“单质铋”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果25232个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]强自旋轨道耦合结构、制备方法及SOT器件-CN202310441435.9在审
发明人：李尚坤;胡瑞;雒雁翔;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明揭示了一种强自旋轨道耦合结构、制备方法及SOT器件，所述强自旋轨道耦合结构的制备方法包括以下步骤：提供一硅衬底；基于磁控溅射工艺，分别采用单质铋靶和单质铂靶在所述硅衬底上交替沉积单质铋薄膜和单质铂薄膜，得到铂铋合金薄膜；基于磁控溅射工艺，在铂铋合金薄膜上沉积覆盖层。本发明基于磁控溅射，采用单质铋靶和单质铂靶交替生长单质铋薄膜和单质铂薄膜并结合退火工艺的方式制备强自旋轨道耦合结构中的铂铋合金薄膜，具有大面积、表面原子级平整、成分精确可控等优点。
自旋轨道耦合结构制备方法 sot 器件

[发明专利]一种基于单分散单质铋和氮化碳的光催化剂的制备办法-CN201710646829.2有效
发明人：吕晓书;曹嘉真;蒋光明;董帆 -专利权人：重庆工商大学
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种单分散单质铋/氮化碳光催化剂的制备办法，关键在于：以尿素为前驱体制备的氮化碳作为载体，将液相化学还原法制备的单分散单质铋颗粒固定于氮化碳表面，最后通过配位交换反应去除复合体系中表面活性剂成分，单质铋/氮化碳光催化剂。本发明提供了一种过程简单，能耗低，材料形貌可控，反应活性高的单分散单质铋/氮化碳光催化剂制备方法。本发明制备的单分散单质铋/氮化碳光催化剂可快速、有效去除空气中的一氧化碳等污染物，且通过对单质铋颗粒的可控合成还可以实现对催化活性的调控。
单质铋氮化碳光催化剂单分散制备液相化学还原法有效去除空气表面活性剂材料形貌催化活性反应活性复合体系交换反应可控合成前驱体制一氧化碳可控配位去除尿素能耗污染物调控

[发明专利]一种片状单质铋的制备方法-CN201810232135.9在审
发明人：朱红军;沈英;陈静 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种简单快捷制备片状单质铋的合成方法，本发明采用五水合硝酸铋作为铋源，乙二醇作为溶剂与还原剂，通过水热法制备得到单质铋材料。该方法与现有的众多合成方法相比，制备的片状单质铋分散性好，结晶度高，且铋源简单，无需前驱体与模板剂，适合于工业化生产，具有良好的应用前景。
单质铋制备铋源合成五水合硝酸铋分散性好水热法制还原剂结晶度模板剂前驱体乙二醇溶剂应用

[发明专利]一种用于锑冶炼生产的除铋剂及其应用-CN201911238656.6在审
发明人：王卫国 -专利权人：广西万仕智稀贵金属科技有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C22B30/02 文献下载
摘要：本发明涉及有色金属锑冶炼技术领域，且公开了用于锑冶炼生产的除铋剂及其应用，包括金属单质钙或含钙化合物，包括金属单质钾或含钾化合物，包括金属单质镁或含镁化合物；用所述金属单质钙或含钙化合物、金属单质钾或含钾化合物、金属单质镁或含镁化合物三种物质单独使用或用几种按一定比例混合配制成锑精炼用除铋剂，在锑冶炼反射炉精炼除铋时加入炉内，反应完全后所产除铋渣会浮于锑液表面，将除铋浮渣从操作门扒出炉外。使用本发明技术方案能够有效地去除锑中杂质铋元素，经济效益显著，同时对拓展锑产品在工业中的应用领域具有重要意义。
一种用于冶炼生产及其应用

[发明专利]一种原位生成Bi单质协同氧缺陷的硫酸氧铋光催化剂-CN202211395664.3在审
发明人：耿芹;谢洪涛;于洋洋;邓邦为;盛剑平;孙艳娟;董帆 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B01J27/053 文献下载
摘要：本发明属于光催化技术领域，公开了一种原位生成Bi单质协同氧缺陷的硫酸氧铋光催化剂，原位生成Bi单质协同氧缺陷的硫酸氧铋光催化剂是由含硫化合物与含铋硝酸盐混合后经固相研磨退火，再原位还原而成，由Bi单质、氧缺陷和硫酸氧铋三相构成。本发明的催化剂应用于光催化去除氮氧化物；Bi单质协同氧缺陷的硫酸氧铋的成功构建，有效利用Bi金属的SPR效应，提高了纯相硫酸氧铋的光催化性能，氧缺陷不仅诱导了中间能级的形成，减小了带隙，还增强了硫酸氧铋对可见光的吸收能力，促进了载流子分离；以硼氢化钠为还原剂原位制备了Bi等离子体协同氧缺陷的硫酸氧铋，条件温和，反应简单。相对于其他专利所报道的光催化剂而言，本发明的Bi单质协同氧缺陷的硫酸氧铋光催化剂，反应条件更加温和，性能优异。
一种原位生成 bi 单质协同缺陷硫酸光催化剂

[发明专利]一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法-CN201810684416.8有效
发明人：郑直;张卜生;雷岩;余海丽;杨晓刚;齐瑞娟 -专利权人：许昌学院
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法。该方法为：将具有金属单质铜和金属单质铋薄膜的基底材料，或者具有铋铜合金薄膜的基底材料，置于盛有单质碘的反应釜内，在惰性气氛、密封条件下，80～150℃原位反应制得碘铋铜三元化合物薄膜材料。该方法通过简单的气固反应原位、低温即可制备碘铋铜三元化合物半导体薄膜材料，反应条件温和，工艺简单。
一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料化学方法

[发明专利]一种含有氧空缺的单质铋/铋化合物纳米复合材料的制备方法-CN201510268253.1有效
发明人：陈嵘;田凡;袁梦倩;杨浩;赵慧平 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种一步合成含有氧空缺的单质铋/铋化合物纳米复合材料的方法，包括有以下步骤将一定量的五水硝酸铋和前驱体加入乙二醇中，在溶剂热条件下反应后，所得产物经过离心洗涤去除残留杂质，烘干冷却，即可得含有氧空缺的单质铋/铋化合物纳米复合材料。本发明的有益结果为(1)本发明是一个普遍适用的方法；(2)以乙二醇为溶剂和还原剂，利用乙二醇的弱还原性生成氧空穴和单质铋，不需要添加其他还原剂，避免了需要添加其他还原剂而不易控制的缺点；(3)可合成尺寸均一的含有氧空缺的单质铋/铋化合物纳米复合材料；(4)采用溶剂热法，合成工艺简单，有效降低了生产成本，可实现产品的规模化生产。
一种有氧空缺单质化合物纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种铋单质纳米片复合电极的制备方法及其应用-CN201810065925.2有效
发明人：周静;陈江淳;王华;郭林;闫柄屹 -专利权人：东北电力大学
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明是一种铋单质纳米片复合电极的制备方法及其应用，其特点是，包括的步骤有：将铋单质金属置于溶液中，超声得到前驱体分散液；提取前驱体分散液；将提取的前驱体分散液还原，制备出铋单质纳米片；将铋单质纳米片与石墨烯复合本发明是利用液相剥离法将体相为层状的材料剥离成超薄二维单质纳米片，采用真空抽滤法制备得到Bi/rGO复合电极材料，并将其应用于钠离子等电池负极材料、以及电容器中。
一种单质纳米复合电极制备方法及其应用

[发明专利]铋单质/氧化铋/氮化碳复合材料的制备方法及其作为除氯剂的应用-CN202310485113.4在审
发明人：吕红映;张文欣;黄寿强;顾云;杨晨熙;李帆芸;肖洁维;杨梦倩 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：本发明公开了铋单质/氧化铋/氮化碳复合材料的制备方法及其作为除氯剂的应用，以五水硝酸铋为原料，并引入三聚氰胺前驱体制备铋单质/氧化铋/氮化碳复合除氯剂。三聚氰胺在煅烧的过程中，产生单质碳和一氧化碳，对除氯剂的形貌起到调控作用；其形成的过程中产生的还原性可将Bi3+转化成Bi单质，利用Bi单质的表面等离子共振效应从而提高复合除氯剂的光催化除氯性能
单质氧化氮化复合材料制备方法及其作为应用

[发明专利]单质金属铋纳米颗粒的制备方法-CN201610409789.5在审
发明人：王学伟;徐冉;马士精;何朝成;康耀仁;袁志好 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C25C1/22 文献下载
摘要：一种单质金属铋纳米颗粒的制备方法，属于金属纳米材料制备技术领域。该方法包括以下步骤，将含有铋的氯化盐中的铋元素均匀沉积在多孔氧化铝模板的孔道中得到单质金属铋纳米线阵列。将沉积满单质金属铋纳米线的多孔氧化铝模板使用导电银浆将其与导线相连制作成为电极。再串联接入实验电路中，设置直流电压大小为40V，实验时间为60min，重复此实验过程2～3次。选择测量后的样品横截面进行扫描电子显微镜观测，即可发现随着重复实验次数的增加，得到单质金属铋纳米线会出现颗粒细化的现象。
单质金属纳米颗粒制备方法

[发明专利]一种磁性Fe₃O₄@单质铋球光催化剂的制备方法-CN201610318231.6在审
发明人：魏巍;解宝盛;徐艳;谢吉民;高金荣;韩合坤;陆俊炜 -专利权人：江苏华夏制漆科技有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： B01J23/843 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性Fe₃O₄@单质铋球光催化剂的制备方法，先将FeCl₃·6H₂O加至乙醇与水的混合溶液中，搅拌/sub>)₂·5H₂O加至乙二醇中，室温下搅拌至Bi(NO₃)₂·5H₂O溶解；然后将含铋离子的乙二醇溶液加入所得凝胶中，置于反应釜中进行溶剂热反应，得到Fe₃O₄@单质铋；最后将所得Fe₃O₄@单质铋置于乙腈中浸泡洗涤，洗涤后的样品经真空干燥箱得到磁性Fe₃O₄@单质铋球光催化剂。所得磁性Fe₃O₄@单质铋球光催化剂分布均匀、光催化效果显著，易于分离，且操作简便，设备简单，运行成本低。
一种磁性 fe sub 单质光催化剂制备方法

[发明专利]二氧化碳电化学还原单质铋催化剂及其制备和应用-CN201710204688.9有效
发明人：乔锦丽;张霞;刘予宇;雷涛;张琦;董芳;魏亚楠 -专利权人：东华大学;上海大学
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： B01J23/18 文献下载
摘要：本发明提供了二氧化碳电化学还原催化剂的制备及应用，所述的二氧化碳电化学还原催化剂其特征在于，包括微纳级单质铋催化剂，所述的微纳级单质铋催化剂由水溶液化学还原方法合成，制备方法包括：将硝酸铋和水合肼混合溶液加热并回流，进行化学还原反应，固体产物洗涤离心分离后，真空干燥得微纳级单质金属铋，具有鲜明的(012)晶面。本发明的微纳级单质金属铋催化剂对二氧化碳还原具有高的催化活性和选择性，所需过电势低，提高了能量效率。此外，本发明的催化剂制备方法操作简单、条件温和、产率高，易于工业化生产。
二氧化碳电化学还原单质催化剂及其制备应用

[发明专利]形貌可控钨酸铋、钒酸铋纳米材料的无离子源制备方法-CN201210401545.4无效
发明人：梁长浩;田振飞;刘俊;张和民 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C01G31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种形貌可控钨酸铋、钒酸铋纳米材料的无离子源制备方法，首先将纯度为99.99%的铋、钨、钒单质靶材分别浸没在去离子水中，采用Nd:YAG脉冲激光，波长为1064nm，脉冲能量为100mJ，分别辐照铋单质靶材5分钟、钨单质靶25分钟、钒单质靶15分钟，分别得到铋胶体、钨胶体、钒胶体；将所述铋胶体与钨胶体按体积比1:1混合均匀，然后转入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，在200°C下反应15小时，得到Bi2WO6纳米材料；将所述铋胶体与钒胶体按体积比1:1混合均匀，然后转入聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，在200°C下反应15小时，得到BiVO4纳米材料。合成了具备不同相貌的Bi2WO6、BiVO4纳米材料与结构，通过对铋/钨混合胶体进行酸碱度（pH值）调节，能够可控的合成尺寸分布均匀、形貌可控的Bi2WO6纳米结构。
形貌可控钨酸铋钒酸铋纳米材料离子源制备方法

[发明专利]一种负载铋单质催化剂电极的制备及其应用-CN202310522326.X在审
发明人：杨立辉;廖熳婷;林泽钦;杨文剑;吕斯濠;李威 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C25B1/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种铋单质(Bi)催化剂的制备方法及其应用于电催化还原硝酸盐产氨，属于污水处理资源化领域。本发明提出的Bi单质催化剂以铋基钙钛矿(BiMO3，M＝Fe,Co,Mn,Ni等)为原材料，通过原位电化学还原策略使其完全分解转化而成。生成的Bi单质具有良好的硝酸盐电催化产氨性能，如由BiCoO3转化生成的Bi单质其氨生成速率为4.0mg/cm2·h，较购买的商业Bi单质提高了14.8倍。本发明所述的铋单质催化剂的制备方法简单、快速，可控性强，具有良好的硝酸盐电催化产氨效能，为高性能硝酸盐电催化剂的制备提供了一种新的有效策略。
一种负载单质催化剂电极制备及其应用

[发明专利]室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件-CN201810684417.2有效
发明人：郑直;张卜生;雷岩;余海丽;杨晓刚;齐瑞娟 -专利权人：许昌学院
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI4：Spiro‑OMeTAD共混层和位于共混层上的金属电极层。
室温原位控制合成碘铋铜薄膜方法组装光电转换器件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 25232 条