“发光外延层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2868373个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体发光芯片级封装-CN201510416589.8在审
发明人：彭晖;眭世荣;黄映仪 -专利权人：佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明的半导体发光芯片级封装，包括，至少一个半导体发光外延层和覆盖物。其中，半导体发光外延层包括第一外延层、发光层和第二外延层，使得半导体发光外延层在通电后发光。覆盖物覆盖在半导体发光外延层的第一外延层上，并且覆盖半导体发光外延层的四个侧面。第一金属电极形成在第一外延层上，第二金属电极形成在第二外延层上。第一金属电极与第二金属电极在同一面上。
半导体发光芯片级封装

[实用新型]半导体发光芯片级封装-CN201520513632.8有效
发明人：彭晖;眭世荣;黄映仪 -专利权人：佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心;彭晖
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型的半导体发光芯片级封装，包括，至少一个半导体发光外延层和覆盖物。其中，半导体发光外延层包括第一外延层、发光层和第二外延层，使得半导体发光外延层在通电后发光。覆盖物覆盖在半导体发光外延层的第一外延层上，并且覆盖半导体发光外延层的四个侧面。第一金属电极形成在第一外延层上，第二金属电极形成在第二外延层上。第一金属电极与第二金属电极在同一面上。
半导体发光芯片级封装

[发明专利]发光面板及其制作方法-CN202310734148.7有效
发明人：陈良键;张羽;岳大川;蔡世星;林立;李小磊;伍德民 -专利权人：季华实验室;深圳市奥视微科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光面板及其制作方法，能够释放GaN外延层应力，降低外延层翘曲度，提升发光效率。该发光面板包括衬底、N型GaN外延层、发光外延层、第一楔形结构、第二楔形结构、P电极和N电极；所述N型GaN外延层和所述发光外延层形成于所述衬底上，所述第一楔形结构贯穿所述发光外延层和所述N型GaN外延层，所述第二楔形结构贯穿所述发光外延层和部分所述N型GaN外延层；所述P电极位于所述发光外延层上，所述N电极覆盖所述第一楔形结构和所述第二楔形结构。
发光面板及其制作方法

[发明专利]一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法-CN201210100853.3无效
发明人：黄少华;曾晓强;吴志强 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法，包括步骤：提供一临时衬底，在其上外延生长氮化镓基发光外延层，并且所述氮化镓基发光外延层自下而上包括：n型层，发光层和p型层；在所述发光外延层上定义绝缘区，利用离子注入法将所述绝缘区的发光外延层钝化绝缘；在所述发光外延层上依次形成金属反射镜、金属键合层；提供一导电衬底，将其与临时衬底上的发光外延层键合；移除所述临时衬底，露出一发光外延层的表面；在所述露出的发光外延层表面上定义切割道，所述切割道位于绝缘区内，利用激光划片沿所述切割道将发光外延层分割为一系列单元，从导电衬底的背面劈裂形成芯粒。
一种垂直结构氮化发光元件制作方法

[发明专利]半导体发光器件及其制备方法-CN202180089877.0在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体发光器件及半导体发光器件的制备方法。该半导体发光器件，具有红光子像素区、绿光子像素区以及蓝光子像素区，包括：衬底在衬底上外延生长的蓝光外延层、以及在蓝光外延层上的绿光子像素区和红光子像素区继续生长的绿光外延层和红光外延层，所述的绿光外延层和所述红光外延层间隔地分布在所述蓝光外延层上半导体发光器件将相互独立的发光区结构，通过外延生长叠合在一个衬底上，蓝光外延层发射的蓝光，不仅从蓝光子像素区发出，而且投射到上层的红光外延层和绿光外延层，因此上层的红光外延层和绿光外延层不仅可以电致发光而且可以接受下层投射来的蓝光进行光致发光，大大增加了发光效率和亮度。
半导体发光器件及其制备方法

[发明专利]一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构-CN201410551438.9有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本发明可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
一种衬底重复利用大功率发光二极管外延结构

[发明专利]LED芯片及其制备方法-CN201310153799.3无效
发明人：于洪波;于婷婷;朱学亮;汪洋 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明揭示了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：第一类型外延层；发光外延层，设置于所述第一类型外延层的一侧；第二类型外延层，设置于所述发光外延层背离所述第一类型外延层一侧；沟槽，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层一侧，所述沟槽贯穿所述第二类型外延层以及发光外延层；第一电极，与所述第一类型外延层电相连，用于向所述第一类型外延层提供电压；第二电极，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层一侧，并覆盖所述沟槽。本发明所提供的LED芯片提高了电流的有效注入，减少了第二类型外延层以及发光外延层对光的吸收，从而提高了LED芯片的发光效率。
led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种半导体超薄外延结构-CN201910643472.1有效
发明人：游正璋;马后永;李起鸣 -专利权人：上海显耀显示科技有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体超薄外延结构，包括：位于衬底上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层上的应力调节层；位于多周期应力调节层上的发光层；位于发光层上的第二导电类型外延层。利用应力调节层来调节第一导电类型外延层中由于生长产生的应力，减小应力对发光层的影响，提高发光层发光效率。进一步的，在应力调节层顶部生长第一导电类型位错微调层，来控制进入发光层的位错浓度，提高发光层的发光效率。由于外延结构非常薄，在制备器件的过程中，刻蚀后外延结构的侧壁倾斜度很小，近似垂直，由于刻蚀后的外延结构顶部和底部的面积相近，使得芯片上单位面积的外延台阶数量有效增加，提高了芯片集成度，提高了器件单位面积的发光效率
一种半导体超薄外延结构

[实用新型]微发光元件和显示装置-CN202122784582.5有效
发明人：刘同凯;徐宸科 -专利权人：厦门市芯颖显示科技有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种微发光元件和显示装置，微发光元件包括第一外延层、第二外延层和第三外延层，第一外延层、第二外延层和第三外延层均包括第一半导体层、第二半导体层以及设置在两者之间的有源层；第一外延层、第二外延层和第三外延层自下而上依次堆叠并形成叠层结构，且在垂向投影上的投影面积递减；第一外延层、第二外延层和第三外延层中的第一半导体层通过第一极性金属层连接，第二半导体层上分别设置有一个第二极性金属层。本申请减小了微发光元件的尺寸，并有效提高微发光元件的亮度，以及显示装置的分辨率，其中，第一外延层提供红光辐射，且具有最大尺寸，在微发光元件具有较小尺寸下，可提高第一外延层的发光亮度。
发光元件显示装置

[发明专利]一种多彩微型发光二极管及显示装置-CN202310571781.9在审
发明人：王彦钦;陈劲华;郭桓卲;彭钰仁 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种多彩微型发光二极管及显示装置。所述多彩微型发光二极管包括：基底；位于所述基底上的下部电极层；层叠于所述下部电极层上的若干发光外延结构；若干所述发光外延结构为红光外延结构、绿光外延结构、蓝光外延结构中的至少一种；若干透明导电层，每一发光外延结构上均层叠有所述透明导电层，且所述透明导电层与所述发光外延结构电连接；键合于相邻所述发光外延结构之间的若干连接层；位于至少一所述透明导电层上的上部电极层。通过上述层叠发光外延结构的方式实现多彩显示，不仅能够简化工艺过程、降低转移难度，还能增强亮度的同时提高多彩发光性能。
一种多彩微型发光二极管显示装置

[发明专利]一种微显示芯片及其制备方法-CN202310716447.8有效
发明人：何雪梅;王世栋;龚金国 -专利权人：盐城鸿石智能科技有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种微显示芯片及其制备方法，微显示芯片包括基板，基板表面设有若干发光单元，发光单元包括金属层，金属层上方设有外延层，金属层和外延层表面覆盖钝化层，外延层与的钝化层相连的表面呈球面状，钝化层表面覆盖反光层，钝化层和反光层高度低于外延层，反光层表面覆盖N电极层，N电极层顶部对应外延层处开设有透光孔，发光单元之间设有阻隔单元，阻隔单元包括阻隔层，阻隔层表面覆盖反射层。本发明直接将发光单元外延层刻蚀成微透镜形式，通过调节外延层表面弧度使外延层产生的光部分全反射到外延层内部，将发射光进行准直和会聚，同时发光单元之间设置阻隔结构及反射层，提升了发光光效，减小了串光干扰。
一种显示芯片及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201610413139.8有效
发明人：蒙成;卢怡安;吴俊毅;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，该发光二极管包括发光外延叠层，上表面划分为欧姆接触区和非欧姆接触区；欧姆接触层，位于发光外延叠层的欧姆接触区之上；扩展电极，形成于欧姆接触层上，并至少部分向欧姆接触层的边沿延伸至发光外延叠层的非欧姆接触区，接触发光外延叠层的上表面；透明绝缘层，覆盖扩展电极及裸露着的欧姆接触层和发光外延叠层上表面，具有电流通道，其与扩展电极连接，在发光外延叠层的投影位于非欧姆接触区；焊线电极，位于透明绝缘层之上，通过电流通道与扩展电极导通，在发光外延叠层的投影位于非欧姆接触区；当注入电流时，迅速沿焊线电极下方的电流通道向发光外延叠层的欧姆接触区流通，避免焊线电极下方有源层灌入电流发光。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]GaN基发光二极管外延结构及其制备方法-CN201910802595.5在审
发明人：游正璋;卢国军 -专利权人：映瑞光电科技(上海)有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，位于发光层上，电子阻挡层包括位于发光层上的GaN层和依次叠设于GaN层上的第一至第三层InAlGaN层，其中，GaN层和第三层InAlGaN层未掺杂，第一层InAlGaN层具有P型掺杂，第二层InAlGaN层具有硅掺杂；及P型外延层，位于电子阻挡层上。上述发光二极管外延结构，其通过设置具有多层结构的电子阻挡层，能够有效阻挡电子的迁移，还能为发光层输送更多的空穴，使得更多的电子和空穴在发光层复合发光，从而提升发光二极管的发光效率。
发光层电子阻挡层空穴外延结构第三层衬底发光二极管外延结构发光二极管多层结构发光效率复合发光第一层硅掺杂未掺杂叠设制备迁移阻挡申请

[发明专利]一种超薄LED芯片-CN201910643455.8有效
发明人：游正璋;马后永;李起鸣 -专利权人：上海显耀显示科技有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种超薄LED芯片，采用了半导体超薄外延结构，利用应力调节层来调节第一导电类型外延层中由于生长产生的应力，减小应力对发光层的影响，提高发光层发光效率。进一步的，在应力调节层顶部生长第一导电类型位错微调层，来控制进入发光层的位错浓度，提高发光层的发光效率。由于外延结构非常薄，在制备器件的过程中，对外延结构的刻蚀并不会造成外延结构的侧壁倾斜度很大，近似垂直，由于刻蚀后的外延结构顶部和底部的面积相近，与传统发光外延芯片相比，本发明的外延结构所在芯片的单位面积的数量有效增加，提高了芯片集成度，提高了器件单位面积的发光效率。
一种超薄 led 芯片

[发明专利]发光二极管器件及其制备方法、显示装置-CN202310827281.7在审
发明人：秦凯 -专利权人：上海步哒科技合伙企业（有限合伙）
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本申请涉及一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置，包括：衬底；第一发光外延层，包括设于衬底表面的第一蓝光外延层以及设于第一蓝光外延层上表面的转换层，转换层用于将从第一蓝光外延层接收到的蓝光转换为红光；第二发光外延层，设于第一发光外延层的上表面，第二发光外延层用于发射除红光以外的其他至少一种颜色的光，所述上表面为远离衬底的一侧表面。通过第一蓝光外延层发出的蓝光来激发转换层发射红光，能够大大提升所得到的红光的亮度，进而提高器件的发光亮度和效率，并将用于发射其他至少一种颜色光的第二发光外延层与第一发光外延层进行垂直堆叠以实现多色显示，
发光二极管器件及其制备方法显示装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条