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[发明专利]前级放大器电路、光接收放大器电路以及光拾取器装置-CN200710091824.4无效
发明人：横山高士 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H03F3/08 文献下载
摘要：本发明的前级放大器电路具有：发射极接地放大电路，使用了连接到光接收元件的发射极接地晶体管；其它的发射极接地放大电路，使用了连接到其它光接收元件的其它发射极接地晶体管；发射极接地切换开关，通过切换，使得上述各个发射极接地晶体管当中其中一个的发射极接地，从而仅使上述各个发射极接地放大电路当中的其中一个工作。
放大器电路接收以及拾取装置

[发明专利]发射极接地电路、以及使用该电路的高频接收设备和高频发送设备-CN200410068594.6无效
发明人：樱井祥嗣 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H03G5/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能装于IC内、并以简单的电路构成能除去镜像的发射极接地电路。由晶体管、第1阻抗电路、第2阻抗电路构成发射极接地电路。晶体管为NPN型，基板成为发射极接地电路的输入端子。发射极通过第2阻抗电路与GND连接而接地，集电极通过第1阻抗电路连接基准电压源，成为发射极接地电路的输出端子。而且，用电感器和电容的并联谐振电路构成第2阻抗电路。
发射极接地电路以及使用高频接收设备发送

[实用新型]一种无源蜂鸣器的控制电路-CN201820444753.5有效
发明人：刘双春;吴剑红;魏肃;柴智;黄志强;刘全喜 -专利权人：厦门芯阳科技股份有限公司
申请日： 2018-03-31 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G10K9/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种无源蜂鸣器的控制电路，电源控制电路包括PNP三极管Q1，发射极与+5V电源连接，基极与单片机连接，集电极与蜂鸣器连接，基极与发射极之间连接有电阻R2，集电极通过电解电容E1接地；频率控制电路包括NPN三极管Q2，发射极接地，集电极与蜂鸣器连接，基极与单片机连接，基极与发射极之间连接有电阻R4，发射极接地。本实用新型提供的无源蜂鸣器的控制电路，通过在三极管的集电极与发射极或者基极与发射极之间并联电阻，使得蜂鸣器在电源极频率的控制上均能实现多档位控制。
蜂鸣器发射极控制电路集电极无源本实用新型单片机连接发射极接地电阻电源控制电路频率控制电路多档位控制蜂鸣器声音并联电阻电解电容接地电源极三极管

[实用新型]制冷设备出风组件、内胆组件以及制冷设备-CN202022881778.1有效
发明人：张玉琢 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： F25D17/04 文献下载
摘要：本公开是关于一种制冷设备出风组件、内胆组件以及制冷设备，包括：风道泡沫，所述风道泡沫形成有至少一个通风孔道；离子发生器，所述离子发生器包括发射极，用于发射离子，其中，所述发射极设置于所述通风孔道内或设置于所述通风孔道的出风口外侧；金属片，所述金属片靠近所述发射极设置；接地线缆，其与所述金属片电连接，使所述金属片接地。离子发生器设置在风道泡沫的通风孔道内或外部，使发射极发射的离子流动到通风孔道外，起到杀菌、除异味的作用；金属片吸附发射极周围产生的静电；金属片与接地线缆连接接地，将吸附在金属片上的静电通过接地线缆导走，减少发射极周围离子聚集，避免发射口静电聚集造成的离子浓度不稳定，提高离子流动性。
制冷设备组件内胆以及

[实用新型]智能电表内置继电器控制驱动电路-CN201720067997.1有效
发明人：赵福元;胡芬芳;薛雷;陈凯 -专利权人：珠海中慧微电子股份有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01H47/32 文献下载
摘要：智能电表内置继电器控制驱动电路，第一三极管的基极接继电器的第一控制引脚，发射极接电源，集电极接继电器的第二控制引脚；第二三极管的基极接继电器的第二控制引脚，发射极接电源，集电极接继电器的第一控制引脚；第三三极管的发射极接地，集电极接继电器的第二控制引脚，基极与MCU的IO接口相连且经第五电阻后接地；第四三极管的发射极接地，集电极接继电器的第一控制引脚，基极与MCU的IO接口相连且经第六电阻后接地；第一双向二极管的1脚接地，2脚接第一三极管的发射极，3脚接继电器的第二控制引脚；第二双向二极管的1脚接地，2脚接第二三极管的发射极，3脚接继电器的第一控制引脚。
智能电表内置继电器控制驱动电路

[发明专利]风扇运转监测装置-CN200710202247.1无效
发明人：谢明志;陈旸元 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：一种风扇运转监测装置，包括七个三极管、一电压源及一警示元件，第一三极管的集电极连接其基极及电压源，发射极连接第二三极管的集电极与基极，基极连接第二三极管的发射极及第三三极管的发射极并接地，第二三极管的基极连接第三三极管的基极，第三三极管的集电极连接第七三极管的基极及第六三极管的集电极，第四三极管的集电极连接其基极及电压源，发射极连接第五三极管的集电极与基极，基极连接第五三极管的发射极及第六三极管的发射极并接地，第五三极管的基极连接第六三极管的基极，第七三极管的发射极接地，集电极连接所述电压源及经所述警示元件接地。
风扇运转监测装置

[实用新型]抗金属电子标签-CN201020157823.2有效
发明人：黎家浩 -专利权人：黎家浩
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种结构简单、使用方便、可靠性高的抗金属电子标签，由芯片和复合有天线的塑料薄膜构成，其特征在于所述天线材料为铝薄膜且由发射极、连接线和接地极构成，连接线连接在发射极与接地极之间，所述芯片也连接在发射极与接地极之间，所述塑料薄膜的内侧与长方体的塑料基板粘贴在一起，其中所述发射极位于塑料基板正面而接地极位于塑料基板的背面。
金属电子标签

[发明专利]一种调节IGBT开通和关断损耗比例的新型结构-CN202111088813.7在审
发明人：陆潇;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种调节IGBT开通和关断损耗比例的新型结构，包括第一接地沟槽、第一门极沟槽、发射极接触、第二门极沟槽及第二接地沟槽；第一接地沟槽和第一门极沟槽之间有第一无源台面，第一无源台面上设有发射极接触；第一门极沟槽和第二门极沟槽之间有源台面，有源台面还设有发射极接触；第二门极沟槽和第二接地沟槽之间设有第二无源台面，第二无源台面上设有发射极接触；在第一无源台面和第二无源台面的发射极接触被分隔成第一P阱和第二P阱，第一P阱和第二P阱之间通过高阻通路联通，第一P阱或第二P阱其中一个的第一侧通过氧化层与发射极金属连接。
一种调节 igbt 开通损耗比例新型结构

[发明专利]光离子化检测器-CN201610073075.1在审
发明人：孙建海;马天军 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：一种光离子化检测器，包括电离室和紫外光灯，电离室中设置发射极和收集极，所述发射极和收集极共轴设置，收集极呈中空柱体且环绕于所述发射极；在电离室中，所述发射极和紫外光灯之间进一步设置接地电极，以屏蔽外部电磁干扰本发明通过三电极结构，其中接地电极主要用来屏蔽驱动电源及环境中的电磁干扰；通过设计收集极与发射极并行结构，极大减少了两者间的距离，从传统结构的2-3mm减少到0.2-1mm，增大了电子一次捕获效率，大幅提高了检测灵敏度
离子化检测器

[实用新型]一种触摸式调光灯电路-CN201720373710.8有效
发明人：张慧敏 -专利权人：常州信息职业技术学院
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种触摸式调光灯电路，包括三极管T1～T5、发光二极管D1～D4以及12V直流稳压电源；三极管T1的基极接触摸开信号，集电极接12V直流稳压电源，集电极同时接三极管T2的集电极、三极管T4的基极，发射极接地；三极管T2的发射极接地，基极接三极管T3的集电极；三极管T3的基极接触摸关信号，发射极接地；三极管T4的发射极接12V直流稳压电源，集电极通过发光二极管D1接地；三极管T5的集电极和三极管T4的发射极之间依次串联发光二极管D2、D3和D4，基极通过可调电阻接三极管T4的集电极，发射极接地。
一种触摸式调光电路

[发明专利]IGBT芯片及半导体功率模块-CN202010248679.1有效
发明人：左义忠 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供了IGBT芯片及半导体功率模块，IGBT芯片上设置有：工作区域、电流检测区域和接地区域；在第一表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元，工作区域的第一发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元，第三发射极单元与第一发射极单元连接，公共栅极单元与第一发射极单元和第二发射极单元之间通过刻蚀方式进行隔开；在第二表面上设有工作区域和电流检测区域的公共集电极单元；电流检测区域和接地区域分别用于与检测电阻连接
igbt 芯片半导体功率模块

[实用新型]功率PMOS管驱动电路及用于三相电机的驱动电路-CN201922355377.X有效
发明人：潘军;胥锐;郭灿;冉建桥;王敬 -专利权人：重庆中科芯亿达电子有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H02P25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了功率PMOS管驱动电路及用于三相电机的驱动电路，包括：电阻R1、R2、R3、R4，NPN型三极管T1、T2、T4、T5，PNP型三极管T3，二极管D1、D2；T1基极通过R1连接到输入端，发射极接地，集电极连接到T3的基极；R2一端连接到T1基极，一端接地；T3的发射极连接到T5集电极，集电极连接到T5基极；T5发射极接地，基极通过R4接地；T2集电极连接到VCC，基极通过R3连接到VCC，发射极连接到T4基极；D1正极连接到T2基极，负极连接到T3基极；D2正极连接到T2发射极，负极连接到T3基极；T4集电极连接到VCC，发射极与T3的发射极连接并作为输出端。
功率 pmos 驱动电路用于三相电机

[实用新型]一种精确控制LED电流的电路-CN202220289925.2有效
发明人：张成赞 -专利权人：西安兆格电子信息技术有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：一种精确控制LED电流的电路，Q1的基极B经由R1连接于CTRL_LED，发射极E接地，且发射极E和基极B之间串联R2，集电极C经由R3连接于Q2的基极B；Q2的发射极E连接于输入电压VIN，集电极C经由R4连接于Q3的集电极C；Q3的发射极E经由R5接地，基极B连接于Q4的基极B，且Q3的集电极C和基极B之间串联；Q4的集电极C经由LED1连接于PWR‑LED，发射极E经由R6接地。
一种精确控制 led 电流电路

[发明专利]一种高压驱动集成电路及智能功率模块-CN202010942322.3在审
发明人：冯锴雄;杨忠添 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense‑LIGBT晶体管，LIGBT晶体管的基极和Sense‑LIGBT晶体管的基极均与HVIC芯片相连，LIGBT晶体管的集电极与高压输入端连接，LIGBT晶体管的发射极与Sense‑LIGBT晶体管的集电极连接，Sense‑LIGBT晶体管的发射极包括主发射极和次发射极，主发射极与接地端连接；一电流采样单元，电流采样单元包括至少两个采样电阻，采样电阻一端分别与Sense‑LIGBT晶体管的次发射极和HVIC芯片连接，另一端连接于接地端。
一种高压驱动集成电路智能功率模块

[实用新型]一种高压驱动集成电路及智能功率模块-CN202021959438.X有效
发明人：冯锴雄;杨忠添 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：每组逆变模块包括一LIGBT晶体管和一Sense‑LIGBT晶体管，LIGBT晶体管的基极和Sense‑LIGBT晶体管的基极均与HVIC芯片相连，LIGBT晶体管的集电极与高压输入端连接，LIGBT晶体管的发射极与Sense‑LIGBT晶体管的集电极连接，Sense‑LIGBT晶体管的发射极包括主发射极和次发射极，主发射极与接地端连接；一电流采样单元，电流采样单元包括至少两个采样电阻，采样电阻一端分别与Sense‑LIGBT晶体管的次发射极和HVIC芯片连接，另一端连接于接地端。
一种高压驱动集成电路智能功率模块

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