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[发明专利]硅片吸杂方法及太阳电池的制备方法-CN202310600594.9在审
发明人：孙林 -专利权人：通威太阳能（金堂）有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：一种硅片吸杂方法及太阳电池的制备方法，属于光伏技术领域。硅片吸杂方法包括：对已进行多次扩散磷吸杂工艺的扩散炉进行烧管工艺，然后在扩散炉内进行扩散磷吸杂工艺，烧管工艺的最高热处理温度大于扩散磷吸杂工艺的最高热处理温度，和/或，烧管工艺的最高氧气流量大于扩散磷吸杂工艺的最高氧气流量，其能够减少异质结吸杂导致的PL舟印。
硅片方法太阳电池制备

[发明专利]降低传感器暗电流的CCD制作方法-CN201010577462.1无效
发明人：雷仁方;曾武贤 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明提出了一种降低传感器暗电流的CCD制作方法，在形成放大器源漏和连接通孔工艺两个步骤之间插入吸杂工艺，吸杂工艺的处理步骤为：1）利用扩散炉在温度800℃的条件下，氮气处理4小时，氮气流量9L/min；2）利用扩散炉在温度600℃的条件下，氮气处理10小时，氮气流量9L/min；本发明的吸杂工艺更加靠近工艺末端，可有效的除去由前面工艺所引入的重金属离子杂质；相对现有技术中采用外延硅片制作CCD的方法，本发明方法增加了吸杂工艺，进一步地提高了CCD成品的品质；在相同工艺条件下，本发明方法制作出的器件，其暗电流得到了有效降低。
降低传感器电流 ccd 制作方法

[发明专利]一种链式吸杂工艺-CN202310838488.4在审
发明人：任常瑞;张佳舟;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种链式吸杂工艺，本发明的工艺采用多段快速升降温吸杂，使硅片在吸杂过程中经历多次(≥2)快速升降温过程，能在短时间内(≤180s)获得更优的吸杂效果，使其相较于管式吸杂优势更加突出。
一种链式杂工

[发明专利]一种高效异质结太阳能电池及制备方法-CN202111597429.X在审
发明人：任常瑞;张佳舟;绪欣;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效异质结太阳能电池及制备方法，所述制备方法是在常规异质结太阳能电池制备工序前增加一道吸杂工序，所述吸杂工序通过全链式吸杂工艺完成；所述全链式吸杂工艺包括：对硅片进行链式前清洗；在硅片表面链式涂覆吸杂源；对硅片进行链式高温吸杂。
一种高效异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种太阳能电池生产中单晶硅的扩散方法-CN201110171010.8无效
发明人：刘万学;张兵;王德宏;崔学国;刘志坚 -专利权人：吉林庆达新能源电力股份有限公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种能够快速有效的在单晶硅扩散工艺中吸杂的方法。该方法包括扩散工序、干氧吸杂工序，其具体步骤是：扩散工序后的干氧吸杂工序采用先高温后低温的变温通氧吸杂工序，首先在850℃左右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续变温至830度左右通入2000sccm/min干氧500秒完成吸杂过程。本发明解决了现有技术的不足，能够有效去除单晶硅电池因不同厂家工艺生产的单晶硅片中铁沾污，提高单晶硅电池的少子寿命，开路电压、短路电流、填充因子，从而提高单晶硅电池的整体效率和产品的价值。
一种太阳能电池生产单晶硅扩散方法

[发明专利]一种直拉硅片的内吸杂工艺-CN200410053864.6有效
发明人：马向阳;杨德仁;田达晰;宫龙飞;李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明的直拉硅片内吸杂工艺，步骤如下：首先将热处理炉升温到600－800℃之间，利用氮气、氧气或氩气作为保护气，然后将硅单晶片缓缓放入热处理炉，再将热处理炉的温度以1－3℃/分的速度逐渐上升到1100－本发明的直拉硅片内吸杂工艺与集成电路工艺相兼容，与通常的内吸杂工艺和MDZ工艺相比，它的热处理过程相对简单。同时形成的洁净区是真正的无缺陷区。
一种硅片杂工

[发明专利]一种高效异质结太阳能电池及制备方法-CN202011573060.4在审
发明人：任常瑞;张佳舟;绪欣;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效异质结太阳能电池及制备方法，所述制备方法是在常规异质结太阳能电池制备工序前增加一道吸杂工序，所述吸杂工序通过全链式工艺完成；所述全链式工艺包括：对硅片进行链式涂覆吸杂源；及链式高温吸杂本发明的制备方法通过降低N型硅片的金属杂质含量，提高了高效异质结太阳能电池的转换效率；所制备的高效异质结太阳能电池的效率分布更集中，大大提高了产品一致性；降低了电池边缘漏电率，提高了电池良率；全链式吸杂工艺缩短了硅片在制程中的流转时间
一种高效异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]低压扩散低温氧化吸杂工艺-CN201910292047.2在审
发明人：周祥磊;肖文明;陈海钧;李海波;杨健;杨灼坚;陶龙忠 -专利权人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种低压扩散低温氧化吸杂工艺，属于太阳电池吸杂工艺领域，包括包括低温常压进舟、快速低压升温、高温常压稳定、高温低压氧化、4步高温低压通源和推结、长时间降温氧化吸杂、快速常压降温和低温沉积、低温出舟步骤，通过在长时间降温氧化吸杂步骤，控制的氧气流量，使炉管快速降温，并持续较长时间，提高了扩散方阻的均匀性和重复性，优化了表面掺杂浓度和结深，并减少了硅片内部缺陷，提高了太阳电池的转换效率。
吸杂工艺常压低温氧化高温低压扩散吸杂表面掺杂低温沉积快速低压快速降温内部缺陷氧气流量转换效率均匀性硅片方阻结深炉管推结优化

[发明专利]大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺-CN201410004363.2有效
发明人：马向阳;王剑;高超;董鹏;赵剑;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供大直径直拉硅片的一种内吸杂工艺。本发明中的工艺包括如下依次的步骤1）将硅片在惰性气氛下进行高温预处理，包括相继进行的较短时间（0.25～1小时）的高温（1150～1250℃）普通热处理和高温（1200～1250℃）快速热处理；2）在惰性气氛下进行低温普通热处理大直径直拉硅片由于晶体生长的热历史很长，因此往往存在较多的原生氧沉淀（即在晶体生长过程中必然形成的氧沉淀），若内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理，则在硅片体内形成的氧沉淀及其诱生缺陷的密度较低，导致硅片的吸杂能力不理想利用本发明的工艺，可以在硅片体内形成高密度的氧沉淀及其诱生缺陷，并在硅片近表面区域形成洁净区。与内吸杂工艺中的第一步仅仅是高温快速热处理的情形相比，本工艺可以提高硅片的内吸杂能力并有效减少热预算。
径直硅片一种杂工

[发明专利]一种半导体单晶硅片的除杂工艺及制造工艺-CN202110947117.0在审
发明人：王洪武;胡碧波;代冰;周霖;冯帆;黄德智 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体单晶硅片的除杂工艺及半导体单晶硅片的制造工艺，所述除杂工艺包含对硅片进行热处理,在硅片表层厚度不超过20μm范围内形成一层含氧沉淀体微缺陷的吸杂层，所述吸杂层捕获硅片表层及体内的金属杂质并经抛光去除的步骤本发明的半导体单晶硅片的除杂工艺加工后的硅片，可以有效地降低硅片金属污染水平，并且能长时间保持表面金属污染水平的稳定。
一种半导体单晶硅杂工制造工艺

[发明专利]用于制备太阳能电池的硅片吸杂方法及制备太阳能电池的方法-CN202310057230.0在审
发明人：王毅;陈贤刚;汤超;樊佳炜;龚庆 -专利权人：江苏启威星装备科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于制备太阳能电池的硅片吸杂方法及制备太阳能电池的方法，属于太阳能电池制备技术领域。一种用于制备太阳能电池的硅片吸杂方法，所述方法包括：对硅片进行前清洗；对前清洗后的硅片进行吸杂，以去除硅片内部的金属杂质；其中，所述前清洗包括：对硅片进行至少一次清洗；对至少一次清洗后的硅片进行干燥；对干燥后的硅片进行臭氧氧化处理本申请可以解决当前对于硅片的吸杂前清洗处理不利于提高吸杂工序涂布的均匀性的问题，通过更适宜的吸杂前清洗方式，提高吸杂工艺涂布的均匀性、沉积速率以及覆盖度，提升吸杂效果，更有效地改善硅片质量，降低方块电阻
用于制备太阳能电池硅片方法

[发明专利]一种用于太阳电池制造的硅片快速热处理磷扩散吸杂工艺-CN201010133475.X有效
发明人：余学功;李晓强;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳电池制造的硅片磷扩散吸杂工艺，包括以下步骤：将磷源涂布在硅片表面，在保护气氛围下，以50～200℃/s的速率将硅片升温至800～1100℃，保温1～10min，接着降温至500～本发明工艺时间短、成本低廉，而且吸杂效果好。
一种用于太阳电池制造硅片快速热处理扩散杂工

[发明专利]一种利用碳离子注入吸杂的方法-CN201410102294.9在审
发明人：洪齐元;黄海 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用碳离子注入吸杂的方法。包括以下步骤：采用离子注入工艺通过硅片背面裸露层或者硅片背面二氧化硅层注入高能量碳离子，并在硅片的注入层中形成晶体缺陷区；进行退火过程，使晶体缺陷区转变为吸杂区，并捕获所述硅片中的金属离子形成去杂区；采用化学机械研磨方法去除所述去杂区本发明的离子注入吸杂工艺和光电二极管的制造过程兼容性高，可以很容易的加入到现有技术中，且碳离子注入对器件性能没有副作用，离子注入吸杂过程也不容易污染器件；同时通过对离子注入吸杂的工艺参数进行优化和控制，金属离子吸杂效果好，吸杂后的光电二极管性能有了明显好转，暗电流和白像素明显降低，提高CMOS传感器的成像效果。
一种利用离子注入方法

[发明专利]一种可改善P型硅太阳电池电性能的双面扩散方法-CN201310631199.3无效
发明人：李静;邢国强;张斌;夏正月 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池的双面扩散方法，尤其是一种可改善P型硅太阳电池的电性能的双面扩散方法，其具体步骤包括：硅片非受光面磷吸杂、磷硅玻璃去除、硅片受光面磷扩散形成发射极。本发明通过先在硅片非受光面进行磷吸杂再在硅受光面进行磷扩散制作发射极的双面扩散方法，因两个步骤分开进行，使得磷吸杂工艺不会受到制作发射极工艺的制约，实现磷吸杂的吸杂效果以及对硅片表面的钝化效果达到最佳，
一种改善太阳电池性能双面扩散方法

[发明专利]硅衬底制绒及异质结太阳能电池制备方法-CN202310443734.6在审
发明人：霍亭亭;杨广涛;陈达明;白焱辉;李宏伟;孟子博;殷志豪 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本公开实施例中提供硅衬底制绒及异质结太阳能电池制备方法，通过对硅衬底进行双面制绒，并对制绒后的受光面进行吸杂以在受光面表面形成吸杂膜，以该吸杂膜进行保护，对制绒后的受光面进行平滑处理，之后去除吸杂膜。因此，在本实施例中，一方面吸杂工艺有利于降低硅衬底中缺陷态，提高衬底体少子寿命，提升电池的电学性能，另一方面形成起到保护作用的吸杂膜，而无需引入新工艺步骤来形成对受光面的保护膜，节约了工艺步骤，易于实现
衬底异质结太阳能电池制备方法

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