[发明专利]室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件有效
| 申请号： | 201810684417.2 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660915B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 郑直;张卜生;雷岩;余海丽;杨晓刚;齐瑞娟 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K30/50;C03C17/34;C03C17/22 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及室温原位控制合成碘铋铜薄膜的方法及由其组装的光电转换器件，室温原位控制合成碘铋铜的方法，将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在氮气氛围、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。室温原位控制合成的碘铋铜组装的光电转换器件，包括基底层、CuBiI |
||
| 搜索关键词： | 室温 原位 控制 合成 碘铋铜 薄膜 方法 组装 光电 转换 器件 | ||
【主权项】：
1.室温原位控制合成碘铋铜的方法，其特征在于：将具有纳米金属铜单质和铋单质薄膜的基底材料或具有纳米金属铋铜合金薄膜的基底材料置于盛有单质碘的密闭容器内，在惰性气氛、密封条件下原位、20℃～35℃反应制得碘铋铜半导体薄膜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许昌学院，未经许昌学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810684417.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
