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[发明专利]占空比校正电路及方法、晶振电路、电子设备-CN202111610187.3在审
发明人：阳怡伟;陈春平 -专利权人：珠海市杰理科技股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H03K5/156 文献下载
摘要：本发明提供了一种占空比校正电路及方法、晶振电路、电子设备，该占空比校正电路包括反相器链、第三反相器和反馈控制模块；反相器链包括反相器组，反相器组包括第一反相器、第二反相器、第一调节电路、第二调节电路，第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端，第一调节电路连接第一反相器和反馈控制模块，第二调节电路连接第二反相器和反馈控制模块；第三反相器用于向反馈控制模块输出反相器链的输出信号的反相信号，反馈控制模块用于根据反相器链的输出信号输出第二电压信号以及根据第三反相器的输出信号输出第一电压信号
校正电路方法电子设备

[发明专利]锁定装置-CN98108025.1无效
发明人：小路易吉·特恩西洛;克里斯托弗·依玛特鲁多 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 1998-04-28 - 公布日： 1999-11-03 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：一种锁定装置,在一反馈反相器中原有的一P沟道晶体管及一N沟道晶体管之外,还加入一串联的P沟道晶体管及一串联的N沟道晶体管,得到一小的反馈反相器输入电容,降低反馈反相器对一驱动反相器输出的负载,同时维持反馈反相器的低输出强度
锁定装置

[发明专利]一种静态随机存储单元-CN201210349555.8在审
发明人：郭奥 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种静态随机存储单元，包括第一反相器，第二反相器，第一反馈电阻，第二反馈电阻，第一反馈晶体管以及第二反馈晶体管，第一反馈电阻与第一反馈晶体管并联耦接第一反相器的输出端与第二反相器的输入端，第二反馈电阻与第二反馈晶体管并联耦接第一反相器的输入端与第二反相器的输出端
一种静态随机存储单元

[发明专利]一种钳位反相器PUF的电路、电子装置及实现方法-CN201810418940.0有效
发明人：曹元;葛惟唯 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G06F21/87 文献下载
摘要：本发明公开了一种钳位反相器PUF的电路、电子装置及实现方法，包括顺次串联的线性反馈移位寄存器、PUF核及输出增强校验装置，PUF核包括顺次连接的第一级反相器组、第二级反相器组及第三级反相器组，第一级反相器组及第二级反相器组均包括M个并联的反相器块，反相器块均包括2个多路选择器和2N个反相器，第三级反相器组包括若干并联的反相器，输出增强校验装置包括并联设置的输出级及第四级，输出级包括两个并联的反相器，反相器连接异或门，第四级包括一个反相器，线性反馈移位寄存器是2*M*N位线性反馈移位寄存器。本发明通过利用制造工艺的差别导致的每个反相器都有不同的电压跳变点Vtrip，产生的非线性依赖的响应很难被模拟，从而增强了Strong‑PUF稳定性。
一种钳位反相器 puf 电路电子装置实现方法

[发明专利]一种迟滞电压数字可调斯密特触发器-CN201310287534.2无效
发明人：李小进;张刚 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明公开了一种迟滞电压数字可调斯密特触发器，包括：第一反相器；第二反相器，其与第一反相器串联连接；第一反馈晶体管，其与第二反相器连接；第一控制单元，其与第一反馈晶体管和第二反相器连接；第二反馈晶体管，其与第二反相器的输出端连接；及第二控制单元，其与第二反馈晶体管和第二反相器连接。本发明迟滞电压数字可调斯密特触发器的电路简单，不易受调节电压影响迟滞电压的精度。
一种迟滞电压数字可调斯密特触发器

[发明专利]一种防止I/O电路不确定态的上电检测电路-CN201510514279.X有效
发明人：张瑞波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种防止I/O电路不确定态的上电检测电路，包含输入阻抗、多级反相器和至少一个反馈反相器，多级反相器的数目≥3，反馈反相器由共漏极和共栅极的一个PMOS场效应管和一个NMOS场效应管构成；该共漏极与第二级至N‑1级反相器中的某一级输出端相连(例如，M级)，该共栅极与M+1级反相器的输出端相连；其中，反馈反相器中的PMOS和NMOS场效应管的尺寸电特性大于该某一反相器的尺寸电特性。因此，本发明通过反相器与反馈反相器电路的配合，能有效消除上电检测电路中因主电源VCC和I/O电源VCCIO数值变化给整个电路带来的影响，使得整个电路信号维持在一个稳定状态，避免了整个电路因信号不稳定所产生的输出结果不准确问题
一种防止电路不确定检测

[发明专利]压电致动器驱动电路-CN201680061545.0有效
发明人：远藤康之;今西敏雄;松野齐 -专利权人：新日本无线株式会社;株式会社村田制作所
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明的压电致动器驱动电路具备：积分电路；反相器INV1；反相器INV2、INV3，使反相器INV1的输出信号反相；感测电阻Rs1、Rs2，连接于反相器INV2、INV3的输出侧；正侧反馈电阻Rfb2，使反相器INV2、INV3的输出信号正反馈至积分电路；以及负侧反馈电阻Rfb1，使在感测电阻Rs1、Rs2(电阻值为Rs1＜Rs2)产生的电压负反馈至积分电路。在启动状态下选择感测电阻Rs2和反相器INV3，在启动后的稳定状态下选择感测电阻Rs1和反相器INV2。
反相器感测电阻积分电路压电致动器驱动电路反馈电阻输出信号反相电压负反馈启动状态输出信号正反馈电阻负侧输出

[发明专利]一种晶体振荡器-CN02136563.6无效
发明人：范兴军 -专利权人：上海创熙商贸有限公司
申请日： 2002-08-19 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H03B5/36 文献下载
摘要：一种晶体振荡器，包括用作放大元件的逻辑反相器、晶体振荡器、反馈电阻、栅极电容器、源极电容器和三态逻辑反相器缓冲器，其特征在于：所述的三态逻辑反相器缓冲器正向并联连接到所述的逻辑反相器，所述的反馈电阻并联连接到所述的晶体振荡器，所述的逻辑反相器并联连接到所述反馈电阻，所述的栅极电容器和源极电容器分别连接到所述逻辑反相器的栅极和源极。所述的逻辑反相器仅在振荡起动的过程中导通工作一段固定的时间，使得振荡器仅按照逻辑反相器的增益持续振荡运行。因此，可以降低功耗。
一种晶体振荡器

[发明专利]具有存储节点恢复功能的三冗余锁存器-CN200510007032.5无效
发明人： M·卡巴纳斯－霍尔门;D·W·克吕格尔;J·P·罗茨 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H03K19/173 文献下载
摘要：在优选实施例中，本发明提供了一种用于具有存储节点恢复功能的更小更快的三冗余锁存器的电路和方法。输入驱动器连接到三个传输门的输入。每个传输门的输出连接到三个反馈反相器之一的单独输出。这三个反馈反相器的输入连接到前向反相器/主多数表决器的输出。这三个反馈反相器中每一个反相器的输出作为该前向反相器/多数表决器的输入。该前向反相器/多数表决器的输出连接到输出驱动器的输入。输出驱动器的输出是三冗余锁存器的输出。
具有存储节点恢复功能冗余锁存器

[实用新型]一种上电复位电路-CN201320183889.2有效
发明人：金湘亮;彭伟娣 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2013-04-13 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种上电复位电路，包括脉冲产生模块、延时整形模块和正反馈模块，所述脉冲产生模块通过低电源上电和反相器翻转产生脉冲信号，所述整形延时模块通过级联反相器整形和电容延时，所述正反馈模块通过复位信号自身反馈加强复位动作的稳定性本实用新型设有第一反相器，第一NMOS管的漏极电压达到第一反相器的翻转电平，则第一反相器进行翻转，第一PMOS管的栅极电压从低电平变成高电平，从而第一PMOS管变成截止状态，第一PMOS管的漏极电压从高转为低，并通过第二反相器、第五反相器、第六反相器输出复位信号，通过调节第一反相器的翻转电压就可以设置复位电路的起拉电压，电路中电容的大小可以设置复位电路的复位时间。
一种复位电路

[发明专利]一种抗单粒子翻转的锁存器及数据触发器-CN202010016900.0有效
发明人：温亮;孟春宁;李伟春;朱连利;刘玉;莫微 -专利权人：中国人民武装警察部队海警学院
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子翻转的锁存器和数据触发器，锁存器包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一传输门、第二传输门、第一正反馈环、第二正反馈环和第一双输入反相器，第一正反馈环包括第一存储节点、第二存储节点、第一三输入反相器和第一时控反相器，第二正反馈环包括第三存储节点、第四存储节点、第二三输入反相器和第二时控反相器，数据触发器包括主锁存器和从锁存器；优点是任何一个存储节点发生单粒子翻转事件时，待事件结束后可以恢复原来存储的数据
一种粒子翻转锁存器数据触发器

[发明专利]一种提供任意频率及占空比的时钟发生电路与芯片-CN201910963990.1在审
发明人：邹鹏良;唐成伟;张波;田世甦;吴忠洁 -专利权人：上海灵动微电子股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H03K3/023 文献下载
摘要：本发明提供了一种提供任意频率及占空比的时钟发生电路与芯片，其方法包括：比较器、第一反相器和第二反相器；用于提供高电平或低电平的基准电压源；用于控制占空比和频率的充放电模块；比较器的第一输入端与基准电压源连接，比较器的第二输入端与充放电模块连接；比较器的输出端与第一反相器的输入端连接，第一反相器的输出端与第二反相器的输入端连接；第一反相器的输出端输出控制反馈信号，并传递控制反馈信号至基准电压源；第二反相器的输出端输出充放电反馈信号，并传递充放电反馈信号至充放电模块。
反相器反馈信号比较器输出端充放电模块基准电压源输入端连接充放电输入端占空比时钟发生电路时钟信号输出可调占空比传递控制传统时钟电路设计可调频率输出控制有效解决低电平高电平功耗芯片输出传递

[实用新型]一种提供任意频率及占空比的时钟发生电路与芯片-CN201921696308.9有效
发明人：邹鹏良;唐成伟;张波;田世甦;吴忠洁 -专利权人：上海灵动微电子股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H03K3/023 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种提供任意频率及占空比的时钟发生电路与芯片，其方法包括：比较器、第一反相器和第二反相器；用于提供高电平或低电平的基准电压源；用于控制占空比和频率的充放电模块；比较器的第一输入端与基准电压源连接，比较器的第二输入端与充放电模块连接；比较器的输出端与第一反相器的输入端连接，第一反相器的输出端与第二反相器的输入端连接；第一反相器的输出端输出控制反馈信号，并传递控制反馈信号至基准电压源；第二反相器的输出端输出充放电反馈信号，并传递充放电反馈信号至充放电模块。
一种提供任意频率时钟发生电路芯片

[发明专利]SRAM存储单元电路-CN202110518201.0在审
发明人：何卫锋;张灏;孙亚男;毛志刚 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明公开了一种SRAM存储单元电路，包括第一反相器以及第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器构成一负反馈电路以降低漏电流。本发明的电路中第一PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管构成的第一反相器，相比于传统的反相器，第三PMOS管和第三NMOS管能够在确保反相功能的前提下将漏电路径置于深度截止的状态，从而将漏电流降低两到三个数量级类似的，第二PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管和第四NMOS管构成的第二反相器，相比于传统反相器具有更低的静态功耗。第一反相器和第二反相器形成反馈结构，可以存储相反的数据，并显著降低整体存储单元的静态功耗。
sram 存储单元电路

[发明专利]用于校正低附加噪声差分信号的占空比和相位误差的电路-CN202211252900.6在审
发明人：埃里克·奥列曼;马克·斯托普曼;赫尔穆特·克兰纳本特 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H04B17/11 文献下载
摘要：电路包括差分信号反相器电路，包括第一反相器电路和第二反相器电路，分别具有各自的反相器和相应的第一晶体管装置和第二晶体管装置，分别耦合在各自的反相器与第一电压和第二电压之间。电路还包括反馈电路，耦合到相应的第一反相器电路和第二反相器电路的相应输出端口并且还耦合到相应晶体管装置的各自的反馈输入端口。反馈电路用于提供一个或多个反馈信号，从而使得晶体管装置中的一个或多个晶体管装置执行电流限制。基于电流限制，输出信号的相应占空比分别相等或基本上相等。
用于校正附加噪声信号相位误差电路

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