专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3705469个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]光检测装置-CN202180073758.6在审
  • 恩田一寿;柳井谦一;山田仁 - 株式会社电装
  • 2021-10-19 - 2023-07-14 - G02B26/08
  • 在发光单元(20)中,在光源排列方向(ADs)上排列辐射光束(SB)的多个VCSEL元件。受光单元(40)接收来自测定区域的反射光束(RB)。光学单元(60)包含第一光学元件(61)以及第二光学元件(71),并形成沿在光源排列方向(ADs)上延伸的投射光束(PB)。第一光学元件(61)在与光源排列方向(ADs)垂直的主扫描面(MS)上,在光束(SB)的透射方向上具有负光焦度。第二光学元件(71)位于第一光学元件(61)的后级,在主扫描面(MS)上在透射方向上具有正光焦度。
  • 检测装置
  • [发明专利]垂直方向传送砂箱专用装置-CN201310687741.7在审
  • 廉哲 - 廉哲
  • 2013-12-17 - 2015-06-17 - B22C23/00
  • 一种垂直方向传送砂箱专用装置,其特征在于:所述的垂直方向传送砂箱专用装置包括底座、液压缸、活塞杆、箱体、托板、抬箱叉;其中:作为定位基座的底座可以沿轨道移动,在底座上竖直设置有一个升降液压缸,升降液压缸的活塞杆上套接有一个托板本发明的优点:本发明所述的垂直方向传送砂箱专用装置,结构简单,操作方便,节省时间,实现竖直方向上的砂箱运输,促进生产效率。
  • 垂直方向传送砂箱专用装置
  • [实用新型]垂直方向马达转轴定位装置-CN01208696.7无效
  • 陈秀凤 - 陈秀凤
  • 2001-03-22 - 2002-02-20 - H02K5/16
  • 本实用新型是一种垂直向马达转轴定位装置,使可垂直状态使用的马达,其转轴可被保持极准确的垂直角度、且能定位稳固,进而具有精密度佳、不偏心晃动、耐用的功效;主要是马达的封盖外具有凸座、内具有定位筒、及内孔设有阶梯状的上、底支撑缘、转轴设有中直径的辅助段、较大直径的主支撑段、连结段,而形成有上、中、底支撑缘,并置设有环形轴承、盘形轴承、增强垫块、垫片,而能够产生极佳之支撑转子、转轴效果,且更能对转子有极佳的垂直限位效果,使得转轴呈垂直方向(悬吊)状态时,得被稳固、精密定位,提供可呈悬吊状态使用、且亦能保持精密转动及耐用的实用功效。
  • 垂直方向马达转轴定位装置
  • [发明专利]毫米波双极化脊波导缝隙天线-CN202211283452.6在审
  • 刘骁;郝承祥;张海波;曾星耀;李高昂 - 中国科学院空天信息创新研究院
  • 2022-10-19 - 2023-01-20 - H01Q13/18
  • 本发明公开了一种毫米波双极化脊波导缝隙天线,包括雷达系统主体,多个水平极化单元依次排列安装于雷达系统主体的一端,被构造为向外辐射或接收沿第一方向的水平极化电磁波,相邻水平极化单元之间设置有第一共轭槽,以减小水平极化电磁波辐射过程中的相互干扰;多个垂直极化单元依次排列安装于雷达系统主体的另一端,被构造为向外辐射或接收沿与第一方向垂直的第二方向垂直极化电磁波,相邻垂直极化单元之间设置有第二共轭槽,以减小垂直极化电磁波辐射过程中的相互干扰;多个连接器分别安装于多个水平极化单元和多个垂直极化单元,被构造为发出电磁波或者接收来自多个水平极化单元和/或多个垂直极化单元的电磁波。
  • 毫米波极化波导缝隙天线
  • [发明专利]半导体结构-CN202110919497.7在审
  • 金吉松 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-08-11 - 2023-02-17 - H10B10/00
  • 一种半导体结构,包括:衬底;位于衬底上的多个沟道结构,沟道结构彼此之间相互分立,沟道结构沿衬底朝第一方向排列;衬底沿多个沟道结构的排列方向上包括相邻的第一区域和第二区域,第一区域和第二区域分别用于形成第一晶体管和第二晶体管;隔离层,位于沟道结构与沟道结构之间;栅极结构,位于衬底上且横跨彼此分立的沟道结构,栅极结构彼此之间相互分立,栅极结构沿第二方向排列;栅极结构的延伸方向与沟道结构的延伸方向垂直,第一方向与第二方向垂直本发明实施例通过调整栅极结构与沟道结构的延伸方向之间的夹角,有利于实现器件尺寸的微缩,优化半导体结构的性能。
  • 半导体结构

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top