：赵康德;王诚刚;陈沁;张利;汤琼 -专利权人：上海华测导航技术股份有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G06F11/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种嵌入式系统存储器切换装置，所述嵌入式系统存储器切换装置包括嵌入式处理器，固化存储器，备用存储器，存储器切换电路，存储器切换电路包括第一模拟开关电路、第二模拟开关电路、检测电路，第一模拟开关电路与第二模拟开关电路连接，第一模拟开关电路、第二模拟开关电路分别与检测电路相连接，嵌入式处理器设有存储器接口，固化存储器、备用存储器分别与存储器接口相连接，检测电路与存储器接口连接，第一模拟开关电路、第二模拟开关电路分别与存储器接口相连接，上述嵌入式系统存储器切换装置，在固化存储器的引导程序丢失或损坏时，可方便简单地从备用存储器读取引导程序，以启动系统，无须拆开设备，切换功能可靠。
一种嵌入式系统存储器切换装置

[发明专利]用于存储器配置的动态变换的体系结构-CN201980020644.8在审
发明人：纳达夫·博南;朱里斯·曼德尔布拉特;尼尔·苏切尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：该装置包括第一存储器控制器电路，用于控制经由第一导电总线对第一存储器电路的读取和/或写入访问。该装置包括第二存储器控制器电路，用于控制经由第二导电总线对第二存储器电路的读取和/或写入访问。该装置包括耦合到第一存储器控制器电路和第二存储器控制器电路的电力控制电路。电力控制电路将数据从经由第二导电总线利用第二存储器控制器电路的第二存储器电路传送到经由第一导电总线利用第一存储器控制器电路的第一存储器电路。电力控制电路在将数据从第二存储器电路传送到第一存储器电路之后使第二存储器电路掉电。电力控制电路减小该装置的电力消耗并且可增大该装置的电池寿命。
用于存储器配置动态变换体系结构

[发明专利]存储器接口电路、存储器存储装置及设定状态检测方法-CN201910694001.3有效
发明人：黄明前 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器接口电路、存储器存储装置及设定状态检测方法。所述存储器接口电路用于连接多个易失性存储器模块与存储器控制器。所述多个易失性存储器模块包括第一易失性存储器模块与第二易失性存储器模块。存储器接口电路包括第一接口电路与第二接口电路。第一接口电路用以从第一易失性存储器模块接收第一信号并经由存储器接口电路的内部路径将第二信号传送至第二接口电路。第二接口电路用以根据第二信号将第三信号传送至第二易失性存储器模块，以通过第三信号评估存储器接口电路的设定状态。
存储器接口电路存储装置设定状态检测方法

[发明专利]存储器存储装置和存储系统-CN202211205478.9在审
发明人：张嘉祐;杨翔名 -专利权人：深圳宏芯宇电子股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本申请涉及存储器存储装置和存储系统，该存储器存储装置包括：主机连接接口；存储器模块；存储器控制器，包括存储器控制电路、LED驱动电路和存储器接口，存储器控制电路通过存储器接口与存储器模块连接，LED驱动电路分别与存储器控制电路和LED显示屏幕连接；存储器控制电路接收外部主机发送的控制指令，并从存储器模块中读取逻辑至实体映射表，并统计逻辑至实体映射表中的逻辑地址的数值，存储器控制电路根据逻辑地址的数值所对应的统计值生成对应的电平控制信号并发送至LED驱动电路；LED驱动电路根据对应的电平控制信号驱动LED显示屏幕中的对应区域进行发光显示，上述存储器存储装置极大提高了使用过程中的容量可视化效果。
存储器存储装置存储系统

[发明专利]测试系统-CN201910165686.2有效
发明人：林士杰;林盛霖 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C29/10 文献下载
摘要：一种测试系统，包含：存储器测试电路、存储器、输入逻辑电路、旁通电路、输出逻辑电路及暂存器。暂存器运行为存储器测试电路及输出逻辑电路的管线暂存器。于第一测试模式，由存储器测试电路传送第一测试信号至存储器，以由存储器输出存储器输出测试信号至暂存器后进一步传送至存储器测试电路或输出逻辑电路进行测试。
测试系统

[发明专利]三维存储器器件擦除操作-CN202180000743.7有效
发明人：夏仕钰;许锋;靳磊;远杰;谢学准;陈文强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：本公开的实施方式提供了3D存储器器件和用于操作3D存储器器件的方法。在示例中，3D存储器器件包括多个存储器层和在多个存储器层之间的虚设存储器层，以及NAND存储器串，NAND存储器串延伸穿过存储器层和虚设存储器层。NAND存储器串包括源极、漏极以及在与多个存储器层的交叉处并且在源极与漏极之间的多个存储器单元。3D存储器器件还包括外围电路，外围电路被配置为擦除多个存储器单元。为了擦除多个存储器单元，外围电路包括字线驱动电路，字线驱动电路被配置为在虚设存储器层上施加正偏置电压。
三维存储器器件擦除操作

[发明专利]存储器存储装置、存储器控制电路单元及电源供应方法-CN201410325028.2有效
发明人：许智仁;游祥雄;魏大泉;陈耘颉 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器存储装置、存储器控制电路单元及电源供应方法。此电源供应方法包括：提供第一电源电压至存储器存储装置的主机接口电路；提供一第二电源电压至存储器存储装置的存储器管理电路；提供第三电源电压至存储器存储装置的存储器接口电路，其中存储器接口电路的参考电压端电性连接至存储器管理电路的电源输入端藉此，可改善存储器存储装置因电压转换而过热的问题。
存储器存储装置控制电路单元电源供应方法

[发明专利]支持近存储器和远存储器访问的存储器通道-CN201710382875.6有效
发明人： B.奈尔;R.K.拉马努简;M.P.斯瓦米纳桑;T.托马斯;T.波尔佩迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G06F12/0804 文献下载
摘要：一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
支持存储器访问通道

[发明专利]支持近存储器和远存储器访问的存储器通道-CN201180075116.6在审
发明人： B.奈尔;R.K.拉马努简;M.P.斯瓦米纳桑;T.托马斯;T.波尔佩迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。
支持存储器访问通道

[发明专利]具有嵌壁式浅沟的隔绝结构的半导体制造方法及存储器电路-CN200610008511.3有效
发明人：叶致锴;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-02-10 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供一种存储器集成电路。存储器集成电路具有不同的具有浅沟的隔绝结构于存储器集成电路的存储器电路及存储器集成电路的控制电路之中。隔绝介电结构是以不同的程度填充具有浅沟的隔绝结构的沟渠。在一些实施例中，提供一种存储器集成电路。存储器集成电路具有存储器电路，存储器电路具有浅沟的隔绝结构及中间区域。存储器电路提供一信道，信道介于邻近的非挥发性存储器装置之间，用以提供数个具有不同方向的电流组件。在一些实施例中，是形成具有嵌壁式浅沟的隔绝结构。
具有嵌壁式浅沟隔绝结构半导体制造方法存储器电路

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