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[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202010101737.8在审
发明人：熊仓翔;户村幕树;木原嘉英;笹川大成 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，该被处理体包括基片、形成于基片上的蚀刻对象膜和形成于蚀刻对象膜上的具有开口的掩模。
处理方法装置

[发明专利]基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法-CN201911139478.1在审
发明人：小森荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法。基片处理装置将含有要在基片上形成的膜的原料的原料气体供给到基片来进行基片处理，基片处理装置包括：在内部能够载置基片的处理容器；原料气体供给源，其用于收纳原料，向处理容器供给原料气体；缓冲罐，其暂时储存从原料气体供给源收入的原料气体对载置于处理容器内的基片供给原料气体来进行处理的基片处理装置中，能够供给减小装置的占地空间，将原料气体稳定地供给到处理容器。
处理装置系统方法

[发明专利]载置台构造以及处理装置-CN201210069433.3无效
发明人：田中澄;小松智仁;川崎裕雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供载置台构造以及处理装置，能防止对载置台产生大的热应力，防止该载置台自身破损，并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器(22)内，用于载置被处理体(W)的载置台构造(54)。该载置台构造(54)具备：载置被处理体(W)，由电介质构成的载置台(58)；设于载置台(58)，加热载置于载置台(58)的被处理体(W)的加热单元(64)；由电介质构成的多个保护支柱管(60)，它们以相对处理容器(22)的底部(44)竖立的方式设置，上端部与载置台(58)的下表面接合来支承载置台(58)。另外，在各保护支柱管(60)内插通有延伸到载置台的功能棒体(62)。
载置台构造以及处理装置

[发明专利]载置台构造以及处理装置-CN200980100058.0无效
发明人：田中澄;小松智仁;川崎裕雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供载置台构造以及处理装置，能防止对载置台产生大的热应力，防止该载置台自身破损，并且能抑制防止腐蚀用的吹扫气体的供给量。本发明涉及设置在能够排出内部的气体的处理容器(22)内，用于载置被处理体(W)的载置台构造(54)。该载置台构造(54)具备：载置被处理体(W)，由电介质构成的载置台(58)；设于载置台(58)，加热载置于载置台(58)的被处理体(W)的加热单元(64)；由电介质构成的多个保护支柱管(60)，它们以相对处理容器(22)的底部(44)竖立的方式设置，上端部与载置台(58)的下表面接合来支承载置台(58)。另外，在各保护支柱管(60)内插通有延伸到载置台的功能棒体(62)。
载置台构造以及处理装置

[发明专利]载置台装置、光刻装置以及物品的制造方法-CN202111147421.3在审
发明人：大豆生田吉广 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及载置台装置、光刻装置以及物品的制造方法。提供有利于降低第1载置台与第2载置台产生干扰的可能性的技术。一种载置台装置，具备：第1载置台，能够移动；第2载置台，能够在所述第1载置台之上移动；以及控制部，将所述第2载置台相对于所述第1载置台的倾斜量控制成目标倾斜量，在所述载置台装置中，所述控制部根据所述第1载置台的移动区间来设定所述目标倾斜量而控制所述倾斜量。
载置台装置光刻以及物品制造方法

[发明专利]一种基于浸渍提拉的纳米粒子薄膜制备方法-CN201811369663.5在审
发明人：黎相孟;魏慧芬;祝锡晶;王建青;冯昕宇 -专利权人：中北大学
申请日： 2018-11-17 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： B05D1/20 文献下载
摘要：一种基于浸渍提拉的纳米粒子薄膜制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：S1：制作浸渍提拉装置；S2：将基片置于载片台的上表面；向烧杯中注入清水；S3：载片台、倒U形提拉架、基片一起快速下降并浸渍于清水中；S4：在清水的水面形成Langmuir‑Blodgett薄膜；S5：载片台、倒U形提拉架、基片一起缓慢上升，进而将Langmuir‑Blodgett薄膜捕获至基片的上表面形成纳米粒子薄膜；S6：将基片在
制备纳米粒子薄膜浸渍提拉载片台清水上表面倒U形拉架薄膜浸渍提拉装置浸渍缓慢上升制备工艺质量差烘烤烧杯捕获水面制作

[发明专利]载置台构造和处理装置-CN201080055569.8无效
发明人：川崎裕雄;齐藤哲也;长冈秀树;村冈贵志;山本弘彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及设置于能够进行排气的处理容器内并用于载置应处理的被处理体的载置台构造。本发明的载置台构造包括：载置台，在板状的载置台主体上支承用于载置所述被处理体的热扩散板，并且在所述载置台主体与所述热扩散板的交界部分设置气体扩散室；设置于所述载置台的加热单元；一个或者多个支柱管，用于支承所述载置台，从所述处理容器的底部立起设置，其上端部与所述载置台的下表面连接，并且与所述气体扩散室连通，流过吹扫气体；载置台罩部件，其以覆盖所述载置台主体的侧面和下表面的方式设置；和支柱管罩部件，其包围所述支柱管的周围，并且上端部与所述载置台罩部件连结，从所述气体扩散室向下方引导流过所述载置台主体与所述载置台罩部件之间的间隙的所述吹扫气体，使所述吹扫气体从气体出口排出。
载置台构造处理装置

[发明专利]载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法-CN202010599609.0在审
发明人：我妻雄一郎;朝仓贤太朗;齐藤哲也;渡边将久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法。抑制盖构件相对于载置台主体的位置偏移，利用用于抑制该位置偏移的机构防止载置台主体热膨胀或者热收缩时该载置台主体产生破损。载置基板的载置台包括：载置台主体，该载置台主体在上表面载置基板；盖构件，其覆盖载置台主体的上表面的外缘部；以及位置偏移防止用构件，其设于载置台主体的上表面与盖构件的下表面之间，能够滚动或者滑动，在载置台主体的上表面形成有收容位置偏移防止用构件的主体侧凹部，在盖构件的下表面形成有收容被主体侧凹部收容的位置偏移防止用构件的盖侧凹部，主体侧凹部和盖侧凹部中的至少任一者形成为具有沿着载置台主体的径向的倾斜面的研钵状。
载置台处理装置以及组装方法

[发明专利]真空镀膜设备与单质薄膜的镀制方法-CN201610027810.5有效
发明人：于甄;解金库;高建聪 -专利权人：张家港康得新光电材料有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：该真空镀膜设备包括用于放置基片的载台，真空镀膜设备还包括：至少一个掩板，当进行镀制作业时，各掩板设置在载台的放置基片的表面上，掩板用于掩盖基片的非镀制目标区域并暴露出基片的镀制目标区域。
真空镀膜设备单质薄膜方法

[发明专利]一种用于等离子体处理装置的载片台-CN201210021957.5有效
发明人：陶铮;凯文·佩尔斯;松尾裕史;曹雪操 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于承载基片的载片台以及包括该载片台的等离子体处理装置，其中，所述基片位于所述载片台上方。所述载片台包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其中设置有一个或多个真空空洞；第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方
一种用于等离子体处理装置载片台

[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法-CN201580075242.X在审
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;沼田隆之;根本秀圣 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明具有在形成于容器内部的升温部或降温部中的至少任一者处设置的衬底载置台和对衬底载置台的温度加以控制的温度控制部，所述衬底载置台与载置于载置面上的衬底之间进行热传递，所述温度控制部进行控制以使得在升温部设置有衬底载置台的情况下，在衬底被载置于衬底载置台之前，使衬底载置台的温度成为能够使将要搬入处理部的衬底升温至规定温度的温度；在降温部设置有衬底载置台的情况下，在衬底被载置于衬底载置台之前，使衬底载置台的温度成为能够使从处理部搬出的经过处理的衬底降温至规定温度的温度
衬底处理装置方法

[发明专利]纳米级分子阵列排布机-CN01815771.8无效
发明人：埃里克·亨德森;阿蒂斯·莫舍 -专利权人：拜澳富斯毫微科学有限公司
申请日： 2001-08-14 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： G01N1/14 文献下载
摘要：本发明可能包括一个X，Y控制器，一个X，Y平移台，一个载样基片，一个沉积基片，一个点样探针。计算机控制所有组件的相对位置。近一步，本发明使用湿度控制系统在探针和基片之间产生毛细桥，用于在载样基片、点样探针和沉积基片间传输沉积物。
纳米分子阵列排布

[发明专利]一种预热型管式PECVD设备及其控制方法-CN202010250820.1在审
发明人：郭艳;曾昭贤;李晔纯;李明;成秋云;吴得轶 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种预热型管式PECVD设备及其控制方法，该设备包括上料滑台、净化台、炉体柜、气源柜、真空泵以及下料滑台，所述净化台用来完成基片及其载具从上料滑台、下料滑台到炉体柜内炉体反应室之间的输运，所述净化台包括依次相连的预热传送区、载具传输区及冷却区，所述预热传送区与一个以上的预热腔相连通，所述预热腔用于完成基片及其载具由室温到设定温度值的升温过程送入所述预热传送区，然后经载具传输区送入炉体柜进行恒温、镀膜工艺，最后经冷却区进行冷却作业后送至下料滑台
一种预热型管式 pecvd 设备及其控制方法

[实用新型]一种预热型管式PECVD设备-CN202020457507.0有效
发明人：郭艳;曾昭贤;李晔纯;李明;成秋云;吴得轶 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预热型管式PECVD设备，该设备包括上料滑台、净化台、炉体柜、气源柜、真空泵以及下料滑台，所述净化台用来完成基片及其载具从上料滑台、下料滑台到炉体柜内炉体反应室之间的输运，所述净化台包括依次相连的预热传送区、载具传输区及冷却区，所述预热传送区与一个以上的预热腔相连通，所述预热腔用于完成基片及其载具由室温到设定温度值的升温过程送入所述预热传送区，然后经载具传输区送入炉体柜进行恒温、镀膜工艺，最后经冷却区进行冷却作业后送至下料滑台
一种预热型管式 pecvd 设备

[发明专利]载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN202110172280.4在审
发明人：池田太郎;川上聪;田中澄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。期待能够在基板的边缘附近高效地产生等离子体的载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。在一个例示性的实施方式中，提供一种具有载置面的载置台。该载置台的特征在于，载置台具有厚度，包括埋设有高频电极的载置台主体，载置台主体包含陶瓷，高频电极在载置面的外周部下方区域沿上述的厚度的方向延伸。
载置台等离子体处理装置以及方法