“外围电阻”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果547655个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种热镀锌双相钢电阻点焊方法-CN202210851457.8有效
发明人：王亚东;周宏伟 -专利权人：本钢板材股份有限公司;本钢浦项冷轧薄板有限责任公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B23K11/11 文献下载
摘要：本发明涉及电阻点焊技术领域，尤其是涉及一种热镀锌双相钢电阻点焊方法，通过采用焊前预热+双脉冲焊接+焊后保压工艺，并选用R型电极进行电阻点焊，可有效消除焊点内外围可见裂纹，且焊点均以熔核拔出模式失效，对于不同厚度钢板均能表现出较高的承载能力以及吸收能
一种镀锌双相钢电阻点焊方法

[发明专利]一种低耗声光报警电路-CN201510130622.0有效
发明人：易礼智;陈忠平;尹梅 -专利权人：易礼智;陈忠平;尹梅
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G08B7/06 文献下载
摘要：本发明公开一种低耗声光报警电路，其包括第一555型时基集成芯片、第二555型时基集成芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、本发明通过采用两个555型时基集成芯片及外围配置电路使得报警触发时，扬声器与光源均能发出间断性的报警信号，其电路结构成本较低且功能丰富。
一种低耗声光报警电路

[发明专利]一种小尺寸沟槽Mosfet的ESD结构及其制造方法-CN202211005764.0在审
发明人：陈铭阳;杨超;丁浩宸 -专利权人：无锡惠芯半导体有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种小尺寸沟槽Mosfet的ESD结构及其制造方法，属于半导体集成电路制造技术领域，一种小尺寸沟槽Mosfet的ESD结构包括终端区域，所述终端区域设置在所述ESD区域的外围，所述ESD区域设置在所述元胞区域的外围通过将ESD区域呈环形或者回型设置在终端区域内，增加了ESD的总长，提高了ESD的保护能力，从根本上降低ESD对功率Mosfet的损害，并且在Gate区域设置了栅极电阻，通过栅极电阻消除栅极振荡，转移驱动器的功率
一种尺寸沟槽 mosfet esd 结构及其制造方法

[实用新型]一种恒压恒流控制集成电路-CN201320562995.1有效
发明人：耿益飞 -专利权人：南京拓品微电子有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01F1/46 文献下载
摘要：本实用新型芯片内部集成了恒压电路及外围分压电阻和补偿电阻，并且集成了恒流控制功能，因此外围器件少、系统成本低、可靠性高、稳定性高，生产简单免调试。
一种恒压恒流控制集成电路

[实用新型]不间断浪涌稳压器-CN201220125932.5有效
发明人：徐国栋;张鹏伟;国长霞;李童;罗晓艳;马丽丽;韩慧 -专利权人：山东超越数控电子有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种不间断浪涌稳压器，属于一种稳压器，其结构包括浪涌抑制器、DC/DC稳压器、MOSFET管和外围电阻，浪涌抑制器连接控制MOSFET管、DC/DC稳压器和外围电阻，电压输入至浪涌抑制器
不间断浪涌稳压器

[实用新型]一种偏置电阻可控的485通信电路-CN201420357607.0有效
发明人：宋忠强;郑宝毅;衡泽超;刘亮;贾凯 -专利权人：积成电子股份有限公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种偏置电阻可控的485通信电路，包括信号光电耦合电路、偏置电阻控制信号反向电路和485芯片及其外围电路，所述的485芯片A通信接口经第一电阻接P沟道MOS管的漏极，P沟道MOS管的源极接电源，栅极作为偏置电阻控制信号输入端。本实用新型使用电子开关与普通偏置电阻串联的方法，使节点的偏置电阻可以在无穷大和普通偏置电阻之间进行切换，通过控制信号的变化改变485总线的偏置电阻，从而可以同时兼容国家电网的有极性和无极性电能表，操作简单方便
一种偏置电阻可控 485 通信电路

[发明专利]基于衰减振荡波的功率MOSFET器件导通电阻和输出电容的测试装置-CN201910142359.5有效
发明人：徐晓筱;程泽乾;胡兴懿;吴建德;何湘宁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于衰减振荡波的功率MOSFET器件导通电阻和输出电容的测试装置，包括前端的被测功率MOSFET器件及其外围测试电路以及后端的采样控制系统；测试电路包括可调直流电源、保险丝、可调电感、电压采样电阻、分压电阻和电流采样电阻，采样控制系统包括运放模块、AD模块、CPU模块、驱动模块和上位机。本发明测量方法简便，装置成本较低，可以实现同时测量功率MOSFET器件的雪崩耐量、导通电阻和输出电容，操作简单高效。
基于衰减振荡功率 mosfet 器件通电输出电容测试装置

[发明专利]TFT LCD阵列基板外围走线结构及其制造方法-CN200610149883.8有效
发明人：彭志龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了TFT LCD阵列基板外围走线结构，包括：一基板及其形成于其上的阵列结构；一修复线，形成在基板上；一栅极绝缘层，形成在修复线之上；一外围公共电极走线，形成在栅极绝缘层之上，并与修复线存在交叠；其中外围公共电极走线在与修复线交叠区域呈网状结构。本发明还同时公开了另外一种TFTLCD阵列基板外围走线结构以及这两种阵列基板外围走线结构的制造方法。本发明在满足走线电阻的前提下，将外围公共电极走线在于修复线交叠区域设计成网状，降低了走线间的电容耦合效应，从而满足了修复线正常修复的要求。
tft lcd 阵列外围结构及其制造方法

[发明专利]大容量模块的外围电路用的电路基板及包含使用该电路基板的外围电路的大容量模块-CN201180016931.5有效
发明人：矢野信介;平井隆己;七泷努;山口浩文 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：在通过向功率电路上层叠驱动电路等外围电路而要实现小型轻量化、低电涌化及低损失化的大容量模块中，减少如下问题因配设在功率电路上的功率半导体元件的端子与外围电路的电极的对位不充分而引起的功率半导体元件的端子与外围电路的电极的接合部中的电阻增大或在相邻的接合部之间的绝缘耐压降低等问题在外围电路基板的表面设置台阶，通过该台阶与功率半导体元件的侧面接触，在功率电路与外围电路层叠时更准确地进行外围电路基板的电极与功率半导体元件的端子的对位，由此减少上述问题。
容量模块外围电路路基包含使用

[发明专利]一种电阻版图及其设计方法、半导体结构-CN202211163913.6在审
发明人：梁子骞;高东旭;徐浩然 -专利权人：中科亿海微电子科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻版图及其设计方法、半导体结构，其中，所述电阻版图包括：第一电阻阵列和第二电阻阵列；所述第一电阻阵列包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向排布的第一电阻单位段，其中，所述第一方向和所述第二方向相交；所述第二电阻阵列包括多个沿第一方向延伸且沿第二方向排布的第二电阻单位段；其中，所述第二电阻阵列位于所述第一电阻阵列在第二方向上的外侧。本发明实施例通过在第一电阻阵列的外围设置第二电阻阵列，使得位于边缘的第一电阻单位段离工艺处理边缘远，最终得到的期望电阻在制造过程中受到工艺影响变小，提高了电阻精度可靠性。
一种电阻版图及其设计方法半导体结构

[实用新型]电位器-CN202120070987.X有效
发明人：刘明华;梁云龙 -专利权人：深圳明佳创新电子有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01C10/38 文献下载
摘要：本实用新型提供一电位器，用于调节电位，其包括电阻载板、电阻条、电阻刷、端子、封装件以及外壳。电阻载板作为电位器的主体结构，用于承载各类组件。电阻条设置在电阻载板上。电阻刷位于电阻条上，与电阻条滑动连接。端子设置有两组，两组端子相对设置在电阻载板两端，且端子与电阻条连接。外壳在电阻载板外围。封装件位于电阻载板与外壳之间。其中，端子从电阻载板两端伸出并向下弯折铆合，封装件封盖在电阻载板四周。将端子从两端引出，实现了产品的自动化生产，提高了产品的生产效率。
电位器

[发明专利]一种高性能声纳带通滤波器设计方法-CN202211402699.5在审
发明人：袁春姗;唐济远;汤志峰;王琨;马小勤;付传宝;陈波 -专利权人：中国船舶重工集团公司七五0试验场
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能声纳带通滤波器设计方法，采用一只双通道运算放大器和两片通用滤波器芯片级联，根据系统指标要求来配置各二阶滤波器模块的外围电阻和外围电容，再通过仿真模拟进行微调，从而实现设计出超高阶带通滤波器，能够满足大多数声纳超高性能带通滤波器要求，同时所配置的外围元件也相对较少，便于设计与调试。
一种性能声纳带通滤波器设计方法

[发明专利]一种微波着陆设备和精密测距设备通用的监测器平台-CN202110843145.8在审
发明人：叶萍;刘文敬;刘翔宇 -专利权人：天津七六四通信导航技术有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：/D模数转换器与数据处理模块中的FPGA芯片连接，数据处理模块中的FPGA芯片、DSP芯片与存储调用模块和时间模块通过总线连接；DSP芯片与CAN通信模块连接；双通道A/D模数转换器包括：A/D芯片、外围电阻器、电容器和电阻排组，A/D芯片与电阻排组连接，外围电阻器对A/D芯片进行功能配置，电容器用于对A/D芯片进行供电和参考电压滤波；电源供电电路包括：可熔断保险丝组件和电源芯片组件，其中，电源芯片组件与可熔断保险丝组件连接
一种微波着陆设备精密测距通用监测器平台

[发明专利]一种具有形状记忆功能的筋材-CN201811480571.4有效
发明人：郑愚;杨树颜;张黎飞;夏立鹏 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： E04C5/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型具有形状记忆功能的筋材，其中心纤维束包括有由若干热致感应型形状记忆纤维排列成圆柱体形状的纤维束主体，纤维束主体的中心位置放置光纤传感器，中心纤维束外表面设置内衬层，内衬层外表面缠绕电阻发热丝，内衬层外围套装有位于电阻发热丝外围的绝热保护层，中心纤维束、内衬层、电阻发热丝、绝热保护层组成该新型具有形状记忆功能的筋材的筋材主体结构；筋材主体结构的两端部设置锚固端，各锚固端分别设置金属触点，电阻发热丝的前
一种具有形状记忆功能

[发明专利]基于合金电阻和射频识别的就地综合智能插座-CN201310215209.5有效
发明人：雷宪章;薛飞;吕志来 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于合金电阻和射频识别的就地综合智能插座，该插座包括具有RFID识别器的插孔，所述插座的电路包括合金电阻及与其并联的电压测量单元；所述合金电阻与电压测量单元并联后分别与可控开关和大阻抗器件串联形成串联单元；与可控开关串联的串联单元接入电气回路；与大阻抗器件串联的串联单元的大阻抗器件和合金电阻分别连接火线与零线；所述可控开关和外围显示交互设备分别与微控制器的输出端相连；所述微控制器的输入端分别连接电压测量单元、RFID识别器和所述外围显示交互设备；所述微控制器和所述电压测量单元分别与供电单元连接。
基于合金电阻射频识别就地综合智能插座

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top