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- [发明专利]垂直HEMT和生产垂直HEMT的方法-CN202180038445.7在审
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马丁·安德烈亚斯·奥尔松
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艾普诺瓦泰克公司
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2021-05-27
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2023-02-03
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H01L29/778
- 提供了一种垂直高电子迁移率晶体管HEMT(100),该垂直HEMT包括:漏极接触件(410),纳米线层(500),该纳米线层布置在该漏极接触件(410)上并且包括至少一根垂直纳米线(510)以及支撑材料(520),该支撑材料横向包围该至少一根垂直纳米线(510),异质结构(600),该异质结构布置在该纳米线层上并且包括一起形成异质结的AlGaN层(610)和GaN层(620),与该异质结构(600)接触的至少一个源极接触件(420a,420b),以及与该异质结构(600)接触的栅极接触件(430),该栅极接触件布置在该至少一根垂直纳米线(510)上方,其中,该至少一根垂直纳米线(510)在该漏极接触件与该异质结构之间形成电子传输通道还提供了一种用于生产垂直HEMT(100)的方法。
- 垂直hemt生产方法
- [发明专利]垂直偏转的补偿-CN01121981.5无效
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J·A·威尔伯
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汤姆森许可公司
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2001-06-22
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2002-01-09
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G09G1/04
- 一种垂直偏转放大器(IC1),根据斜坡输入信号(Vsaw)驱动垂直偏转线圈,放大器的电流检测电阻器(R6)提供反馈信号(Ifb)。垂直偏转线圈受到水平偏转线圈(Hdy)的串扰(Xtk)或干扰。在水平偏转信号源(Hfbt)与电流检测电阻器(R6)之间耦合有一个补偿网络(CN),由此网络(CN)在电流检测电阻器(R6)中产生校正电流(Icomp)以便大致取消反馈信号(Ifb)中的行频串扰分量(Ixtk
- 垂直偏转补偿
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