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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]器件埋入式刚挠结合板及其制作方法-CN201610613729.5有效
发明人：刘国汉;陈华东;黄德业;李超谋;任代学 -专利权人：广州杰赛科技股份有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种器件埋入式刚挠结合板及其制作方法。所述器件埋入式刚挠结合板包括器件、刚性层、器件埋入层和挠性层；制作方法包括如下步骤：挠性层制作：所述挠性层包括挠性区域；刚性层制作：所述刚性层设有第一开窗区域，所述第一开窗区域与所述挠性区域相对应；将所述器件焊接于所述刚性层和/或所述挠性层的表面；器件埋入层制作：所述器件埋入层设有第二开窗区域和第三开窗区域；所述第二开窗区域与所述器件相配合，所述第三开窗区域与所述挠性区域相对应；按照预定的顺序层叠所述刚性层、器件埋入层和挠性层上述制作方法制作得到的器件埋入式刚挠结合板板面平整、体积小，便于刚挠结合板的立体安装。
器件埋入式刚挠结合及其制作方法

[实用新型]器件埋入式刚挠结合板-CN201620819135.5有效
发明人：刘国汉;陈华东;黄德业;李超谋;任代学 -专利权人：广州杰赛科技股份有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种器件埋入式刚挠结合板，包括器件，以及按照预定的顺序层叠的刚性层、器件埋入层和挠性层；所述挠性层包括挠性区域；所述刚性层设有第一开窗区域，所述第一开窗区域与所述挠性区域相对应；所述器件焊接于所述刚性层和/或所述挠性层的表面；器件埋入层制作所述器件埋入层设有第二开窗区域和第三开窗区域；所述第二开窗区域与所述器件相配合，所述第三开窗区域与所述挠性区域相对应。上述器件埋入式刚挠结合板体积小，便于立体安装。
器件埋入式刚挠结合

[发明专利]埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法-CN201310530701.1有效
发明人：孙蓉;苏星松;符显珠;郭慧子 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法。该埋入式电阻合金材料按质量百分比计，包括镍80～97%、钼0.1～8%和磷2～12%。将该埋入式合金材料制成埋入式电阻薄膜，经实验表明，该埋入式电阻薄膜具有较好的耐蚀性、热稳定性和抗老化性能。
埋入电阻合金材料薄膜及其制备方法

[发明专利]SOI晶片的制造方法-CN200980149263.6有效
发明人：石塚徹;小林德弘;阿贺浩司;能登宣彦 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是对埋入式氧化膜上形成有SOI层的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，来制造具有规定的埋入式氧化膜厚的SOI晶片的方法，根据通过热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，算出进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理的SOI晶片材料的SOI层厚度，对将结合晶片薄膜化而获得的SOI晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，使SOI层的厚度成为算出的厚度。由此，提供SOI晶片的方法，将因进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理时的热处理温度等的不均匀性而产生的埋入式氧化膜面内分布恶化控制在规定的范围内，制造埋入式氧化膜的膜厚均匀性好的SOI晶片。
soi 晶片制造方法

[发明专利]记忆元件及其制造方法-CN201410211577.7有效
发明人：蔡亚峻;苏俊联;林新富;陈鸿祺 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：该记忆元件的制造方法，包括以罩幕层做为植入罩幕，进行离子植入工艺，以在衬底中形成第一埋入式掺杂区与第二埋入式掺杂区。第一埋入式掺杂区在第一方向延伸，通过所述控制栅极，电性连接控制栅极两侧的第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区。第二埋入式掺杂区在所述第二方向延伸，位于第三掺杂区下方的衬底中，电性连接第三掺杂区，且第一埋入式掺杂区电性连接第二埋入式掺杂区。
记忆元件及其制造方法

[发明专利]集成电路以及用于处理具有埋入特征的集成电路的方法-CN201310035409.2有效
发明人： E·T·瑞安;张洵渊 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供集成电路以及用于处理具有埋入特征的集成电路的方法，一种用于使埋入铜特征凹进衬底内部的工艺，以及一种用于使埋入铜互连凹进集成电路的层间介电衬底内部的工艺。在具体实施例中，一种用于使埋入铜特征凹进衬底内部的方法包括：提供有埋入铜特征配置于其中的衬底。该埋入铜特征有暴露表面以及该衬底有与该埋入铜特征的该暴露表面毗邻的衬底表面。该埋入铜特征的该暴露表面经氮化成可在该埋入铜特征中形成一层氮化铜。从该埋入铜特征选择性蚀刻氮化铜，使该埋入铜特征凹进该衬底内部。
集成电路以及用于处理具有埋入特征方法

[发明专利]一种岩土工程边坡加固装置及加固方法-CN202110048446.1在审
发明人：陈海强 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： E02D17/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种岩土工程边坡加固装置及加固方法，包括岩土坡和边坡挡土板，所述岩土坡的坡面上设置有边坡挡土板，所述边坡挡土板为中空结构，其内部设置有调节性链条，所述调节性链条贯穿边坡挡土板两端，且分别连接设置有埋入式定位桩和埋入式防滑桩，所述埋入式定位桩顶端与边坡挡土板一端接触，所述埋入式定位桩和埋入式防滑桩用于抵抗滑坡推力，所述边坡挡土板中部设置有锚索，本发明将边坡挡土板内附加调节性链条，使其构成一种加固手段，并运用埋入式定位桩和埋入式防滑桩对调节性链条两端进行固定
一种岩土工程加固装置方法

[实用新型]一种注塑模自动埋入及取出装置-CN201620994280.7有效
发明人：袁亮;潘聪华;李鹏 -专利权人：苏州埃博斯电气有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： B29C45/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种注塑模自动埋入及取出装置，包括固定架台、取料模组和埋入模组；所述取料模组和埋入模组均设置与于固定架台上；所述取料模组包括取料气缸、取料板和三爪气缸，所述取料气缸位于固定架台下端，所述取料板通过导杆与固定架台连接，所述三爪气缸设置于取料板上端；所述埋入模组包括埋入板、一级顶出气缸、二级顶出气缸和埋入气缸；所述埋入板通过限位导柱与固定架台上端连接，所述埋入气缸位于埋入板中部下方的固定架台上。本实用新型一种注塑模自动埋入及取出装置分别通过纯机械的埋入模组和取料模组实现转子的埋入和取出过程，可代替人工操作同时可避免机械手的过载损坏，可靠性高，保证生产效率。
一种注塑自动埋入取出装置

[发明专利]立铣刀以及其制造方法-CN201980070225.5在审
发明人：中市诚;仲井宏太;藤井诚 -专利权人：日东电工株式会社;神谷机工株式会社
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： B23C5/10 文献下载
摘要：本发明提供虽然为小径但切削刃可良好地安装于主体并且强度及耐久性优异的立铣刀以及其简便的制造方法。本发明的立铣刀具有主体和切削刃，上述主体设置有埋入部并以旋转轴为中心而旋转，上述切削刃埋入埋入部而固着并被构成为最外径。本发明的立铣刀的制造方法包括下述工序：将切削刃埋入主体的埋入部；以及在将切削刃埋入埋入部的状态下，通过真空钎焊或高频钎焊将切削刃与埋入部固着。
铣刀及其制造方法

[实用新型]埋入式PIN脚-CN201120211105.3有效
发明人：吴红芳;俞文益 -专利权人：杭州福华光电科技有限公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01F27/29 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种埋入式PIN脚，包括PIN脚本体，所述PIN脚本体由用于固定连接塑胶本体与PIN脚的塑胶本体埋入段、用于电性连接的过渡段和用于PIN脚与线路板焊锡连接的焊接段组成，所述埋入段顶部的最大横截面积大于埋入段中部的最大横截面积本实用新型埋入式PIN脚的埋入段顶部最大横截面积大于其中部横截面积，使PIN脚焊呈“T”字型或“7”字型，增大了PIN脚焊接段与塑胶本体的接触面积和裹胶面积，避免了受高温影响使塑胶本体产生的扩孔情况，改善了使用此PIN脚器件的牢固性和使用寿命。
埋入 pin

[发明专利]立铣刀以及其制造方法-CN201980070206.2在审
发明人：中市诚;仲井宏太;藤井诚 -专利权人：日东电工株式会社;神谷机工株式会社
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： B23C5/10 文献下载
摘要：本发明提供虽然为小径但多个切削刃可良好地安装于主体并且强度及耐久性优异的立铣刀以及其简便的制造方法。本发明的立铣刀具有主体和多个切削刃，上述主体设置有多个埋入部并以旋转轴为中心而旋转，上述多个切削刃分别埋入多个埋入部而固着并被构成为最外径。切削刃以切削刃的延长线不从旋转轴通过的方式埋入埋入部而固着。本发明的立铣刀的制造方法包括下述工序：将切削刃埋入主体的埋入部；以及在将切削刃埋入埋入部的状态下，通过真空钎焊或高频钎焊将切削刃与埋入部固着。
铣刀及其制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN201410440453.6有效
发明人：田中义典;江明崇 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器及其制造方法，该动态随机存取存储器包括硅基板、第一隔离沟渠结构、第二隔离沟渠结构、由第一与第二隔离沟渠结构定义的有源区、位于硅基板内的埋入式字线、位于硅基板内的埋入式位线与电容器。两两第二隔离沟渠结构之间设置有两个埋入式字线，以将有源区分为一个位于两个埋入式字线之间的位线接触窗以及两个电容器接触窗。埋入式位线则位于埋入式字线上方并与有源区的位线接触窗电性连接。电容器设置在有源区上并与电容器接触窗电性连接。在埋入式位线与硅基板之间还有氧化衬层。本发明能改善DRAM的读出裕度。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]SOI晶片的制造方法及SOI晶片-CN200480003455.3有效
发明人：横川功;阿贺浩司;高野清隆;三谷清 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2004-02-13 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其中，在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。通过这种方式，可提供一种SOI晶片的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶片，而该SOI晶片具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层的结晶性及表面质量极好。
soi 晶片制造方法

[实用新型]一种接插件机器人埋入装置-CN202223414906.7有效
发明人：周民军 -专利权人：上海德广自动化科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H05K13/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种接插件机器人埋入装置，包括埋入架和安全机构；所述安全机构的内部设置有金属涡流探测器、蜂鸣器和电源模组，所述金属涡流探测器与电源模组电性连接，所述蜂鸣器与金属涡流探测器电性连接，所述埋入架的内部开设有若干个容置接插件的埋入槽，涉及插接件机器人埋入领域。本实用新型首先将金属涡流探测器插入金属涡流探测器槽内、将蜂鸣器插入蜂鸣器槽内、将电源模组插入电源模组槽内，由于金属涡流探测器与电源模组电性连接，蜂鸣器又与金属涡流探测器电性连接，当机器人接近金属涡流探测器时金属涡流探测器会感应到机器人，并通过蜂鸣器发出声响警示人员，使人员及时将手部从埋入架内撤离，避免机器人伤手的问题。
一种插件机器人埋入装置

[发明专利]可控制埋入部分的腐蚀的钢柱-CN200510137314.7有效
发明人：山本正弘;山中晋太郎 -专利权人：新日本制铁株式会社
申请日： 2005-11-04 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： E04H12/08 文献下载
摘要：一种即使在被狗标记领地时其埋入部分的腐蚀可控性也优良的钢柱，即可控制埋入部分的腐蚀的钢柱，其包括具有防腐涂层或锌基镀层防腐材料的钢柱，在该钢柱与埋入的材料互相接触的界面的顶端沿着钢柱外部上至大气侧、下至埋入材料侧至少50mm提供了由对含铵离子的水溶液具有优良耐久性的防腐材料构成的涂层。
控制埋入部分腐蚀

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