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- [发明专利]开口的形成方法-CN201210253893.1有效
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邓浩
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2012-07-20
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2014-02-12
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H01L21/768
- 一种开口的形成方法，包括，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成含碳介质层，且所述含碳介质层为低k材料或超低k材料；采用沉积的方法在所述含碳介质层上形成硬掩膜层，沉积时所述含碳介质层与硬掩膜层的接触处的碳被损耗；在所述硬掩膜层中形成开口图形，所述开口图形底部露出所述含碳介质层；采用含碳气体束离子轰击所述开口图形的侧壁和底部形成的夹角处，以对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充；对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充后，以所述形成开口图形的硬掩膜层为掩膜，对所述含碳介质层进行刻蚀形成开口。
- 开口形成方法
- [发明专利]双外延层的制造方法-CN201911314068.6有效
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刘厥扬;胡展源
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上海华力集成电路制造有限公司
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2019-12-19
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2022-03-18
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H01L21/8238
- 本发明公开了一种双外延层的制造方法，包括步骤：提供形成有鳍体的硅衬底上形成包括氮化硅的第一硬质掩膜层；光刻定义出第一含硅外延层的形成区域，对第一硬质掩膜层进行刻蚀将第一含硅外延层的形成区域的鳍体顶部表面打开；进行外延生长形成第一含硅外延层，在外延生长过程中，第一硬质掩膜层的氮化硅会产生硅悬挂键；去除第一硬质掩膜层；形成包括氮化硅的第二硬质掩膜层；将第二含硅外延层的形成区域的鳍体的顶部表面的第二硬质掩膜层去除；进行外延生长形成第二含硅外延层；去除第二硬质掩膜层。本发明能防止第一含硅外延层外延生长在第一硬质掩膜层的氮化硅中产生的硅悬挂键在第二含硅外延层的外延生长中产生缺陷，从而能提高产品良率。
- 外延制造方法
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