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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种GaAs纳米线的制作方法-CN201610615915.2有效
发明人：王勇;王瑛;丁超 -专利权人：东莞华南设计创新院;广东工业大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公布了一种GaAs纳米线制作方法，该制作方法步骤如下：准备一砷化镓衬底、一InGaP缓冲层和一砷化镓沟道层的材料结构；在砷化镓沟道层中刻蚀出50纳米宽的脊状图形；然后在臭氧去胶机中进行20分钟的处理；采用浓盐酸清洗1分钟，稀盐酸清洗2分钟；在臭氧去胶机中进行20分钟的臭氧处理；采用浓盐酸清洗1分钟，稀盐酸清洗2分钟；在臭氧去胶机中进行20分钟的臭氧处理，再采用稀释的磷酸进行清洗的方法处理5‑10次
一种 gaas 纳米制作方法

[发明专利]LED芯片制作方法-CN201610420636.0有效
发明人：胡弃疾;张雪亮;汪延明 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开LED芯片制作方法，依次包括：外延片清洗、沉积CBL电子阻挡层、CBL电子阻挡层图形化、蒸镀ITO透明导电层、沉积SiON膜、ITO光刻、用磷酸将SiON腐蚀图形化、ITO蚀刻图形化、ITO图形化后去胶、ICP光刻、ICP刻蚀露出N区、ICP蚀刻去胶、用磷酸去除SiON、ITO合金和沉积SiO₂保护层。在沉积ITO之后，在ITO表面沉积一层SiON，这样就使得ITO光刻、ITO蚀刻图形化、ICP光刻、ICP刻蚀、ICP刻蚀后去胶这五步过程中ITO膜层受到SiON的保护，避免了损伤和污染，提高了ITO膜层质量
led 芯片制作方法

[实用新型]一种空调滤芯生产加工用去胶装置-CN202120019265.1有效
发明人：徐龙飞;吕正东;张武 -专利权人：江苏艾尔佳净化科技有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空调滤芯生产加工用去胶装置，包括工作台本体，工作台本体横向一侧底部设置有控制装置，工作台本体纵向一侧底部设置有抽风除尘装置，工作台本体纵向一侧设置有L型支撑架，L型支撑架顶部一端设置有吸尘罩本实用新型的有益效果是：本实用新型设计合理，结构简单稳定，实用性强；能够使得空调滤芯的束边更充分均匀的与加热烘烤板相接触，提高空调滤芯去胶效果和去胶效率，适合推广使用。
一种空调生产工用装置

[实用新型]一种用于去胶机的电阻加热棒结构-CN202223325031.3有效
发明人：杨利斌;王富斌;金凡奎;莫科伟 -专利权人：吉姆西半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H05B3/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及去胶机技术领域，尤其涉及一种用于去胶机的电阻加热棒结构，一种用于去胶机的电阻加热棒结构，包括电阻加热棒，所述电阻加热棒的顶部安装有螺纹杆，且螺纹杆的顶部安置有接套，所述接套的底端壁开设有套口
一种用于去胶机电阻加热结构

[发明专利]一种改进器件漏电表现的浅沟道隔离形成方法-CN200510027551.8有效
发明人：周贯宇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进器件漏电表现的浅沟道隔离形成方法，除包括浅沟道隔离刻蚀、去胶、RCA清洗、沟道氧化、高密度等离子体沉积等步骤外，还在去胶后，RCA清洗进行沟道氧化前，进行BOE清洗和氮化硅腐蚀步骤。
一种改进器件漏电表现沟道隔离形成方法

[发明专利]半导体衬底聚酰亚胺工艺-CN201210030415.4无效
发明人：吴正泉;李鹏 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体衬底聚酰亚胺工艺，在湿法去胶后增加一步干法去胶，其等离子气体能够彻底将钝化层表面残留的副产物去除干净，以最终达到在聚酰亚胺光刻工艺显影后无聚酰亚胺残留物的良好结果，实现了产品在该步骤零返工的目的
半导体衬底聚酰亚胺工艺

[发明专利]微机电系统器件在制造过程中的加固方法-CN201310114245.2在审
发明人：徐春云 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微机电系统器件在制造过程中的加固方法，包括下列步骤：步骤一，在玻璃片上涂覆光刻胶；步骤二，将圆片与所述玻璃片对齐叠放在一起；步骤三，利用硅片与玻璃的阳极键合工艺，将玻璃片涂有光刻胶的一面与所述圆片键合在一起；步骤四，利用湿法去胶工艺的去胶溶液穿孔腐蚀及后续的传输完成后再通过湿法去胶将光刻胶去除，就能很轻易的将圆片从玻璃片上脱离，因此用于加固的玻璃片不会对圆片造成影响。
微机系统器件制造过程中的加固方法

[发明专利]一种微波用单层电容器的薄金刻蚀方法-CN201510338413.5在审
发明人：王利凯;刘剑林;魏栩曼;韩玉成 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01G4/012 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波用单层电容器的薄金刻蚀方法，包括以下步骤：(1)把要制作的微波用单层电容器的陶瓷基板，先进行清洗干净后溅射过渡层钛钨和功能层金；(2)匀胶、曝光，显影后不去胶；(3)电镀金，使金电极达到产品要求厚度3～4μm，再电镀保护层，保护层厚度为0.4～0.8μm；(4)进行刻蚀过程：丙酮去胶；刻金1～2min；刻钛钨1～2min；刻保护层。本发明刻蚀时间短，丙酮去胶，刻金1～2min，时间好控制，刻蚀效果明显改善合格率提高，过刻或欠刻现象不再存在，刻蚀溶液使用周期长，利用率高，降低刻蚀液的使用成本。
一种微波单层电容器刻蚀方法

[发明专利]一种去除AZ光刻胶的去胶液-CN201611206000.2在审
发明人：杜冰;顾群艳;梁豹;鲍杰;赵建龙;张兵;朱坤;向文胜 -专利权人：昆山艾森半导体材料有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，涉及一种去除AZ光刻胶的去胶液，其配方包括10‑50wt％有机酯，10‑50wt％有机醇，补足余量的极性有机溶剂；其中有机酯为一元酸酯、二元酸酯或内酯中的一种，有机醇为C2本发明去胶液去胶速度快，使用温度相对较低，不伤硅、氧化硅、金属、钝化等各种底材，水溶性，容易清洗。
一种去除 az 光刻去胶液

[发明专利]光掩膜版的清洗方法及去胶方法-CN201610855735.1在审
发明人：马志平;成立炯 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩膜版的清洗方法及去胶方法，所述光掩膜版的清洗方法至少包括以下步骤1）使用硫酸及双氧水的混合液对所述光掩膜版进行清洗；2）使用氨水、双氧水及去离子水的混合溶液对所述光掩膜版进行清洗；3）本发明的光掩膜版的清洗方法可以实现对光掩膜版进行有效地清洗，能够去除所述光掩膜版表面残留的光刻胶，保证所述光掩膜版表面的清洁度，从而放宽了对去胶步骤中清洁度的要求，可以在去胶过程中避免氨水的使用。
光掩膜版清洗方法

[发明专利]一种加工饰品的转接装置及上珠、下料、转接一体机-CN201010520817.3有效
发明人：胡朝阳 -专利权人：金华久隆机械有限公司
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： B24B9/16 文献下载
摘要：本发明方案为：机头组件有三个工作位置，即上珠工作位置、去胶工作位置、转接工作位置；在机头组件的上珠工作位置Ⅰ下面设置有上珠组件，在机头组件的去胶工作位置Ⅱ下面，设置有去胶组件，在机头组件的转接工作位置Ⅲ
一种加工饰品转接装置一体机

[发明专利]一种LED灯自动装配设备-CN201811396132.5有效
发明人：奕雪春 -专利权人：诸暨市凯贝乐科技有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： B23P21/00 文献下载
摘要：本发明涉及自动装配技术领域，具体地，涉及一种LED灯自动装配设备，包括旋转装置、灯底座上料装置、涂胶装置、灯泡上料装置、压紧装置、去胶装置和卸料装置，所述旋转装置设置在工作台的顶端，旋转装置包括有旋转圆盘，所述灯底座上料装置、涂胶装置、灯泡上料装置、压紧装置、去胶装置和卸料装置均安装在工作台的顶端并且沿着旋转圆盘的圆周方向依次设置在旋转圆盘的边缘，旋转圆盘的顶端沿着旋转圆盘的圆周方向等角度设置有若干个承载治具，通过旋转装置、灯底座上料装置、承载治具、涂胶装置、灯泡上料装置、压紧装置、去胶装置和卸料装置之间的相互配合，解决了装配速度慢，人员成本高的问题。
一种 led 自动装配设备

[发明专利]一种纵向多重PN结的VDMOS分压环的设计方法-CN201811550606.7有效
发明人：杜蕾 -专利权人：深圳市威兆半导体有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种纵向多重PN结的VDMOS分压环的设计方法，包括以下工艺流程：N型衬底片准备；Zero光刻、刻蚀形成光刻标记；BP光刻、BP注入，注入硼，去胶后做BP高温推阱，形成深BP阱；薄N型EPI生长；NW高能普注，注入磷；Pw光刻，Pw注入，注入硼；去胶后做推阱，并用LOCOS的方式形成FOX区域；Ptop光刻，Ptop注入，注入硼；去胶后做短时间的推阱，然后做N+光刻注入，P+光刻注入，其中
一种纵向多重 pn vdmos 分压环设计方法

[发明专利]一种背照式CMOS图像传感器结构的互联工艺方法-CN201810164170.1有效
发明人：王伟军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器结构的互联工艺方法，包括：提供键合后的背照式CMOS图像传感器硅片，在硅片衬底背面形成第二介质层，进行通孔的光刻、刻蚀图形化工艺，在通孔中填充BARC并进行背面通道光刻、刻蚀工艺及去胶本发明通过调整通孔及背面通道结构的形成顺序，使光刻相关步骤得以在平面上进行，有助于改善曝光等光刻工艺效果；其工艺过程有助于改善去胶残留，从而能够降低长时间去胶对金属互联层表面的损伤，提高电连接的可靠性。
一种背照式 cmos 图像传感器结构工艺方法

[发明专利]一种新的腐蚀工艺-CN201210423749.8无效
发明人：王红亚 -专利权人：王红亚
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种新的腐蚀工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：刻蚀：将待刻蚀晶片放入刻蚀机中刻蚀；去胶：刻蚀完的晶片按照顺序装入花篮中，将花篮放入正胶剥离液3368中，去胶后镜检，进行氧离子体打胶；台阶仪测试：去胶结束后，使用台阶仪测量刻蚀台阶；ITO退火：将刻蚀符合要求的晶片，进行ITO退火处理；PECVD：ITO退火后的晶片，在其表面淀积一层二氧化硅保护膜；用氧化氟膜厚分析仪测量陪片（Si片）上的二氧化硅厚度和折射率
一种腐蚀工艺

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