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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]垂直薄膜芯片结构-CN202320114788.3有效
发明人：郝茂盛;张楠;马艳红;刘利;艾进宝;袁根如;陈朋 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种垂直薄膜芯片结构，该芯片结构包括：基板、第一芯片模块、连接端子以及绝缘层；其中，所述第一芯片模块包括：第一衬底、若干第一P电极以及第一N电极；所述若干第一P电极以及第一N电极位于所述第一衬底的第一面
垂直薄膜芯片结构

[发明专利]用于用薄膜包装货物单元的装置和方法-CN201080027780.9有效
发明人： R·汉嫩 -专利权人： MSK包装系统有限公司
申请日： 2010-04-26 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： B65B9/02 文献下载
摘要：一种用于用薄膜包封货物单元的装置，有至少一个薄膜储备体，由其可供给薄膜。该装置具有第一包封装置，由供给的薄膜借其形成垂直的第一薄膜幕，它可贴紧货物单元的垂直侧壁。第一包封装置具有折叠装置，由薄膜储备体供给的薄膜的薄膜段借其可折叠成使薄膜在用垂直的第一薄膜幕包封货物单元以后在货物元件的各垂直侧壁的下面区域内按照折叠的薄膜段的宽度成双层贴紧在各垂直侧壁上。该装置还具有第二包封装置，由供给的薄膜借其可构成垂直的第二薄膜幕。该第二薄膜幕利用第二包封装置可贴紧货物单元的上侧、两个侧壁和下侧。
用于薄膜包装货物单元装置方法

[发明专利]垂直式薄膜晶体管及其制造方法及显示装置及其制造方法-CN200910225513.1有效
发明人：翁守正;李怀安;莫启能 -专利权人：华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是关于一种垂直式薄膜晶体管及其制造方法以及包括该垂直式薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。垂直式薄膜晶体管是应用至一基板，并将垂直式薄膜晶体管的栅极层实施为同心环结构且相邻同心环为相连，此结构能提升垂直式薄膜晶体管的抗应力及导通电流。
垂直薄膜晶体管及其制造方法显示装置

[发明专利]一种垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法-CN201710266362.9有效
发明人：崔伟斌;王强;张同博;钟辉;周小倩;付艳请;于德东 -专利权人：东北大学
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01F10/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种强磁性介质薄膜，具体涉及一种垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法。本发明的技术方案如下：一种垂直取向强磁性介质薄膜，包括依次层叠的衬底、缓冲层、垂直取向强磁性介质层和保护层，所述衬底为单晶、多晶或非晶基片，所述缓冲层材质为具有六方晶体结构的无机非金属氮化物陶瓷，所述垂直取向强磁性介质层为钐钴薄膜、铝镍钴薄膜、鉄铂薄膜、铁钯薄膜、钴铂薄膜和/或钴钯薄膜，所述保护层为过渡金属、氮化物膜体材料或氧化物膜体材料。本发明提供的垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法，具有体积小、垂直磁化方向、作为存储单元的晶粒尺寸小、矫顽力大、稳定性高等优点，制备工艺简单，应用领域更广。
一种垂直取向磁性介质薄膜及其制备方法

[发明专利]垂直铺膜薄膜杆-CN201110029994.6有效
发明人：张永忠 -专利权人：张永忠
申请日： 2011-01-22 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： A01G13/02 文献下载
摘要：一种垂直铺膜薄膜杆，内杆1下端设一底角，底脚右端连一提升油丝绳，薄膜卷为一幅薄膜卷在外杆上，此幅薄膜一端连有C形杆，另一端连有接头杆，槽内已铺好的薄膜的一端连有接头杆，另一端连有C形杆。本发明为垂直铺膜专用薄膜杆。
垂直薄膜

[实用新型]垂直铺膜薄膜杆-CN201120029044.9无效
发明人：张永忠 -专利权人：张永忠
申请日： 2011-01-22 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： A01G13/02 文献下载
摘要：一种垂直铺膜薄膜杆，内杆1下端设一底角，底脚右端连一提升油丝绳，薄膜卷为一幅薄膜卷在外杆上，此幅薄膜一端连有C形杆，另一端连有接头杆，槽内已铺好的薄膜的一端连有接头杆，另一端连有C形杆。本实用新型为垂直铺膜专用薄膜杆。
垂直薄膜

[发明专利]显示面板、显示面板的制备方法及显示终端-CN202111174945.1在审
发明人：崔巍 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示终端，其中，所述显示面板包括阵列基板以及多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管设置在所述阵列基板的一侧，每个所述薄膜晶体管包括多个层，其中，所述多个薄膜晶体管中至少一个薄膜晶体管为垂直晶体管，所述垂直晶体管的各层沿与所述阵列基板垂直的方向层叠设置。本申请通过将显示面板中的多个薄膜晶体管中至少一个薄膜晶体管为垂直晶体管，并将所述垂直晶体管的各层沿与所述阵列基板垂直的方向层叠设置，能够缩小显示面板中薄膜晶体管的尺寸，进而提高显示面板的穿透率和开口率，
显示面板制备方法终端

[发明专利]垂直反相器及半导体器件-CN202210952412.X在审
发明人：艾飞;宋德伟 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种垂直反相器及半导体器件，该半导体器件包括垂直反相器，垂直反相器包括绝缘衬底、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，通过将第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分层布置，在有限的空间内可以布置更多的薄膜晶体管，从而可以提高半导体器件内薄膜晶体管的集成度。
垂直反相器半导体器件

[发明专利]半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法-CN202210156426.0在审
发明人：林孟汉;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/11597 文献下载
摘要：一种半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法，半导体装置包括沿横向方向延伸的第一导体结构以及沿垂直方向延伸的第一记忆体薄膜。第一记忆体薄膜与第一导体结构接触。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一半导体薄膜。第一半导体薄膜与第一记忆体薄膜接触且第一半导体薄膜的末端分别与第一记忆体薄膜的末端对准。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第二导体结构、沿垂直方向延伸的第三导体结构以及沿垂直方向延伸的第四导体结构。第二导体结构及第四导体结构耦合第一半导体薄膜的末端，且第三导体结构耦合第一半导体薄膜的一部分，其中此部分在第一半导体薄膜的末端之间。
半导体装置记忆体制造方法

[发明专利]多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法-CN202111652469.X有效
发明人：徐秀兰;郭日思;黄意雅;郭奇勋;于广华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明公开了多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，涉及材料分析领域，包括以下步骤：从磁性金属元素中选取目标元素；获取多层薄膜材料具备垂直磁各向异性时的氧化度预测范围；获取COB；获取CB；根据公式I计算多层薄膜材料的氧化度ε的实测值；判定多层薄膜材料的实测值是否在氧化度预测范围内；若多层薄膜材料的实测值在氧化度预测范围内，则多层薄膜材料具备垂直磁各向异性，反之，则不具备。本发明提供的多层薄膜材料的垂直磁各向异性检测方法，通过半定量数据对垂直磁各向异性进行表征，测试方法简单、直接且快捷；后续可以通过半定量的氧化度ε的实测值作为垂直磁各向异性的定量指标，有助于进一步研究。
多层薄膜材料垂直各向异性检测方法

[发明专利]防尘薄膜组件框架以及防尘薄膜组件-CN201510594528.0有效
发明人：関原一敏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G03F1/64 文献下载
摘要：本发明的目的一种在制造以及处理容易的同时，使装着后的光掩模变形极小的防尘薄膜组件框架以及防尘薄膜组件。本发明的防尘薄膜组件框架，具有框状的防尘薄膜组件框架本体和从与该防尘薄膜组件框架本体的防尘薄膜绷紧设置的面的相对面沿着防尘薄膜组件框架本体的内面，以具有防尘薄膜组件框架本体的幅度的5～30％的厚度垂直伸出的垂直伸出部，另外，从所述垂直伸出部的终端向着外侧，以与防尘薄膜绷紧设置的面相平行地伸出的厚度为0.3～1mm的水平伸出部。
防尘薄膜组件框架垂直伸出部防尘薄膜绷紧伸出防尘薄膜组件水平伸出部光掩模相对面框状内面平行变形垂直终端制造

[发明专利]双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极及其制备方法和应用-CN202210917859.3在审
发明人：严敏;王照云;於国伟;刘治田 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极及其制备方法和应用。该双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极，包括依次叠层设置的大孔单层有序垂直介孔薄膜、小孔单层有序垂直介孔薄膜和金属锂层。本发明通过在金属锂层表面依次设置小孔单层有序垂直介孔薄膜和大孔单层有序垂直介孔薄膜，能够对锂负极在充放电过程的锂离子输运行为进行调节，引导均匀的锂沉积，可以有效的抑制锂枝晶的生长，解决现有技术中金属锂沉积中锂枝晶生长的问题
双层有序垂直薄膜修饰金属负极及其制备方法应用

[实用新型]一种三维足型扫描装置-CN201820032437.7有效
发明人：饶勃 -专利权人：武汉维码科技有限公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： A43D1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三维足型扫描装置，包括透明支撑板、垂直支撑板和弹性薄膜，所述垂直支撑板与透明支撑板垂直放置，每两个垂直支撑板中间留有一定的距离，且安装有弹性薄膜，弹性薄膜的两端可以通过粘合或者夹持的方法固定在两侧的垂直支撑板上；所述弹性薄膜上面可放置足，其宽度可以覆盖足底的中间部分，根据脚的长度或者码数，可以灵活选择弹性薄膜的宽度。本实用新型结构简单，使用方便，在使用时将单足或者双足放置于弹性薄膜上，其弹力可以对足底中间部分施以支撑力，从而扫描出更加真实的足部轮廓曲线。
弹性薄膜垂直支撑板本实用新型透明支撑板扫描装置足底三维垂直放置灵活选择轮廓曲线支撑力粘合夹持码数双足足部扫描覆盖

[发明专利]一种垂直基底生长硒化钨纳米片薄膜材料的可控快速制备方法-CN201610407882.2有效
发明人：李红超;邹俭鹏;高迪 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直基底生长硒化钨纳米片薄膜材料的可控快速制备方法，该方法是在石英基底上通过直流磁控溅射钨薄膜，再利用快速硒化钨薄膜的方法制备垂直基底生长的WSe2纳米片薄膜；该方法简单、快速、低成本，可快速制备大面积垂直基底生长的WSe2纳米片薄膜材料，能满足电解制氢和电催化应用的需求。
基底纳米片薄膜材料快速制备垂直生长钨薄膜硒化钨可控直流磁控溅射电解制氢快速硒化低成本电催化再利用石英制备薄膜应用

[实用新型]具有硅胶薄膜的振翼模组及使用该振翼模组的受话器-CN201720387898.1有效
发明人：文剑光 -专利权人：苏州三色峰电子有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H04R9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有硅胶薄膜的振翼模组，包括支撑框、覆盖在支撑框上的盖板、薄膜和振翼，支撑框包括平面框以及沿着平面框的边缘向平面框的垂直方向延伸的垂直框，薄膜覆盖平面框的内孔并与平面框贴合连接，薄膜为硅胶薄膜，薄膜的厚度为0.0012mm～0.0025mm，振翼与薄膜贴合连接，振翼与平面框之间设有空隙，盖板覆盖垂直框的开口并与垂直框连接。本实用新型的受话器，尤其是振翼模组，适用于半导体工艺的回流焊；本实用新型利用硅胶薄膜的耐温特性，使受话器在应用过程中可直接过回焊炉，使得受话器组装可以与半导体自动化工艺相结合，极大提升受话器装配效率，方便客户装配
具有硅胶薄膜振翼模组使用受话器

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