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- [实用新型]堆叠式芯片封装体-CN03201547.X无效
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李怡增;廖学国;曾仁德
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威盛电子股份有限公司
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2003-02-19
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2004-03-17
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H01L23/34
- 本实用新型公开了一种堆叠式芯片封装体,其特征在于堆叠结构体的底部周缘形成多个阶梯面,因此,当堆叠结构体的底部通过胶层贴附至芯片的有源表面时,相对于堆叠结构体的底部中央的胶层的厚度而言,可增加堆叠结构体的底部周缘的胶层的厚度因此,当芯片封装体接受热应力测试时,堆叠结构体的底部周缘的胶层可提供适当的弹性缓冲,从而大幅降低堆叠结构体的底部周缘所产生应力集中的程度,以避免芯片的表层受到应力不当地破坏,因此可有效延长芯片封装体的使用寿命
- 堆叠芯片封装
- [发明专利]切割装置-CN201910720991.3有效
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沈俊昊;姜秉熏;文升俊;徐东均;申憘龟;曹雨辰
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三星显示有限公司
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2019-08-06
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2023-03-28
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B26D1/16
- 一种切割装置包括:台,预堆叠体被设置在所述台上,具有边缘的切割堆叠体由所述预堆叠体形成;切割单元,能够沿着与所述切割堆叠体的边缘的延伸方向对应的第一方向移动,并且所述预堆叠体利用所述切割单元被切割以形成所述切割堆叠体;第一分离单元,能够沿着与所述第一方向形成锐角的方向移动,并包括第一分离工具,当将所述切割堆叠体从承载基板分离时所述第一分离工具接触所述切割堆叠体;和第二分离单元,能够沿着与所述第一方向平行的方向移动,并包括第二分离工具,当将所述切割堆叠体从所述承载基板分离时所述第二分离工具被插入在所述切割堆叠体与所述承载基板之间。
- 切割装置
- [发明专利]堆叠式纳米片ROM-CN202180085251.2在审
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A·雷兹尼克;谢瑞龙;K·巴拉克里希南;B·赫克马特肖尔塔巴里
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国际商业机器公司
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2021-10-19
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2023-08-25
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H01L27/092
- 一种半导体器件,包括两个存储器单元的第一纳米片堆叠体以及上部纳米片堆叠体,所述第一纳米片堆叠体包括衬底上的下部纳米片堆叠体,所述下部纳米片堆叠体包括第一功函数金属和半导体沟道材料的交替层,所述交替层彼此竖直对准并叠置,所述上部纳米片堆叠体包括第二功函数金属和半导体沟道材料的交替层,所述交替层彼此竖直对准并叠置,所述上部纳米片堆叠体竖直对准和叠置在所述下部纳米片堆叠体上,其中,包括该下部纳米片堆叠体的两个存储器单元中的第一存储器单元包括第一阈值电压,并且包括该上部纳米片堆叠体的两个存储器单元中的第二存储器单元包括第二阈值电压,其中,所述第一阈值电压不同于所述第二阈值电压。形成包括两个存储器单元的第一纳米片堆叠体的半导体器件。
- 堆叠纳米rom
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