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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]四极场中引入十极场的方法与应用-CN200610170694.9无效
发明人：方向;丁传凡 -专利权人：方向
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于产生以四极电场为主，并含有十极场等其他电场成份的电势分布的四极杆系统以及采用该四极杆系统的一些应用。其中所述的四极杆系统的第一对极杆的两个极杆横截面形状相同，第二对电极的两个极杆横截面形状不同，电源连接到各极杆，在四极杆系统内部生成至少包括四极场A₂分量和十极场A₅分量的多极场电势分布，并且A₅的含量不低于A₂的0.1％。该四极杆系统既是在四极场为主的电势分布中引入显著十极场A₅分量的全新方案，也可作为在四极场为主的电势分布中引入较为显著的六极场A₃的一种可选方案。
四极场中引入十极场方法应用

[实用新型]小型全桥逆变可并网正弦波逆变器-CN200920193043.0无效
发明人：刘晓 -专利权人：刘晓
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型全桥逆变可并网正弦波逆变器，其特征在于逆变电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管，第一场效应管的漏极与第二场效应管的源极连接，第四场效应管的漏极与第三场效应管的源极连接，第一场效应管的漏极通过电容与第四场效应管的漏极连接，市电的火线同时与第一场效应管的漏极和第二场效应管的源极连接，市电的零线同时与第三场效应管的源极和第四场效应管的漏极连接，其优点是四个场效应管的驱动信号本身就是由市电提供的
小型全桥逆变可并网正弦波逆变器

[实用新型]一种基于场效应管的整流桥电路及整流装置-CN202222604210.4有效
发明人：蔡灿焕;邢才旺;黄建国;王燕;邓良中;蔡灿锋;赵康乐 -专利权人：深圳市富迪电子有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于场效应管的整流桥电路及整流装置，电路包括：第一整流单元、第二整流单元、第三整流单元及第四整流单元；第一场效应管的漏极分别与第二场效应管的栅极、电源输入的正极或负极、第三场效应管的源极及第四场效应管的栅极电连接，第一场效应管的栅极分别与第二场效应管的漏极、第四场效应管的源极及第三场效应管的栅极电连接，第一场效应管的源极分别与第二场效应管的源极及电压输出端电连接；第二场效应管的漏极与电源输入的正极或负极电连接，第三场效应管的漏极及第四场效应管的漏极接地。
一种基于场效应整流电路装置

[发明专利]一种抗单粒子瞬态脉冲反相器加固电路-CN201911243547.3在审
发明人：武唯康;廖春连;常迎辉;李斌;刘长龙;田素雷 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H03K19/0948 文献下载
摘要：其包括第一、第二、第三、第四、第五、第六场效应晶体管，第三、第四场效应晶体管的漏极相连，第一、第二晶体管的源极、漏极分别相连并且源极和第三、第四场效应晶体管的漏极相连，第五场效应晶体管的源极和衬底同时接电源，第五场效应晶体管的漏级和第三场效应晶体管的源极相连，第六场效应晶体管的源极和衬底同时接地，第六场效应晶体管的漏极和第四场效应晶体管的源极相连，第一、第二、第三、第四、第五、第六场效应晶体管的栅极相连。
一种粒子瞬态脉冲反相器加固电路

[实用新型]一种抗单粒子瞬态脉冲反相器加固电路-CN201922171780.7有效
发明人：武唯康;廖春连;常迎辉;李斌;刘长龙;田素雷 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H03K19/0948 文献下载
摘要：其包括第一、第二、第三、第四、第五、第六场效应晶体管，第三、第四场效应晶体管的漏极相连，第一、第二晶体管的源极、漏极分别相连并且源极和第三、第四场效应晶体管的漏极相连，第五场效应晶体管的源极和衬底同时接电源，第五场效应晶体管的漏级和第三场效应晶体管的源极相连，第六场效应晶体管的源极和衬底同时接地，第六场效应晶体管的漏极和第四场效应晶体管的源极相连，第一、第二、第三、第四、第五、第六场效应晶体管的栅极相连。
一种粒子瞬态脉冲反相器加固电路

[实用新型]一种蜂鸣器应用电路及设备-CN201822266330.1有效
发明人：钟添荣;陈小墙;符道永 -专利权人：厦门实锐科技股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G10K9/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种蜂鸣器应用电路及设备，包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、蜂鸣器；第一场效应管的G极用于与MCU相连，第一场效应管的S极与地相连，第一场效应管的D极与第二场效应管的G极相连，第二场效应管的S极与地相连，第二场效应管的D极与第三场效应管的G极相连，第三场效应管的D极与蜂鸣器的第一端相连，第三场效应管的S极用于与电源相连，蜂鸣器的第二端用于与电源相连，第四场效应管的D极与蜂鸣器第一端相连，第三场效应管的S极与地相连，第四场效应管的G极用于与MCU相连。
场效应管蜂鸣器本实用新型电源应用电路外接消耗

[发明专利]一种电压域转换电路及电子设备-CN202310470823.X有效
发明人：陈阳平;庄晓波;龚海波;苏黎明;黄登祥 -专利权人：成都明夷电子科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明公开了本发明提供一种电压域转换电路及电子设备，能够单端输入，单电源供电；减少了版图面积，降低了其在应用环境中的复杂度，并且无电流倒灌现象，该电压域转换电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和输出端；第一场效应管和第二场效应管的源极分别连接第一电源电压，第一场效应管的漏极与第二场效应管的栅极连接，第一场效应管的栅极与第二场效应管的漏极连接；第三场效应管的源极和第四场效应管的栅极分别连接第二电源电压，第三场效应管的漏极与第一场效应管的漏极连接，第三场效应管的栅极分别与第二场效应管的漏极和第四场效应管的漏极连接，第四场效应管的栅极接地。
一种电压转换电路电子设备

[发明专利]用于带隙基准电路的启动电路-CN201810048026.1在审
发明人：何力 -专利权人：四川和芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于带隙基准电路的启动电路，其包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管及第四场效应管，第一场效应管的栅极、源极均与外部电源连接，第一场效应管的漏极与第二场效应管的漏极、第三场效应管的栅极、第四场效应管的栅极共同连接，第二场效应管的栅极与带隙基准电路连接，第三场效应管的漏极与带隙基准电路连接，第三场效应管的源极、第四场效应管的漏极、源极及第二场效应管的源极均接地。
场效应管带隙基准电路启动电路漏极源极源极均接地静态功耗外部电源电阻能耗芯片

[发明专利]权重单元以及存储器装置-CN202010091338.8在审
发明人：莱恩·M·海雀;提塔许·瑞许特;乔治·凯特尔;雷维基·森古普塔;达尔门达·帕勒;洪俊顾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：权重单元包含：第一场效应晶体管和连接到第一场效应晶体管的漏极的第一电阻式存储器元件；第二场效应晶体管和连接到第二场效应晶体管的漏极的第二电阻式存储器元件，第一场效应晶体管的漏极连接到第二场效应晶体管的栅极，且第二场效应晶体管的漏极连接到第一场效应晶体管的栅极；第三场效应晶体管和连接到第三场效应晶体管的漏极的第三电阻式存储器元件；以及第四场效应晶体管和连接到第四场效应晶体管的漏极的第四电阻式存储器元件，第三场效应晶体管的漏极连接到第四场效应晶体管的栅极，且第四场效应晶体管的漏极连接到第三场效应晶体管的栅极。
权重单元以及存储器装置

[发明专利]一种基于Halbach阵列的磁粒子成像扫描仪-CN202210916529.2在审
发明人：贺中华;陈韦旭;陈煦;苏誉壹 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： A61B5/05 文献下载
摘要：该扫描仪由Halbach四极环、Halbach偶极环、激励线圈和接收线圈组成，其中Halbach四极环包括两个嵌套的外四极环和内四极环，Halbach偶极环同样为嵌套设置，包括外偶极环和内偶极环。四极环产生选择场，偶极环产生驱动场，激励线圈产生激励磁场，接收线圈接收成像信号。本发明可通过调整两个四极环的旋转角度来调整选择场的梯度强度，同样可以通过调整两个偶极环的旋转角度来调整驱动场的磁通密度，具有灵活性和可调整性，同时本发明的功耗在于永磁体的四极环、偶极环的机械旋转和对激励线圈的一维低幅度激励
一种基于 halbach 阵列粒子成像扫描仪

[发明专利]终端-CN201811632158.5有效
发明人：蒋权 -专利权人：努比亚技术有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H04R25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种终端，包括：编解码模块、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、电感、听筒；所述编解码模块的听筒信号正极管脚连接至所述第一场效应管和所述第二场效应管的漏极和所述听筒，所述编解码模块的听筒信号负极管脚连接至所述第三场效应管和所述第四场效应管的源极和所述听筒，所述第一场效应管的源极和所述第四场效应管的漏极连接至所述电感的一端，所述第二场效应管的源极与所述第三场效应管的漏极连接至所述电感的另一端，所述编解码模块的四个通用输入输出管脚分别连接所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管的栅极。
终端

[发明专利]含有高阶场成分的离子阱质谱系统-CN201610045742.5有效
发明人：徐福兴;党乾坤;丁航宇;汪源源;周鸣飞;丁传凡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本发明属于质谱分析测试技术领域，具体为含有高阶场成分的离子阱质谱系统。该离子阱质谱系统由四个圆弧截面结构的线形杆状电极组成，通过调节圆弧电极的圆弧半径的大小比例关系，使四极电极系统可以产生以四极场A2为主，并含有部分八极场A4、十二极场A6、十六极场A8、二十极场A10等高阶场成分当四极离子阱质谱系统引入适当的高阶场成分后，可以有效提高离子阱的质量分辨率、离子质谱信号强度及串级质谱分析效率，同时可以有效改善离子阱的低质量数截止值，解决传统离子阱质谱仪在串级质谱过程中低质量数检测的主要难点本发明给出的含有高阶场成分的离子阱质谱系统具有结构简单，加工容易，性能独特等优点。
含有高阶场成分离子谱系

[实用新型]一种新型全桥逆变电路-CN201520117583.6有效
发明人：任灵;吴丽珍;周虎;陈建鹏;孙巍巍;张国荣;杨旭生;鲜龙;雷洋洋;杨新华;兰鸿飞;刘智伟;张士科;李祎;谷双 -专利权人：国网甘肃省电力公司金昌供电公司;兰州理工大学
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：它包括输入端口、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管；输入端口的1端脚连接有第一电感线圈并通过第一电感线圈与第二场效应管的源极连接，第二场效应管的源极与第一电感线圈之间通过第一双向稳压二极管与第二场效应管的栅极连接，第二场效应管的源极通过第二电感线圈同时与第一电容和第四电容连接，第四电容通过第二双向稳压二极管与第一场效应管的栅极连接，第一场效应管的源极通过第三双向稳压二极管与第三场效应管的栅极连接，第三场效应管的漏极通过第四双向稳压二极管与第四场效应管的栅极连接
一种新型全桥逆变电路

[发明专利]正反压保护转轨电路-CN202210208868.5在审
发明人：周旭东 -专利权人：昕原半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种正反压保护转轨电路，包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管以及第四场效应管，其中，第一场效应管的漏极和第三场效应管的漏极连接后与第一输入端相连，第二场效应管的漏极和第四场效应管的漏极连接后与第二输入端相连；第一场效应管的栅极和第三场效应管的栅极连接后与第二输入端相连，第二场效应管的栅极和第四场效应管的栅极连接后与第一输入端相连；第一场效应管的源极与第二场效应管的源极连接后与高电位输出端相连，第三场效应管的源极与第四场效应管的源极连接后与低电位输出端相连
正反保护转轨电路

[发明专利]MOS管驱动式隔离泄放电路-CN201510614315.X有效
发明人：肖立志;刘伟;朱明达;冯硕;廖广志 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：该电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管和场效应管驱动器组；其中，第一场效应管的源极与第二场效应管的源极相连，第一场效应管的栅极与场效应管驱动器组相连，第一场效应管的漏极与接收电路相连；第二场效应管的栅极与场效应管驱动器组相连，第二场效应管的漏极与天线相连；第三场效应管的源极与第四场效应管的源极相连，第三场效应管的栅极与场效应管驱动器组相连，第三场效应管的漏极与发射电路相连；第四场效应管的栅极与场效应管驱动器组相连，第四场效应管的漏极与天线相连。
mos 驱动隔离电路

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