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[发明专利]一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法-CN201610011797.4有效
发明人：封伟;岳玉琛;冯奕钰 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法，采用化学气相沉积法和双温区管式炉，以Si/SiO2为基板，采用MoO3作为钼源，硫粉作为硫源，硒粒作为硒源，得到面积为1000‑1200平方微米的单层硒掺杂二硫化钼薄膜材料将基片置于盛有钼源的瓷舟之上，将瓷舟置于双温区管式炉的下温区；将盛有硫源和硒源的瓷舟置于双温区管式炉上温区，其中硫源和硒源的质量SSe为0.25‑41，并将双温区管式炉封装起来。
一种大面积掺杂二硫化钼薄膜材料制备方法

[发明专利]一种大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜材料的制备方法-CN201810944786.0在审
发明人：封伟;岳玉琛;冯奕钰 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-19 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜材料的制备方法，制备过程如下：将Al₂O₃基板置于盛有钨源的石英舟之上，并将该石英舟置于双温区管式炉的高温区；将盛有硫源和硒源的石英舟置于双温区管式炉低温区，其中硫源和硒源的质量比S:Se为0.25‑4，并将双温区管式炉封装起来；在氩气气氛下使反应腔室的压强为常压，设置双温区管式炉中低温区的加热速率为7‑8℃/min，30‑40min后升至反应温度240‑280℃，并维持这个反应温度15‑20min；设置双温区管式炉中高温区的加热速率为20‑22.5℃/min，40‑50min后升至反应温度900‑1000℃，并维持这个反应温度5‑10min；等反应结束后自然降至室温
双温区管式炉石英舟薄膜材料二硫化钨单层硫源硒源加热制备掺杂分区压强反应腔室制备过程中低温区氩气气氛低温区高温区质量比中高温常压基板钨源封装

[发明专利]无源变热阻温度控制双位调节方法-CN201910061170.3有效
发明人：郑艺华;李宁;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：青岛大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G05D23/30 文献下载
摘要：本发明提供一种无源变热阻温度控制双位调节方法，在控温对象和控温对象的所处环境间设置实现无源可变热阻的半导体温差模块，根据采集得到的温度信号，通过双位调节控制热阻最大和最小，从而改变热流，实现控温。本发明的双位控制成本低，易于实现，具有较高的性价比；结合半导体温差模块的双位控制无运动部件，无偏差中间区，控制精度更高；如配合半导体制冷的双向主动控温，通过变热阻可进一步提高控温精度。
无源变热温度控制调节方法

[发明专利]一种MoS2-CN202010973579.5在审
发明人：李金华;石凯熙;翟英娇;楚学影 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明本发明属于无机纳米材料技术领域，公开了一种MoS2二维材料S空位缺陷调控的制备方法，将S源置于双温区管式炉的低温区，将Mo源和衬底置于双温区管式炉的高温区，保证S源过量，在氩气环境中，保持高温区Mo源生长温度700℃不变，将低温区S源生长温度分别升温至160℃、165℃、170℃，并持续双温区生长温度1小时，待管式炉自然冷却后，得到不同S空位缺陷浓度的双层本发明在MoS2二维材料制备的过程中，设计直接通过升高S源温度来调控CVD反应过程中S蒸汽浓度，增加S空位形成能，提高S‑Mo成键概率来降低S空位缺陷浓度，以此获得高结晶质量的
一种 mos base sub

[发明专利]无源变热阻温度控制双位调节方法-CN201910061176.0有效
发明人：郑艺华;李宁;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：青岛大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G05D23/30 文献下载
摘要：本发明提供一种无源变热阻温度控制双位调节方法，在温控装置的加热执行器及制冷执行器和控温对象间设置实现无源可变热阻的半导体温差模块，根据采集得到的温度信号，通过双位调节控制热阻最大和最小，从而改变热流，实现控温本发明的双位控制成本低，易于实现，具有较高的性价比；结合半导体温差模块的双位控制无运动部件，无偏差中间区，控制精度更高；如配合半导体制冷的双向主动控温，通过变热阻可进一步提高控温精度。
无源变热温度控制调节方法

[发明专利]一种双温冷源新风机组的控制系统及其控制方法-CN202211356365.9在审
发明人：罗磊 -专利权人：深圳市云科设计咨询服务有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F24F11/64 文献下载
摘要：一种双温冷源新风机组的控制系统，包括双温冷源新风机组的控制装置、CO2浓度传感器、气压传感器、温湿度传感器、风机转速传感器；CO2浓度传感器、气压传感器、温湿度传感器、风机转速传感器的信号输出端和控制装置的多路信号输入端分别电性连接；一种双温冷源新风机组的控制系统控制方法包括两个步骤。本发明解决了新风机组风量变化，以及随着室外温湿度变化、室内湿负荷变化三因素影响下，送风量及高、低温制冷量的控制问题，控制装置能够精确控制双冷源新风机组新风量及高、低温冷量的输入，从系统上提高冷源的利用效率
一种双温冷源新风机组控制系统及其控制方法

[实用新型]一种净水器水路系统-CN202020549881.3有效
发明人：罗剑华;王树华 -专利权人：深圳市家乐士净水科技有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种净水器水路系统，包括MAIN PCB、控制板、流量计、电磁阀、水龙头、杯身、感温NTC、杯座、废水阀、水位感应器、源水箱、自吸增压泵和双复合滤芯，所述MAIN PCB通过线路连接有感温NTC，所述感温NTC位于杯座上，所述杯座上放置有杯身，所述杯身的上方设有水龙头，所述水龙头通过水管连接有双复合滤芯，所述水龙头和双复合滤芯之间串联连接有流量计和电磁阀，所述双复合滤芯通过水管连接有源水箱，所述双复合滤芯和源水箱之间串联连接有自吸增压泵。采用MAIN PCB控制净水器先制水再注水、加热，加热通过感温NTC进行监控，并将MAIN PCB接地，净水器形成四重安全保护。
一种净水器水路系统

[实用新型]一种基于高低温双冷源的空调机组-CN200720195920.9无效
发明人：侯东明;王聪;王四海 -专利权人：广州太昊瑞风空调科技有限公司
申请日： 2007-11-12 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： F24F13/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于高低温双冷源的空调机组，由双温型新风处理机组和双温型空气处理机组组成，其中双温型新风处理机组由一组高温表冷器和一组低温表冷器及相应的功能部件组成，双温型空气处理机组由两组高温表冷器和一组低温表冷器及相应的功能部件组成
一种基于低温双冷源空调机组

[实用新型]双温区半导体胰岛素冷藏盒-CN201520103190.X有效
发明人：叶永丰 -专利权人：温州松浦电器有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： B65D81/18 文献下载
摘要：本实用新型一种双温区半导体胰岛素冷藏盒，包括双温区腔体装置、制冷装置、散热装置和保温装置，双温区腔体装置包含低温冷藏区和微低温冷藏区。制冷装置固定在其中低温冷藏区的口型冷槽正上方，散热装置固定在制冷装置上方，保温装置包围在双温区腔体装置的周围。低温冷藏区的温度控制在2℃-8℃，由制冷装置直接提供冷源。微低温区由旁边低温区通过保温层漏冷过来冷量作为冷源，在高温季节里温度可控制在25℃左右。低温区和微低温区分别有个小抽屉，低温区抽屉冷藏未开封的胰岛素笔芯、微低温区抽屉存放开封后的胰岛素笔芯及注射器，每个温区单独分开，使用其中一个抽屉时，不影响其它区域的温度，使用方便，操作简单。
双温区半导体胰岛素冷藏

[发明专利]大尺寸三氧化钼单晶晶体及其金属氧化沉积制备方法-CN202310858555.9在审
发明人：梁涛;张津铖;薛琪超;潘雨婷;杨陈楹;邵宇川 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸三氧化钼单晶晶体及其金属氧化沉积制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)排出双温区管式炉中的空气，持续通入惰性气体和氧气的混合气并保持常压；(2)将钼源置于双温区管式炉中的下游温区中心并加热，钼源与氧气反应并挥发，在气体下游低温区域沉积生长，生成三氧化钼晶体。
尺寸氧化钼晶体及其金属氧化沉积制备方法

[发明专利]面向CMOS集成的掺杂硒化锑短波红外探测器的制备方法-CN202310399207.X在审
发明人：高睿思;李康华;杨非凡;陈超;张光祖;姜胜林;唐江 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种面向CMOS集成的掺杂硒化锑短波红外探测器的制备方法，采用双温区管式炉，基于双源气相转移沉积法，以硒化铋或碲化锑粉末作为第一蒸发源，以硒化锑粉末作为第二蒸发源，加热第一温区和第二温区，其中，第一温区不晚于第二温区达到对应的预设工作温度；当第二温区的保温时间达到预设时间后，第一温区和第二温区同时停止加热，即可得到P型吸光层。本发明利用双源气相转移沉积法实现掺杂硒化锑合金薄膜的制备，进一步形成的短波红外探测器具有简单的器件结构，可有效解决现有硒化铋探测器探测范围小于1100nm的问题，能够拓展其在短波红外探测领域的应用，尤其可实现
面向 cmos 集成掺杂硒化锑短波红外探测器制备方法

[实用新型]一种持续提供活性硒的装置-CN202020106940.X有效
发明人：杜祖亮;刘新胜;刘永军;程轲;刘景玲;索欢;乔雅俊 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开一种持续提供活性硒的装置，属于太阳能电池领域，包括双温区退火炉以及设于双温区退火炉内的石英管、石墨盒和石墨盒盖，双温区退火炉从左至右包括T1温区和T2温区，石墨盒通过石英支架固定在T2温区，石墨盒内设有基底，石墨盒上盖设有石墨盒盖，石墨盒盖上设有供石英管穿过的石英管通道和供硒通道，石英管通道和供硒通道相互连通，石英管一端封闭、一端敞口，石英管的封闭端位于T1温区、敞口端位于T2温区，且石英管的封闭端设有硒源，硒源右端的石英管内设有传热媒介，石英管的敞口端位于石墨盒盖的石英管通道内，供硒通道和基底上下对应。
一种持续提供活性装置

[发明专利]真空低温环境下在线实时辐射标校装置-CN201811613760.4有效
发明人：孟刚;薛莲;南华;周岩;范小礼;邓蓉;李亚男;李建华;陈垦;王申兆;刘鑫;水涌涛;刘得成;刘成国;王亚运 -专利权人：北京航天长征飞行器研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空低温环境下在线实时辐射标校装置，所述标校装置包括：变温源系统，所述变温源系统采用液氮冷却与电加热双控方式对辐射体控温；液氮冷却系统，所述液氮冷却系统用于对辐射体进行冷却；真空罩，所述真空罩用于构成真空低温环境；温控系统，所述温控系统用于对变温源系统的温度控制。
标校装置真空低温环境源系统变温液氮冷却系统测量路径温控系统辐射体真空罩辐射定标角度调整液氮冷却杂散辐射辐射电加热控温双控移出移入剔除冷却灵活试验

[发明专利]一种无催化剂条件下制备镁掺杂ZnO纳米线的方法-CN201611017280.2在审
发明人：蒋海涛;刘诗斌;尚晓星;吕辉 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-11-19 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种无催化剂条件下制备镁掺杂ZnO纳米线的方法，采用双温区化学气相沉积管式炉，低温区为镁源，温度460‑960℃；高温区为锌源，温度800‑1100℃；镁源为镁粉，锌源为氧化锌和碳粉混合物，将镁粉放置在低温区，氧化锌和碳粉放置在高温区，硅衬底置于管式炉中，调节升温速率20℃/min，通入由纯氮和纯氧组成的混合载气，当双温区达到各自的温度后，继续通氧，保温20‑40min，在硅衬底上制备出镁掺杂本发明通过用双温区气相沉积法制备纳米线，不需要提前制备催化层，完全是无催化剂条件，在20‑40min内即可制备成功，实现了纳米线在无催化条件下的快速自生长，耗时短，操作简单。
一种催化剂条件下制备掺杂 zno 纳米方法

[发明专利]一种多源一体自动切换的联合供汽系统和方法-CN202110876150.9有效
发明人：郑天帅;余小兵;马汀山;居文平;郭中旭;刘永林;李昊;温婷;王春燕;王伟 -专利权人：西安西热节能技术有限公司;西安热工研究院有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多源一体自动切换的联合供汽系统和方法，该系统采用高、低参数双路或多路汽源。常规情况下，各汽源的压力相近，温度不同；不同汽源在并管后其蒸汽接入同一减温减压装置进行参数调节，随后经同一管道输送外供。通过上述的系统设置，可以在汽源切换时大幅减少减温减压装置前的管道暖管时间；不需要对减温减压装置后的管道进行再次暖管，减少相应暖管工作量和暖管过程的工质损失。
一种一体自动切换联合系统方法

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