专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种新型太阳电动汽车-CN201520485580.8有效
  • 马跃;肖勇江;李金河;吕小兵;储素平 - 江苏阿波罗太阳能汽车股份有限公司
  • 2015-07-03 - 2015-12-09 - B60L8/00
  • 本实用新型公开了一种新型太阳电动汽车,属于电动交通工具技术领域,蓄电池组、充电控制器设置在车体内,车顶上的太阳组件通过充电控制器与蓄电池组连接,驱动电机设置在驱动桥上,且驱动电机与蓄电池组连接,车顶的中间设有一个沉台,所述的太阳组件为柔性晶体太阳组件,太阳组件由ETFE、晶体太阳电池和柔性背板组成;所述的太阳组件通过粘贴胶粘接在沉台中。它结构设计合理、安装操作方便,柔性晶体太阳组件能与车顶的弧形完美贴合,且新型的柔性晶体太阳组件质轻、壁薄,大大减轻了车身的重量,减少了车辆运行的阻力,提高了太阳的利用率。
  • 一种新型太阳能电动汽车
  • [实用新型]一种薄膜晶体异质结双面太阳电池-CN201320368509.2有效
  • 陈五奎;刘强;李粉莉;盛国浩 - 深圳市拓日新能源科技股份有限公司
  • 2013-06-25 - 2013-12-18 - H01L31/077
  • 本实用新型涉及光伏发电技术领域,特别涉及一种薄膜晶体异质结双面太阳电池;包括由上到下依次层叠的受光面电极、受光面透明导电层、P型非晶层、受光面本征非晶层、N型晶体层、背光面本征非晶层、N型重掺杂非晶层、背光面透明导电层、背光面电极,所述P型非晶层、所述受光面本征非晶层与所述N型晶体层形成太阳电池器件的正面异质PN结,所述N型晶体层、所述背光面本征非晶层与所述N型重掺杂非晶层形成太阳电池器件的背面电场层;所述薄膜晶体异质结双面太阳电池具有光电转换效率高的优点,由于本实用新型具有上述的特点和优点,为此可以应用到太阳电池等产品中。
  • 一种薄膜晶体硅异质结双面太阳能电池
  • [发明专利]太阳晶体线切割砂浆-CN201110321495.4无效
  • 赵钧永 - 赵钧永
  • 2011-10-12 - 2013-04-17 - B28D5/04
  • 本发明一般涉及专用于太阳晶体线切割的砂浆及其制造方法。现有的专用于太阳晶体线切割的砂浆,使用时容易发生硬点异常现象,并且切割力低,切割效率低,切割成本较高。本发明采用的新型太阳晶体线切割砂浆,在保持了较低的成本的前提下,能避免太阳晶体线切割剖方或切片时的硬点异常现象,并且切割力大幅度提高,可使切割效率显著提高,切割成本下降。
  • 太阳能晶体切割砂浆
  • [实用新型]太阳光伏玻璃幕墙-CN200720141487.0无效
  • 林正烜 - 林正烜建筑设计事务所有限公司
  • 2007-04-06 - 2008-02-20 - E04B2/88
  • 本实用新型涉及一种太阳光伏玻璃幕墙,包括:墙体部分和窗洞部分,其特征在于,所述窗洞部分采用凸窗结构;在相邻两个凸窗之间所形成的空间的外表面安装晶体太阳夹胶玻璃幕墙,该晶体太阳夹胶玻璃幕墙与墙体之间形成中空的双层结构所述晶体太阳夹胶玻璃幕墙与墙体之间所形成中空的空间内,可进一步设置太阳发电所需的设备(包括接线盒)。所述放置接线盒处的墙体可根据需要,增添可开启的检修门。所述晶体太阳光伏夹胶玻璃的内层玻璃设置为可配合晶体太阳电池组采用彩色玻璃。本实用新型设计了凸窗的形式,形成空气流通层,从而确保了太阳光伏发电系统的发电功率,并解决了系统维护问题。
  • 太阳能玻璃幕墙
  • [发明专利]激励太阳光能因子能量的光电转换装置-CN201110200219.2无效
  • 曾庆尧 - 曾庆尧
  • 2011-07-09 - 2013-01-09 - H01L31/042
  • “激励太阳光能因子能量的光电转换装置”是利用凹反射镜、凸透镜聚焦、磁能因子能量激励及蓝宝石激光器对光能因子激励等多项技术,使光能因子能量反复受到激励后,达到高能态能级。从而使太阳板的多晶内的电能因子能量达到最佳激励状态,使其电能因子能量提高到激发态的极高能级,并产生定向有序自旋滚动的稳定态直流电流。供耗能器做功后的低能态能级的电能因子再度输入太阳板的多晶内,重新受到高能态级的光能因子能量的激励。周而复始,源源不断产生电源。
  • 激励太阳光能因子能量光电转换装置
  • [发明专利]一种太阳的歧化反应制取法-CN201010202343.8无效
  • 李绍光 - 李绍光
  • 2010-06-18 - 2010-11-10 - C01B33/039
  • 一种太阳的歧化反应制取法,其特征在于它由如下步骤组成:(一)将二氧化硅和工业用气流磨分别粉碎成微粉;(二)将微粉分别置于浓硝酸中浸泡;(三)滤去硝酸后,将微粉用纯净水冲洗,再在真空室中加热烘干;(四)、(五)将烘干后的二氧化硅和工业硅微粉按摩尔比1∶1的配比混合,再用真空热等静压装置热压固结成块;(六)将热压成型后的二氧化硅、工业混合固结块置于联体式真空高温歧化反应装置中进行歧化反应并制取纯度达到6N的太阳。也可将两种微粉按摩尔比1∶1混合后用硝酸浸泡;然后再经过过滤、冲洗、烘干、热压成块;最后送入歧化反应装置中进行歧化反应制取太阳。本发明既节约了设备投资;又降低了生产成本。
  • 一种太阳能级歧化反应制取法
  • [发明专利]一种p型晶体太阳电池、生产方法-CN201910551147.2在审
  • 李华;刘继宇 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2019-06-24 - 2020-12-25 - H01L31/0216
  • 本发明提供了一种p型晶体太阳电池和生产方法,涉及太阳光伏技术领域。所述p型晶体太阳电池,包括:p型晶体基底;局域p++型掺杂区,形成于所述P型晶体基底的正面;正面减反射层,沉积于所述p型晶体基底的正面;正面金属电极,所述正面金属电极穿透所述正面减反层并与所述局域p++型掺杂区接触;钝化隧穿层;形成于所述P型晶体基底的背面;n型掺杂膜层,形成于所述钝化隧穿层的背面;背面钝化层,沉积于所述n型掺杂膜层的背面;以及穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂膜层接触的背面金属电极本发明的p型晶体太阳电池,减少了光学损失,且接触区复合小、光电转换效率高、开路电压大,成本低。
  • 一种晶体太阳能电池生产方法

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