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[发明专利]一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法-CN200910053039.9有效
发明人：吴良才;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提出一种实现多级存储的存储器单元结构及其制作方法。其特征在于所述的存储器单元结构由顶电极、多级存储介质(由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物塞，如WO_x塞形成的堆栈结构)、阻变氧化物塞、底电极、衬底、绝缘介质等组成。相变材料是可以发生可逆相变的化合物材料，如Ge-Sb-Te等，WO_x塞是通过钨塞的氧化形成，在电场作用下(电脉冲)可以发生阻值变化，通过Ge-Sb-Te和WO_x塞的多级阻值变化实现多级存储，从而提高单个存储单元的容量。
一种实现多级存储存储器单元结构及其制作方法

[发明专利]一种无机-有机杂化纳孔薄膜阻变存储器及其制备方法-CN202310066764.X在审
发明人：李爱东;孙松;雷锦;刘畅;吴迪 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器，属于半导体微电子器件领域，本发明的阻变存储器结构从下往上依次为衬底、活性电极、阻变功能层、惰性电极；所述阻变功能层为无机‑有机杂化纳米多孔薄膜材料本发明利用分子层沉积和原子层沉积技术来制备具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。
一种无机有机杂化纳孔薄膜存储器及其制备方法

[发明专利]一种移动云存储系统及移动云存储实现技术-CN201410254669.3在审
发明人：马庆鸣;习梦得;林隆基 -专利权人：江苏真云计算科技有限公司
申请日： 2014-06-10 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种移动云存储系统及移动云存储实现技术。所述的移动云存储系统包括具有内部存储介质的云计算终端，该系统还包括外挂于所述的云计算终端的外接存储器，该外接存储器与云计算终端的内部存储介质构成多级异构存储介质，所述的云计算终端的内部存储介质中存储有分布式文件，所述的云计算终端根据该分布式文件对多级异构存储介质中存储的数据建立快速索引，并基于该分布式文件控制多级异构存储介质对数据进行分级存储。本发明结构简单、方便管理资源、扩展存储资源、优化存储性能。
一种移动存储系统存储实现技术

[发明专利]使用多层存储器的磁盘驱动数据缓存-CN201210473386.9有效
发明人： R·L·霍恩;J·布思;C·M·古达 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G06F12/0871 文献下载
摘要：公开一种磁盘驱动器，其利用多层固态存储器来缓存从主机接收的数据。数据可以被存储在能够以低成本提供要求的性能的存储器层中。例如，多级单元（MLC）存储器可以被用来存储频繁读取但是不频繁写入的数据。作为另一个示例，单级单元（SLC）存储器可以被用来存储频繁写入的数据。因而能够获得提高的性能、降低的成本和改进的功耗。
存储器存储多层写入读取缓存磁盘驱动器固态存储器磁盘驱动存储器层多级单元数据缓存主机接收低成本单级功耗改进

[发明专利]用于多级别单元模式非易失性存储器的成本优化单级别单元模式非易失性存储器-CN201680019125.6有效
发明人： A.S.拉马林加姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：描述涉及用于三级别单元(TLC)固态驱动器(SSD)的成本优化单级别单元(SLC)写缓冲相关的方法和设备。在一个实施例中，非易失性存储器包括在单级别单元(SLC)模式的第一区域和在多级别单元模式的第二区域。将第二区域的部分从多级别单元模式移动到SLC模式，而没有增加任何新容量到非易失性存储器，并且没有从非易失性存储器减少任何现有容量。还公开并且要求保护其他实施例。
用于多级单元模式非易失性存储器成本优化级别

[发明专利]非易失性存储系统和相关编程方法-CN200710307784.2有效
发明人：崔珍赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种非易失性存储系统包括主机、存储控制器和包含多级闪存单元的闪存芯片。存储控制器包括备份存储器，用于当进一步编程多级闪存单元失败时保存之前从多级闪存单元编程数据的备份拷贝。之前编程数据的备份拷贝用于在将之前编程数据再编程到非易失性存储系统中不同多级存储单元之前检测和纠正之前编程数据中的任何错误。
非易失性存储系统相关编程方法

[发明专利]快闪存储器数据存储装置-CN200510118434.2有效
发明人：朴砇建;李镇旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：在快闪存储器数据存储装置中，嵌入了多级快闪输入缓冲单元，其中数据总线的宽度逐渐扩大，且控制时钟的周期被逐渐延长。在一个例子中，该快闪存储器数据存储装置使得其嵌入的快闪存储器在80纳秒的周期内被并行地以128位数据来访问，同时在20纳秒的周期期间与外部系统并行地进行16位数据的通信。该快闪存储器数据存储装置改进了快闪存储器和缓冲存储器间的数据速率，结果导致快闪存储器和外部系统间数据速率的显著提升。
闪存数据存储装置

[发明专利]石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器及制备-CN201911018382.X有效
发明人：张跃;温嘉玲;张铮 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料应用技术领域，提供了一种石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器及制备，该光电存储器包括自下而上依次设置的绝缘衬底、电荷束缚石墨炔层和电荷传输二硫化钼层；电荷传输二硫化钼层上相对设置源极和漏极本发明利用石墨炔纳米薄膜作为电荷束缚层，二硫化钼作为电荷传输层，制备了非易失性多级光电存储器，实现了通过背栅脉冲和光脉冲调控石墨炔中束缚的电荷，在无背栅极作用下实现二硫化钼超低暗态电流和该存储器的多级光电存储功能
石墨二硫化钼结合非易失性多级光电存储器制备

[发明专利]一种基于多级串联抽取滤波器的数据压缩系统及方法-CN202210059347.8在审
发明人：杨宏程;张富星;郎根峰;许静玲;翁新全;柯银鸿;刘瑞林 -专利权人：厦门乃尔电子有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H03M7/30 文献下载
摘要：本发明公开一种基于多级串联抽取滤波器的数据压缩系统及方法，数据压缩系统包括:通道切换开关、多级抽取滤波器、多级存储开关、抽取滤波器系数存储器或者滤波系数生成器以及数据存储器；其中通道切换开关与多级串联抽取滤波器的第一级相连接；多级抽取滤波器内部各级依次串联。一种基于多级串联抽取滤波器的数据压缩系统及方法应用于数据的在线分析时，因系统能够依分析需求压缩准备数据，所以在处理同时兼顾高低频分析需求的长数据时可以大大提高在线数据处理的效率；另一方面应用数据实时采集时，抽取滤波器不同级均可输出压缩数据，也即系统能够实现通道不同抽取率分类数据功能，通过合理的配置选择可以大大降低实际存储数据量。
一种基于多级串联抽取滤波器数据压缩系统方法

[发明专利]一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光多级非易失性存储器-CN202110061794.2有效
发明人：邱龙臻;王冠龙;吴孝成;王晓鸿;赵雪 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的日盲区深紫外光多级非易失性存储器，其包括作为栅电极的衬底，和逐层设置于衬底上的栅绝缘层、修饰层、有机半导体层，在有机半导体层上设置有源电极和漏电极，该存储器的编程电压与擦除电压为同向电压本发明的存储器为不受长波长紫外光和可见光干扰的高选择性和高性能日盲区深紫外光监测器的制备提供了一种新的策略，同向的编程电压与擦除电压能够简化存储器的工作电源，而且多级存储也使其在低成本制备方面显著增加了实际应用的可能性
一种基于有机场效应晶体管盲区深紫多级非易失性存储器

[发明专利]基于使用监测将应用程序动态分配到存储器的非易失性存储系统-CN201980005876.6在审
发明人： N·纽菲尔德;M·Y·M·恩格;E·莱维;R·塞拉 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-02-09 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明公开了用于基于监测app对存储器资源的使用将app动态地分配到非易失性存储器的技术。对于具有高耐久性区段诸如二进制(或单级单元，SLC)存储器和较低耐久性区段诸如多级单元(MLC)存储器的存储器系统，可初始地将app、包括用于执行app的代码和相关联数据载荷两者存储在较低耐久性区段中。存储器系统针对高活动水平监测app的活动，并且如果app被频繁地写入，则存储器系统通知主机。作为响应，主机可请求存储器系统将app或仅仅app的相关联载荷移动到高耐久性区段。
基于使用监测应用程序动态分配存储器非易失性存储系统

[发明专利]包括多级感测的存储器单元-CN201910104693.1在审
发明人： B·奎尔巴赫;C·康纳 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：半导体装置的实施例可以包括用于将多级存储器的存储器单元的模拟电压电平转换为多比特数字值，并且基于多比特数字值来确定存储器单元的单比特值的技术。一些实施例还可以包括用于跟踪对存储器单元的存取的时间历史超过10秒的持续时间，并且基于多比特数字值和时间历史来确定存储器单元的单比特值的技术。公开并要求保护其他实施例。
存储器单元比特数字时间历史模拟电压电平半导体装置多级存储器感测存取转换跟踪

[发明专利]对多级非易失性存储器单元进行编程的方法和存储器装置-CN201710550082.0有效
发明人：奇纳克里希南·巴拉普瑞姆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：提供一种对多级非易失性存储器单元进行编程的方法和存储器装置。发明的方面包括一种存储器装置，所述存储器装置具有一个或多个存储器页，所述一个或多个存储器页包括均具有多个可编程的状态级的多个存储器单元。所述存储器装置包括存储器控制逻辑部分，存储器控制逻辑部分包括编程逻辑部分和页层重编程状态元数据。编程逻辑部分可根据页层重编程状态元数据对所述多个存储器单元进行编程。编程逻辑部分可根据页层重编程状态元数据，在所述多个存储器单元的连续的编程操作中，对所述多个存储器单元中的每个的第一状态级、第二状态级和第三状态级进行编程，而在编程操作期间或编程操作之间，不需要任何擦除操作或读取操作
多级非易失性存储器单元进行编程方法存储器装置

[发明专利]存储设备及其操作方法-CN202011244326.0在审
发明人：柳尚辰;申东君;卢羌镐 -专利权人：三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供了一种存储设备和操作方法。所述存储设备包括至少一个非易失性存储器，所述至少一个非易失性存储器包括单级单元区域和多级单元区域；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为通过强化学习动态地重新调整所述单级单元区域的大小。
存储设备及其操作方法

[发明专利]一种基于多级存储型相变存储器的读写方法及系统-CN201810378043.1有效
发明人：雷鑑铭;刘黛眉;毛奕陶 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多级存储型相变存储器的读写方法及系统，属于相变存储器的读写控制技术领域。读写方法包括读方法和写方法，采用两个具有多级存储能力的相变存储单元构成读写基本单位；基于其两个相变存储单元的相对阻值表达存储的2比特数据；读方法用于实现从读写基本单位读取数据，写方法用于实现向读写基本单位写入数据本发明的目的在于，基于相变存储单元的多级存储能力，使用读写基本单位中相变单元的相对阻值表达数据，从而在数据存储密度不变的情况下，显著减少写操作的执行次数，提高读写效率，实现相变存储器的低功耗读写。
一种基于多级存储相变存储器读写方法系统