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[实用新型]一种电辅助不锈钢碳钢复合加工实验设备-CN201920012722.7有效
发明人：阮金华;王龙;王志刚;刘昌明;郭宇飞;杨丹;赵三星;李友荣 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及利用高频脉冲电流的趋肤效应和临近效应的一种电辅助不锈钢碳钢复合加工实验设备。包括绝缘支架、压紧支架、上压紧装置、下压紧装置、上导电装置和下导电装置。上导电装置和下导电装置分别与高频脉冲电源的两输出端连接且置于绝缘支架的上部和下部，用于提供复合过程中的电载荷且可在绝缘支架上沿水平方向移动用以调节复合角度。上压紧装置和下压紧装置分别置于压紧支架的上部和下部，可沿竖直方向相互靠近或远离，用以提供复合过程中的机械载荷，有益效果：能在热‑电‑力耦合作用下实现高强度耐磨不锈钢/碳钢小压下复合，为研制高频脉冲电流辅助不锈钢/碳钢轧制复合设备及其工艺提供实验研究基础。
绝缘支架高频脉冲电流上导电装置上压紧装置下压紧装置导电装置复合过程压紧支架碳钢高频脉冲电源水平方向移动轧制复合设备复合本实用新型不锈钢碳钢耐磨不锈钢输出端连接复合加工机械载荷趋肤效应实验设备实验研究电辅助电载荷力耦合竖直压下不锈钢

[发明专利]硅片的磨削/电解复合多线切割加工方法-CN201010141727.3有效
发明人：汪炜;刘正埙 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： B24B27/06 文献下载
摘要：一种硅片的磨削/电解复合多线切割加工方法，属特种加工范畴，针对硅棒或硅锭(可以为掺杂或本征材料)，采用较低电导率(＜500μS/cm)的水性切削液，外加低压连续(或脉冲)直流电源(0～30V可调)，金属切割线接电源负极，硅棒或硅锭接电源正极，基于机械磨削和电解复合加工原理，降低宏观切削力，实现大尺寸超薄硅片的磨削/电解复合多线切割，从而满足半导体、光伏等产业的生产工艺需求。
硅片磨削电解复合切割加工方法

[发明专利]基于PDA-PAni-GO/OHA/Gelatin/DCS的关节软骨定向修复系统-CN202210976885.3有效
发明人：金晓强;叶招明;章增杰;陈家煜;滕王锶源;徐坚翔;章文侃;周皓;俞小华;徐建斌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： A61L27/20 文献下载
摘要：该系统由导电水凝胶、无菌导线以及脉冲直流电源组成，其中的导电水凝胶使用席夫碱反应制得，同时具有双网络和纳米复合结构，具体是先制得PDA‑PAni‑GO纳米填料，再分散于儿茶酚改性的壳聚糖和明胶的PBS溶液，再与OHA/PBS溶液进行混合，通过席夫碱反应得到所需的复合导电水凝胶。该水凝胶材料具有优异的导电性能、可注射性、软骨贴附性、生物相容性和生物降解性能，将其通过原位注射后可实现凝胶化，凝胶两端连接无菌导线和脉冲直流电源，可提供脉冲直流电刺激作用，用于提升关节软骨缺损定向修复重建
基于 pda pani go oha gelatin dcs 关节软骨定向修复系统

[实用新型]复合脉冲磁场发生装置-CN200820153146.X无效
发明人：吴存有;周月明;侯晓光 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2008-09-18 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01F7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及连铸结晶器电磁线圈技术，尤其涉及复合脉冲磁场发生装置。一种复合脉冲磁场发生装置，所述装置套装于结晶器外且被固定；其特征是：所述装置包括第一线圈和第二线圈，第一线圈接直流电源，第二线圈接脉冲电源。所述第一线圈和第二线圈同轴安装且半径相同。
复合脉冲磁场发生装置

[发明专利]一种组合磁场与内衬偏压阶梯管复合的真空镀膜方法-CN201711491353.6在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬偏压阶梯管复合的真空镀膜方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压阶梯管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、孪生靶高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源调节等离子体的能量，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗
电源偏压电源阶梯管内衬高功率脉冲磁场装置活动线圈真空镀膜组合磁场大颗粒材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体制备工艺参数复合电弧离子镀薄膜沉积磁控溅射工作气体连接装置匹配装置启动系统使用限制磁过滤孪生靶真空室放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

[发明专利]一种组合磁场与内衬偏压直管复合的真空镀膜方法-CN201711491437.X在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬偏压直管复合的真空镀膜方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压直管装置及电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、孪生靶高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源对等离子体的能量进行调节，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗，设置制备工艺参数
电源内衬直管高功率脉冲磁场装置活动线圈偏压电源真空镀膜组合磁场大颗粒材料表面处理技术电弧离子镀靶源等离子体磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体制备工艺参数复合电弧离子镀薄膜沉积磁控溅射工作气体连接装置匹配装置启动系统使用限制磁过滤孪生靶真空室放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

[发明专利]一种组合磁场与内衬偏压锥形管复合的真空镀膜方法-CN201711491566.9在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬偏压锥形管复合的真空镀膜方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、孪生靶高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源调节等离子体的能量，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗
电源偏压电源锥形管内衬高功率脉冲磁场装置活动线圈真空镀膜组合磁场大颗粒材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体制备工艺参数复合电弧离子镀薄膜沉积磁控溅射工作气体连接装置匹配装置启动系统使用限制磁过滤孪生靶真空室放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

[发明专利]一种组合磁场与内衬直管和多孔挡板复合的真空镀膜方法-CN201711491738.2在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬直管和多孔挡板复合的真空镀膜方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、高功率脉冲磁控溅射靶源及电源、内衬偏压直管与多孔挡板组合装置及电源等；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源调节等离子体的能量，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗
电源多孔挡板内衬直管高功率脉冲磁场装置活动线圈偏压电源真空镀膜组合磁场大颗粒材料表面处理技术电弧离子镀靶源等离子体磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体复合电弧离子镀薄膜沉积磁控溅射工作气体连接装置匹配装置启动系统使用限制组合装置磁过滤真空室放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

[发明专利]一种组合磁场与内衬锥形管和多孔挡板复合的真空镀膜方法-CN201711491805.0在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬锥形管和多孔挡板复合的真空镀膜方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管与多孔挡板组合装置及电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、孪生靶高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源对等离子体的能量进行调节，组合装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗
电源多孔挡板锥形管内衬高功率脉冲偏压电源真空镀膜组合磁场组合装置大颗粒材料表面处理技术电弧离子镀靶源等离子体磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体复合电弧离子镀薄膜沉积磁场装置磁控溅射工作气体活动线圈连接装置匹配装置启动系统使用限制磁过滤孪生靶真空室放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

[发明专利]一种组合磁场与内衬直管和多孔挡板复合的真空沉积方法-CN201711493127.1在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬直管和多孔挡板复合的真空沉积方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、高功率脉冲磁控溅射靶源及电源、内衬偏压直管与多孔挡板组合装置及电源等；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源调节等离子体的能量，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗
电源多孔挡板内衬直管高功率脉冲磁场装置活动线圈偏压电源真空沉积组合磁场大颗粒材料表面处理技术电弧离子镀靶源等离子体磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体复合电弧离子镀薄膜沉积磁控溅射工作气体连接装置匹配装置启动系统使用限制组合装置磁过滤真空室放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

[实用新型]一种组合磁场与内衬锥形管和多孔挡板复合的真空镀膜装置-CN201822213323.5有效
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;侯军兴;刘源;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬锥形管和多孔挡板复合的真空镀膜装置，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管与多孔挡板组合装置及电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、孪生靶高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源对等离子体的能量进行调节，组合装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，
一种组合磁场内衬锥形多孔挡板复合真空镀膜装置

[实用新型]一种组合磁场与内衬偏压锥形管复合的真空沉积装置-CN201822213325.4有效
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;刘源;张新国;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬偏压锥形管复合的真空沉积装置，属于表面技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源对等离子体的能量进行调节，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输
一种组合磁场内衬偏压锥形复合真空沉积装置

[实用新型]一种组合磁场与内衬偏压直管复合的真空镀膜装置-CN201822213363.X有效
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;张新国;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬偏压直管复合的真空镀膜装置，属于真空镀膜技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压直管装置及电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、孪生靶高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源对等离子体的能量进行调节，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输
一种组合磁场内衬偏压复合真空镀膜装置

[实用新型]一种组合磁场与内衬直管和多孔挡板复合的真空镀膜装置-CN201822213415.3有效
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;张新国;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬直管和多孔挡板复合的真空镀膜装置，属于真空镀膜技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、高功率脉冲磁控溅射靶源及电源、内衬偏压直管与多孔挡板组合装置及电源等；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源调节等离子体的能量，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输
一种组合磁场内衬多孔挡板复合真空镀膜装置

[实用新型]一种组合磁场与内衬偏压阶梯管复合的真空镀膜装置-CN201822223921.0有效
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;张新国;侯军兴;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬偏压阶梯管复合的真空镀膜装置，属于真空镀膜技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压阶梯管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、孪生靶高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源调节等离子体的能量，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输
一种组合磁场内衬偏压阶梯复合真空镀膜装置