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[发明专利]一种LED显示屏单双锁存自动切换芯片-CN201910294402.X有效
发明人：张宏根 -专利权人：深圳市德普微电子有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开一种LED显示屏单双锁存自动切换芯片，包括单锁存/双锁存检测模块和单锁存/双锁存模式切换模块，单锁存/双锁存检测模块接收芯片的数据锁存输入信号和恒流控制输入信号；在计时周期内进行检测，其计时周期大于5us；单锁存/双锁存检测模块检测是通用单锁存驱动程序还是通用双锁存驱动程序，再将检测结果信号送到单锁存/双锁存模式切换模块；单锁存/双锁存模式切换模块输出口连接恒流输出通道。本发明提供的LED显示屏单双锁存自动切换芯片，可以根据所选择的驱动程序来自适应对应的工作模式。
一种 led 显示屏单双锁存自动切换芯片

[实用新型]LED显示屏单双锁存自动切换芯片-CN201920507234.3有效
发明人：张宏根 -专利权人：深圳市德普微电子有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种LED显示屏单双锁存自动切换芯片，包括单锁存/双锁存检测模块和单锁存/双锁存模式切换模块，单锁存/双锁存检测模块接收芯片的数据锁存输入信号和恒流控制输入信号；在计时周期内进行检测，其计时周期大于5us；单锁存/双锁存检测模块检测是通用单锁存驱动程序还是通用双锁存驱动程序，再将检测结果信号送到单锁存/双锁存模式切换模块；单锁存/双锁存模式切换模块输出口连接恒流输出通道。本实用新型提供的LED显示屏单双锁存自动切换芯片，可以根据所选择的驱动程序来自适应对应的工作模式。
单锁模式切换模块检测模块驱动程序本实用新型计时周期自动切换芯片工作模式恒流控制检测结果接收芯片输出通道数据锁存输出口通用检测恒流

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置复位扫描结构D触发器-CN201310674586.5有效
发明人：郭阳;许文涛;梁斌;刘宗林;陈书明;胡春媚;池雅庆;孙永节;陈建军;李振涛;杨茂森 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置复位扫描结构D触发器，目的是解决抗单粒子翻转能力和抗单粒子瞬态能力不高的问题。本发明由缓冲电路、扫描控制缓冲电路、置位缓冲电路、复位缓冲电路、时钟电路、主锁存器、从锁存器和输出缓冲电路组成。主锁存器和从锁存器为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器串联，并均与时钟电路、置位缓冲电路、复位缓冲电路连接。主锁存器还与缓冲电路、扫描控制缓冲电路相连，从锁存器还与输出缓冲电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态复位扫描结构触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态可同步复位扫描结构D触发器-CN201310674467.X有效
发明人：孙永节;王运峰;刘宗林;梁斌;池雅庆;陈书明;郭阳;胡春媚;陈建军;李振涛 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态可同步复位扫描结构D触发器，目的是解决可同步复位的扫描结构D触发器抗单粒子翻转和单粒子瞬态能力不高的问题。本发明由缓冲电路、扫描控制缓冲电路、同步复位缓冲电路、时钟电路、主锁存器、从锁存器和反相器电路组成。主锁存器和从锁存器为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器串联，并均与时钟电路连接。主锁存器还与缓冲电路、扫描控制缓冲电路、同步复位缓冲电路相连，从锁存器还与反相器电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，双模冗余通路增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态同步复位扫描结构触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可同步复位D触发器-CN201310672227.6有效
发明人：梁斌;马锡昆;杨茂森;郭阳;陈书明;李振涛;孙永节;池雅庆;陈建军;许文涛 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可同步复位D触发器，目的是解决可同步复位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、复位电路、主锁存器、从锁存器、第一和第二反向器电路、缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器前后串联，并均与时钟电路连接。主锁存器还与缓冲器电路、复位电路相连，从锁存器还与第一、第二反向器电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路提高了本发明抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，且双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态同步复位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的扫描结构D触发器-CN201310674556.4有效
发明人：池雅庆;薛召召;喻鑫;梁斌;陈书明;郭阳;孙永节;陈建军;胡春媚;李振涛 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的扫描结构D触发器，目的是解决扫描结构D触发器抗单粒子翻转能力和抗单粒子瞬态不高的问题。本发明由缓冲电路、扫描控制缓冲电路、时钟电路、主锁存器、从锁存器和反相器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器前后串联，并均与时钟电路连接。主锁存器还与缓冲电路、扫描控制缓冲电路相连，从锁存器还与反相器电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态扫描结构触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可复位D触发器-CN201310670222.X有效
发明人：陈书明;王崇峰;姚龙;孙永节;梁斌;池雅庆;郭阳;陈建军;刘祥远;许文涛 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可复位D触发器，目的是解决可复位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、复位缓冲电路，主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路和缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器，主锁存器和从锁存器前后串联，均与时钟电路和复位缓冲电路连接。主锁存器还与缓冲器电路相连，从锁存器还与输出缓冲电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，提高了本发明抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，且双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态复位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位和复位D触发器-CN201310674406.3有效
发明人：池雅庆;姚龙;邱明新;梁斌;郭阳;陈书明;胡春媚;刘宗林;陈建军;孙永节;李振涛 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位和复位D触发器，目的是解决可置位和复位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、复位缓冲电路、置位缓冲电路，主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路和缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器前后串联，并均与时钟电路、复位缓冲电路、置位缓冲电路连接。主锁存器还与缓冲器电路相连，从锁存器还与输出缓冲电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态可置位复位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位D触发器-CN201310671683.9有效
发明人：梁斌;万鸿;姚龙;陈书明;郭阳;李振涛;孙永节;池雅庆;陈建军;刘祥远 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位D触发器，目的是解决可置位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、置位缓冲电路，主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路和缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器前后串联，并均与时钟电路和置位缓冲电路连接。主锁存器还与缓冲器电路相连，从锁存器还与输出缓冲电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，且双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态可置位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位的扫描结构D触发器-CN201310671682.4有效
发明人：郭阳;喻鑫;韦静;梁斌;池雅庆;陈书明;胡春媚;孙永节;陈建军;刘宗林 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位的扫描结构D触发器，目的是解决可置位的扫描结构D触发器抗单粒子翻转能力和抗单粒子瞬态能力不高的问题。本发明由缓冲电路、扫描控制缓冲电路、置位缓冲电路、时钟电路、主锁存器、从锁存器和输出缓冲电路组成。主锁存器和从锁存器为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器串联，并均与时钟电路、置位缓冲电路连接。主锁存器还与缓冲电路、扫描控制缓冲电路相连，从锁存器还与输出缓冲电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态可置位扫描结构触发器

[发明专利]一种抗单粒子翻转的D触发器-CN201710020099.5有效
发明人：贺威;贺凌翔;张准;骆盛;吴庆阳 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明适用于D触发器技术领域，提供了一种抗单粒子翻转的D触发器。该D触发器包括：时钟信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器，主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存器。相较于现有技术，本发明通过在主锁存器和从锁存器前增加缓冲电路，提高了D触发器的抗单粒子翻转能力，对主锁存器和从锁存器进行双模冗余加固，即分离成互为冗余的C²MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，避免了从锁存器中可能由单粒子瞬态脉冲导致的反馈回路，对主锁存器和从锁存器电路中C²MOS电路进行改进，通过CMOS传输门来实现时钟信号对电路的控制，进一步提高了D触发器的抗单粒子翻转能力。
一种粒子翻转触发器

[发明专利]单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备-CN201610972295.8有效
发明人：宿晓慧;罗家俊;韩郑生;刘海南;郝乐;李欣欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G01R29/02 文献下载
摘要：本发明涉及电脉冲宽度测量技术领域，尤其涉及一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路，包括锁存电路的输入端与待测信号输入端连接；至少一级延迟锁存电路中的第一级延迟锁存电路的第一输入端与待测信号输入端连接，第一级延迟锁存电路的第二输入端与锁存电路的输出端连接；当单粒子瞬态脉冲宽度测量电路包含二级以上的延迟锁存电路时，从第二级延迟锁存电路开始，每级延迟锁存电路的输入端与前一级延迟锁存电路的输出端连接；其中，在待测信号输入端接入待测单粒子瞬态脉冲信号后，锁存电路翻转驱动至少一级延迟锁存电路顺次发生翻转，将锁存电路的输出端和至少一级延迟锁存电路中各个延迟锁存电路的输出端作为单粒子瞬态脉冲宽度测量电路的信号输出端。
锁存电路延迟单粒子瞬态脉冲宽度测量电路输入端待测信号输出端连接输入端连接第一级输出端单粒子瞬态脉冲信号输入端接入信号输出端电子设备翻转驱动宽度测量电脉冲前一级翻转集成电路

[发明专利]一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构-CN201010560005.1有效
发明人：周昕杰;薛忠杰;王栋;罗静;徐睿;周毅 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构，其包括信号延时电路及抗单粒子锁存电路；信号延时电路的延时时间大于单粒子瞬态扰动产生的最大脉冲宽度；抗单粒子锁存电路同时接收并比较外部输入信号及所述外部输入信号经过信号延时电路输出的外部输入延时信号，当外部输入信号与外部输入延时信号相同时，抗单粒子锁存电路根据外部输入信号的状态输出并锁存相应的状态信号；当外部输入信号与外部输入延时信号不同时，抗单粒子锁存电路输出前一时刻抗单粒子锁存电路锁存的状态信号本发明提高了电路受单粒子扰动后恢复的速度，能够抵御SEU效应和SET效应对电路的干扰，电路结构简单，减小了占用面积，降低了功耗，提高了系统的可靠性。
一种基于状态保存机制粒子结构

[发明专利]一种抗单粒子翻转的同步复位D触发器-CN201710020100.4有效
发明人：贺威;贺凌翔;张准;骆盛;吴庆阳 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明适用于D触发器技术领域，提供了一种抗单粒子翻转的同步复位D触发器。该D触发器包括：时钟信号输入电路、复位信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器，主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存器。相较于现有技术，本发明通过在主锁存器和从锁存器前增加缓冲电路，提高了同步复位D触发器的抗单粒子翻转能力，对主锁存器和从锁存器进行双模冗余加固，即分离成互为冗余的C2MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，避免了从锁存器中可能由单粒子瞬态脉冲导致的反馈回路，对主锁存器和从锁存器电路中C2MOS电路进行改进，通过CMOS传输门来实现时钟信号对电路的控制，进一步提高了同步复位D触发器的抗单粒子翻转能力。
一种粒子翻转同步复位触发器

[发明专利]一种抗单粒子翻转的同步置位D触发器-CN201710020135.8有效
发明人：贺威;贺凌翔;张准;骆盛;吴庆阳 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明适用于D触发器技术领域，提供了一种抗单粒子翻转的同步置位D触发器。该D触发器包括：时钟信号输入电路、置位信号输入电路、主锁存器缓冲电路、从锁存器缓冲电路、主锁存器及从锁存器，主锁存器和从锁存器均为双模冗余加固的锁存器。相较于现有技术，本发明通过在主锁存器和从锁存器前增加缓冲电路，提高了同步置位D触发器的抗单粒子翻转能力，对主锁存器和从锁存器进行双模冗余加固，即分离成互为冗余的C2MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，避免了从锁存器中可能由单粒子瞬态脉冲导致的反馈回路，对主锁存器和从锁存器电路中C2MOS电路进行改进，通过CMOS传输门来实现时钟信号对电路的控制，进一步提高了同步置位D触发器的抗单粒子翻转能力。
一种粒子翻转同步触发器

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