专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁性多层膜结构及磁性器件-CN202210785203.0在审
  • 吴迪 - 苏州凌存科技有限公司
  • 2022-07-04 - 2022-12-13 - H01L43/08
  • 本发明公开了一种磁性多层膜结构,包括:形成在缓冲层或种子层上的第一多层结构;所述第一多层结构包括顺序布置的:参考层、非磁性中间层、自由层和耦合层;其中,耦合层和自由层通过界面的反铁磁或铁磁耦合耦合层和自由层的磁矩方向反平行或平行排列本发明利用耦合层和自由层通过界面的反铁磁或铁磁耦合,或耦合层和参考层通过界面的反铁磁或铁磁耦合,界面的耦合作用提供了较强的垂直磁各向异性,可以在保证垂直磁各向异性的条件下进一步提高自由层或参考层厚度,从而提高当耦合层和自由层为反铁磁耦合时,使磁矩方向形成反平行排列,从而降低总体的饱和磁化强度,进而降低外磁场的干扰。
  • 磁性多层膜结构器件
  • [实用新型]CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合-CN201720285882.X有效
  • 张赞允;朱华;刘宏伟;陈力颖;李鸿强 - 天津工业大学
  • 2017-03-20 - 2017-10-13 - G02B6/124
  • CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器,包括一个双向光栅耦合器,由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成,均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口,模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导,实现无损耗光传输及模式转换;一个双介质包层,位于双向光栅耦合器上方,用于抑制对入射光的向上反射;一个CMOS IC芯片,作为CMOS后工艺的衬底,其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜;一个二氧化硅隔离层,位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间,作为双向光栅耦合器下包层;一个环形金属对准标记,位于双介质包层上方,环绕在双向光栅耦合器周围,用于测试时对单模光纤进行对准。
  • cmos工艺集成高效率双向光栅耦合器
  • [发明专利]具有垂直扩散板的电容器结构-CN202010168755.8有效
  • 陈亮 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-01-30 - 2021-02-19 - H01L23/64
  • 一种电容器结构,包含:半导体衬底;所述半导体衬底中的第一垂直扩散板;所述半导体衬底中并且围绕所述第一垂直扩散板的第一STI结构;所述半导体衬底中并且围绕所述第一STI结构的第二垂直扩散板;以及所述半导体衬底中的离子阱所述离子阱直接设置在所述第一垂直扩散板、所述第一STI结构和所述第二垂直扩散板之下。所述第二垂直扩散板电耦合至所述电容器结构的阳极。所述第一垂直扩散板电耦合至所述电容器结构的阴极。
  • 具有垂直扩散电容器结构
  • [发明专利]具有垂直扩散板的电容器结构-CN201980000220.5有效
  • 陈亮 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-01-30 - 2020-03-27 - H01L23/64
  • 一种电容器结构,包含:半导体衬底;所述半导体衬底中的第一垂直扩散板;所述半导体衬底中并且围绕所述第一垂直扩散板的第一STI结构;所述半导体衬底中并且围绕所述第一STI结构的第二垂直扩散板;以及所述半导体衬底中的离子阱所述离子阱直接设置在所述第一垂直扩散板、所述第一STI结构和所述第二垂直扩散板之下。所述第二垂直扩散板电耦合至所述电容器结构的阳极。所述第一垂直扩散板电耦合至所述电容器结构的阴极。
  • 具有垂直扩散电容器结构
  • [发明专利]具有双连续层的记录叠层-CN201280051490.7在审
  • Z·吴;L·唐;S·王;A·海卢 - 希捷科技有限公司
  • 2012-08-23 - 2014-07-09 - G11B5/66
  • 具有双连续层的垂直磁性记录叠层(104)及其制造方法。垂直磁性记录叠层包括衬底(106)、一个或多个磁性颗粒记录层(110)以及具有第一和第二连续层(112、114)的双连续层。设置在第二连续层(114)和磁性颗粒记录层之间的第一连续层(112)具有适中的横向交换耦合,这种适中的横向交换耦合高于磁性颗粒层的横向交换耦合。第二连续层具有比第一连续层更高的横向交换耦合
  • 具有双连记录
  • [发明专利]一种垂直各向异性人工反铁磁耦合多层膜材料-CN201410133550.0有效
  • 张勖;蔡建旺 - 中国科学院物理研究所
  • 2014-04-03 - 2017-06-30 - H01F10/32
  • 本发明的目的在于提供一种具有垂直各向异性的人工反铁磁耦合多层膜材料。本发明所述的由“CoFeB/MgO”体系组成的垂直各向异性人工反铁磁结构的多层膜材料,是通过将Mo或其他可以促进“CoFeB/MgO”体系垂直各向异性的金属作为核心非磁性层插入“MgO/CoFeB/MgO”结构的CoFeB层中,得到诸如MgO/CoFeB/Mo/CoFeB/MgO的结构,使得位于非磁性层两边的CoFeB形成具有垂直各向异性的反铁磁交换耦合;而且“MgO/CoFeB/Mo/CoFeB/MgO”体系具有良好的热稳定性,经过400℃两小时退火后仍然可以维持较强的垂直反铁磁耦合,从而应用价值得以提升,使该多层膜可作为巨磁电阻核心结构,或自旋阀或自旋双势垒垂直磁隧道结的参考层应用到器件中。
  • 一种垂直各向异性人工反铁磁耦合多层材料
  • [发明专利]航母用舰载机弹射器-CN201310308690.2无效
  • 刘勇 - 刘勇
  • 2013-07-19 - 2015-01-21 - B64F1/06
  • 本发明涉及一种新型航母用弹射器,其结构由单个或者若干个共轴的圆环缸体组成,每个圆环缸体的结构包括:圆环涵道缸体、螺旋筋板、转动盘、耦合转子,其中圆环涵道缸体内腔轴面剖视图形状为圆形,螺旋筋板位于圆环形空腔内沿圆环形空腔的圆弧面分布并与圆环涵道缸体联结为一体,圆环形空腔的缸体开有缸体环槽,转动盘位于缸体环槽中;耦合转子安装在转动盘上,位于圆环形空腔内,耦合转子的外径边缘与圆环形空腔的内表面相接触,其转动轴线与转动盘转动轴线垂直或接近垂直耦合转子沿半径方向开有耦合槽,螺旋筋板可以穿过耦合槽,当耦合转子和转动盘与圆环涵道缸体发生相对转动时,螺旋筋板与耦合槽的滑动啮合推动耦合转子自转。
  • 航母舰载弹射器
  • [实用新型]一种高消光比的光纤耦合激光器-CN201220519527.1有效
  • 王珍玉;张哨峰;李大汕;沈渊;吕超 - 上海高意激光技术有限公司
  • 2012-10-11 - 2013-03-13 - H01S3/067
  • 本实用新型涉及激光技术领域,公开了一种高消光比的光纤耦合激光器,包括依次设置的激光器、耦合光学系统和保偏光纤,还包括一双折射晶体;该双折射晶体置于耦合光学系统的光学元件之间,或置于耦合光学系统与保偏光纤之间;激光器发出的激光经耦合光学系统与双折射晶体之后,分为偏振方向相互垂直的两束偏振光,且两光束之间的间距大于保偏光纤的纤芯直径;其中一束偏振光耦合进入保偏光纤。采用高双折射率晶体将激光分成偏振方向相互垂直的两束偏振光,并仅将其中一束偏振光耦合到保偏光纤中,以避免激光在保偏光纤中传输时发生偏振态模式耦合现象,从而实现高消光比、低噪声的光纤耦合产品。
  • 一种高消光光纤耦合激光器
  • [发明专利]一种容性耦合装置及滤波器-CN202010061344.9有效
  • 刘文;钟伟刚;朱晖 - 武汉凡谷陶瓷材料有限公司
  • 2020-01-19 - 2022-03-18 - H01P1/208
  • 本发明公开了一种容性耦合装置及滤波器。它包括相互连接的第一介质谐振器和第二介质谐振器,所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间设有负耦合孔,所述负耦合孔包括纵向盲孔和横向盲孔,所述纵向盲孔与横向盲孔相互垂直布置,所述纵向盲孔垂直于所述第一介质谐振器和第二介质谐振器的顶面布置,所述横向盲孔垂直于所述第一介质谐振器和第二介质谐振器的侧面布置。本发明容性耦合装置在两个介质谐振器之间设置两个相互垂直的盲孔形成负耦合孔,实现两个介质谐振器之间的负耦合,结构简单,该结构用于滤波器中,由于两个孔形成的面积更大,可以在滤波器的通带低端形成传输零点,增加了滤波器的矩形系数
  • 一种耦合装置滤波器

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