|
钻瓜专利网为您找到相关结果 2674788个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]气体反应腔室-CN202310222577.6在审
-
请求不公布姓名
-
芯视界(北京)科技有限公司
-
2023-03-09
-
2023-06-06
-
G01N21/03
- 本发明提供一种气体反应腔室,采用本发明的气体反应腔室,能够改变反应部在流体中的相对位置,以此提高气体比色反应的反应程度,进而提高检测信号强度。所述气体反应腔室具有进气口、出气口以及反应室,所述反应室用于收纳测试膜,所述测试膜包括:基底面;以及多个凸起结构,所述多个凸起结构自所述基底面凸起,在所述多个凸起结构的顶面上设有用于与气体进行反应的反应部,其中,所述气体由所述进气口进入所述反应室,沿所述基底面的设有所述多个凸起结构的一侧流向所述出气口。
- 气体反应
- [实用新型]一种电解设备-CN201620706177.8有效
-
高惠欣;李志强
-
南安市泉建机械科技有限公司
-
2016-07-06
-
2016-11-30
-
C25F7/00
- 本实用新型公开了一种电解设备包括阳极气体导通管、阴阳极通电器、阴极气体导通管、阴极气体储藏室、阴极气体取出管、机械底座、阴极反应发生室、填料口、阳极反应发生室、阳极气体取出管、阳极气体储藏室;所述机械底座上设有阴极气体储藏室,所述机械底座上设有阴极反应发生室,所述机械底座上设有阴极反应发生室和阳极反应发生室,所述阳极反应发生室与阴极反应发生室相连,所述填料口设在阳极反应发生室与阴极反应发生室之间,所述阴极气体导通管将阴极反应发生室与阴极气体储藏室相连,所述阴阳极气体储藏室上设有阴极气体取出管,所述阳极气体导通管将阳极反应发生室与阳极气体储藏室相连。
- 一种电解设备
- [实用新型]反应室中设有气体均匀装置的甲醛反应器-CN200820301677.9有效
-
谭文斌
-
谭文斌
-
2008-08-01
-
2009-05-27
-
C07C47/04
- 本实用新型涉及一种反应室中设有气体均匀装置的甲醛反应器,它与现有的反应器相同也包括罐体,罐体内部设有反应室和热交换室,反应室与热交换室之间由管板隔离,反应室的侧壁上开设有反应气体入口,所不同的是,所述反应室内设有气体均匀装置,所述气体均匀装置包括一个沿反应室的侧壁、底部低于反应气体入口,且与反应气体入口导通的上端敞口的环状混气槽。由于在反应气体入口处设有气体均匀装置,反应气体从入口进入反应腔的初始,会沿着回转面回转并上升,然后再从回转面上端的开口下降进入反应腔中开始反应。在反应气体回转、上升和下降的过程中,反应气体被逐步混合均匀,从而使反应均匀稳定,反应的转化率高,且反应速度也容易控制。
- 反应设有气体均匀装置甲醛反应器
- [发明专利]一种半导体生产设备及其控制方法及装置-CN202211280013.X在审
-
余样楠
-
长鑫存储技术有限公司
-
2022-10-19
-
2023-01-17
-
C23C14/48
- 本申请公开了一种半导体生产设备及其控制方法及装置,用以通过大流量气体清洗高温下的反应腔室,从而达到清洁反应腔室内部器件表面的效果,提高半导体产品良率。本申请提供的半导体生产设备,包括反应腔室,所述设备还包括:与所述反应腔室相连的气体输入装置,以及与所述反应腔室相连的气体输出装置;其中,所述气体输入装置用于向所述反应腔室输入气体;所述气体输出装置用于将所述反应腔室内的气体排出;半导体生产控制装置,用于在多个半导体产品的加工间隙,控制所述反应腔室达到预设温度,并持续预设时长,然后控制所述气体输入装置向所述反应腔室输入气体,以及控制所述气体输出装置将所述反应腔室内的气体排出。
- 一种半导体生产设备及其控制方法装置
- [发明专利]气体产生器-CN201710123059.3有效
-
林信涌
-
林信涌
-
2017-03-03
-
2021-04-13
-
C25B1/044
- 本发明提供一种气体产生器,包含电解槽、混合反应室以及雾化室。电解槽用以电解容置其内的含有电解质的电解水而产生氢氧混合气体。混合反应室连接于电解槽,用以接收氢氧混合气体及雾化气体并混合形成保健气体。雾化室连接混合反应室,用以产生雾化气体后送至混合反应室。其中,混合反应室的最大孔径小于雾化室的最大孔径。本发明气体产生器藉由缩小混合反应室容量及装设防静电装置,以降低气体产生器内气爆的可能性。
- 气体产生器
- [发明专利]薄膜沉积过程-CN202110835864.5在审
-
井上尚树
-
ASMIP私人控股有限公司
-
2021-07-23
-
2022-01-28
-
C23C16/455
- 该过程是一种通过原子层沉积(ALD)在室中的衬底上沉积薄膜的过程,其包括重复沉积循环以在衬底上沉积薄膜。沉积循环包括以下步骤:将反应气体和载气供给到室,并将浓度降低的源气体供给到室,以允许源气体吸附在衬底上;将反应气体和源气体供给到室,以允许源气体吸附在衬底上;将反应气体和载气供给到室,以从室中吹扫未吸附在衬底上的源气体;向室施加RF功率,以将反应气体转变成等离子体,使得允许由等离子体激活的源气体与衬底的表面接触;以及将反应气体和载气供给到室,以从室中吹扫未反应的源气体和反应气体。
- 薄膜沉积过程
|