“单晶籽晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果37414个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法-CN202010615807.1有效
发明人：陈红荣;胡动力;孙庚昕;宋亚飞;张华利 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法。铸造单晶的籽晶铺设方法，包括如下步骤：在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层；单晶籽晶层包括至少一个单晶籽晶单元，单晶籽晶单元包括长方形单晶籽晶和至少两个正方形单晶籽晶，至少两个正方形单晶籽晶沿长方形单晶籽晶的长度方向排列且与长方形单晶籽晶拼接；长方形单晶籽晶的长度是正方形单晶籽晶的长度的n倍，n为整数且大于1；相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面晶向均不相同。上述籽晶铺设方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少。
铸造籽晶铺设方法单晶硅及其制备

[发明专利]铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅-CN202011205548.1有效
发明人：雷琦;何新根;李小平;李建敏;何亮;邹贵付;甘胜泉;程小娟 -专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶和铸造单晶硅。铸造单晶硅用籽晶的制备方法的步骤为：利用定向凝固方法制备铸造单晶硅锭；将所述铸造单晶硅锭切割成原始籽晶；对所述原始籽晶进行热处理，得到所述籽晶，所述热处理的温度不高于1200℃。通过对铸造单晶硅锭切割的原始籽晶进行热处理，可有效降低原始籽晶的晶体微缺陷，从而得到铸造单晶硅用籽晶，而采用该籽晶得到的铸造单晶硅锭的与采用单晶晶棒切割作为籽晶的铸造单晶硅锭制备成的电池片的效率相当。
铸造单晶硅籽晶制备方法

[发明专利]一种稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构及其籽晶稳定方法-CN202211068294.2在审
发明人：许堃;李安君;吴超慧;汪沛渊;朱厚军;罗昌萍 -专利权人：宇泽半导体（云南）有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶籽晶加工技术领域，具体为一种稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构及其籽晶稳定方法，包括副室，副室的内部设置有重锤，副室的内部位于重锤的顶部处安装有定位环，重锤的顶端连接有钨丝绳，重锤的底端安装有夹头，夹头的底端夹持有籽晶。该稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构中，通过改变单晶炉副室的设计，实现了籽晶的稳定由人工完成变成由单晶炉完成切换，减少了人工稳定籽晶的操作，节省了人工；该用于稳定单晶籽晶的单晶炉副室结构的籽晶稳定方法中，对副室净化参数进行改进，保证在副室净化时，籽晶能够升降，单晶炉能够完成籽晶的自动升降，因此能够完成籽晶的自动稳定，达到籽晶稳定由单晶炉自动完成的目的。
一种稳定籽晶单晶炉副室结构及其方法

[发明专利]一种用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法及应用-CN201910231481.X有效
发明人：何亮;罗鸿志;周成;雷琦;李乐;李建敏;邹贵付 -专利权人：赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于铸造单晶硅的单晶籽晶铺设方法，包括：在坩埚底部将条状的边皮籽晶与厚度相等的其他条状籽晶等单晶籽晶进行夹条式铺设，形成单晶籽晶层，其中，相邻的两个单晶籽晶的侧面晶向的角度偏差在4‑30所形成的单晶籽晶层中相邻的两个单晶籽晶的侧面晶向存在角度偏差，构成了低晶界能的晶界，在引晶过程中可抑制单晶产生位错，最终制得位错少、少子寿命高的单晶硅锭。本发明还提供了由所述单晶籽晶层来铸造单晶硅锭的方法。
一种用于铸造单晶硅籽晶铺设方法应用

[发明专利]晶体硅锭的制备方法-CN201910703334.8在审
发明人：胡动力;陈红荣;张华利;游达 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅锭的制备方法，包括：在坩埚的底部中央铺设单晶籽晶，形成单晶籽晶层；在单晶籽晶层的四周分别依次铺设多个籽晶条，籽晶条与籽晶及相邻籽晶条之间相互接触的侧面晶向均不相同；在籽晶条与坩埚的侧壁之间的区域铺设多晶籽晶，形成多晶籽晶层；在单晶籽晶层、籽晶条及多晶籽晶层上设置硅料，加热熔化，控制坩埚内的温度，使单晶籽晶层、籽晶条及多晶籽晶层不完全熔化；形成由下向上逐步升高的温度梯度，使硅液在中心区域沿单晶籽晶的晶向定向凝固，边缘区域在多晶籽晶层形核生长，得到中间为单晶边缘为多晶的晶体硅锭。边缘区域多晶的生长被相邻的籽晶条所阻挡，阻隔了多晶向中心区域生长，增加了单晶面积，改善了边锭位错。
籽晶多晶单晶籽晶籽晶层晶体硅锭坩埚边缘区域中心区域铺设单晶晶向制备熔化底部中央定向凝固加热熔化温度梯度形核生长生长侧壁锭位硅料硅液阻隔升高阻挡侧面

[发明专利]一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法-CN201510216828.5有效
发明人：陈红荣;胡动力;何亮;徐云飞 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括以下步骤：(1)提供坩埚，将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，得到籽晶层；在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制温度，使得熔融状态的硅料在单晶硅籽晶上继承单晶硅籽晶的晶向结构进行生长，制得类单晶硅锭；(2)取出类单晶硅锭，在类单晶硅锭底部的籽晶位置处进行切割，得到一整块籽晶，籽晶顶部大小和形状与类单晶硅锭底部大小和形状基本相同；(3)将步骤(2)得到的籽晶铺设在坩埚底部，按照步骤(1)的方法制得类单晶硅锭。本发明提供的方法不会导致籽晶出现崩边缺角的现象，同时不会在籽晶中引入新的拼接缝，制得的类单晶硅锭位错少，质量好，大大降低了铸造类单晶的籽晶成本。
一种铸造类单晶用籽晶重复利用方法

[发明专利]一种单晶硅籽晶重复利用的方法、铸造单晶硅片及其制备方法-CN201910076657.9在审
发明人：尹翠哲;王小兵 -专利权人：尹翠哲;王小兵
申请日： 2019-01-26 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅籽晶重复利用的方法，用于制备铸造单晶硅片，包括以下步骤：(1)将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部；在籽晶层上方设置熔融硅料，熔融硅料继承单晶硅籽晶的晶向结构生长，制得铸造单晶硅锭；(2)将步骤（1）得到的铸造单晶硅锭进行开方得到小方锭，在每个小方锭的底部区域切割得到尾料籽晶；(3)将步骤(2)得到的尾料籽晶与其他尾料籽晶或者新单晶硅籽晶互相拼接铺设在坩埚底部，按照步骤(1)的方法制得铸造单晶硅锭(4)将步骤（3）所述铸造单晶硅锭依次经过切片和清洗得到所述铸造单晶硅片。本发明提供的方法使单晶硅籽晶能够完全或部分重复利用，大大降低了铸造单晶的籽晶成本。
一种单晶硅籽晶重复利用方法铸造及其制备

[发明专利]单晶硅籽晶拼接方法-CN201710824128.3在审
发明人：肖贵云;陈伟;陈志军;金浩;林瑶 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅籽晶的拼接方法，包括依次在每一单晶硅籽晶的拼接面涂覆粘结剂，然后将涂覆有所述粘结剂的单晶硅籽晶按预设位置依次在一水平工作台上拼接，以形成一籽晶层；静置预设时间后，通过机器手将所述籽晶层放入一坩埚的底端上述单晶硅籽晶的拼接方法，通过粘结剂将相邻两单晶硅籽晶的拼接面粘结在一起，并静置预设时间，以使粘结剂干固，进而使多个单晶硅籽晶形成以籽晶层，再将籽晶层放入坩埚底端，单晶硅籽晶拼接面之间的粘结剂，既起到粘结相邻两单晶硅籽晶的作用，又可消除相邻两单晶硅籽晶之间的拼接缝隙，避免了因拼接缝隙而导致的缺陷，提高了单晶硅成品的质量。
单晶硅籽晶拼接方法

[发明专利]一种类单晶籽晶的加工方法-CN201710145833.0在审
发明人：张泽兴;宋丽平;李建俊;赖昌权;黄林;董朝龙;曹军;许桢 -专利权人：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：一种类单晶籽晶的加工方法，包括以下步骤拉制单晶晶棒，用单晶开方机对其去除头部、尾部、侧部硅料，使其形成单晶方棒；将单晶方棒的部分籽晶横向切割成100面籽晶，部分籽晶切割成110面籽晶，并分别加以标识；分别对两种籽晶边部进行斜切，切割后的籽晶分为I类籽晶、II类籽晶；使斜切后的两种籽晶互相贴合成一平面，单晶籽晶加工完成以后进行阵列贴合处理，形成一个平面的两种籽晶较为平整，对坩埚底部没有冲击；籽晶上面正常铺设硅料开始铸锭，铸锭过程中通过半熔工艺保籽晶，最终铸锭成类单晶锭。
种类籽晶加工方法

[发明专利]铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法-CN202010758499.8有效
发明人：周声浪;张华利;胡动力;原帅;游达;周洁 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在容器的底部铺设回收单晶籽晶，形成单晶籽晶层；回收单晶籽晶自远离容器底部向靠近容器底部的方向为第一方向，第一方向与回收单晶籽晶的原晶体生长方向相同；在单晶籽晶层上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在长晶过程中改变了回收单晶籽晶中缺陷的生长方向，利用回收单晶籽晶中已有缺陷引导后续缺陷向与之前相反的方向扩展，实现了使用回收单晶籽晶生长的铸锭单晶硅锭的缺陷不再继续沿原方向扩展增殖，反而逐渐收窄甚至消失，提高了铸造单晶硅锭的良率。
铸造单晶硅及其制备方法

[发明专利]制造硅单晶籽晶和硅晶片的方法及硅晶片和硅太阳能电池-CN201310412780.6在审
发明人：安德烈亚斯·克劳斯;朱莉安娜·沃尔特;拉明·希拉 -专利权人：太阳世界创新有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及在硅晶片生产的范围内用于制造硅单晶籽晶和硅晶片的方法、硅晶片和硅太阳能电池，其中将硅单晶籽晶布置在坩埚的底部区域内，其中，所述硅单晶籽晶具有籽晶表面，该籽晶表面具有垂直于坩埚的底部区域的{110}晶体取向，其中从所述硅单晶籽晶的所述籽晶表面开始，将液态高纯度硅固化，并且其中通过使所述晶片表面具有{100}晶体取向的方式将硅块分割成硅晶片，其中，所述硅单晶籽晶由硅单晶块制成，所述硅单晶块的块轴线具有[110]空间取向，其中，切割所述硅单晶块，以形成所述硅单晶籽晶的具有平行于所述块轴线的所述{110}晶体取向的所述籽晶表面。
制造硅单晶籽晶晶片方法太阳能电池

[发明专利]一种类单晶籽晶的铺设方法-CN201811376708.1在审
发明人：黄晶晶;张涛;肖贵云;丁云飞;梅坤;姜志兴;叶鹏;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种类单晶籽晶的铺设方法，包括在坩埚底部紧密铺设厚度与籽晶熔化结束跳步高度相同的第一层单晶籽晶；在所述第一层单晶籽晶上面错位式紧密铺设第二层单晶籽晶，其中，所述第二层单晶籽晶的拼接缝与所述第一层单晶籽晶的拼接缝相互错开，因此即使因运输或高温导致第二层单晶籽晶之间产生拼接缝，高温熔化的液体穿透第二层单晶籽晶之间的拼接缝之后也不会进入第一层单晶籽晶之间的拼接缝，也就是说，这种铺设方法能够避免硅熔体沿着拼接缝向下流而冷却凝固产生多晶，从而提高高效单晶硅片的比例，并降低生产成本。
单晶籽晶拼接缝第一层铺设熔化单晶硅片高温熔化冷却凝固液体穿透错位式硅熔体错开多晶跳步籽晶坩埚申请运输

[发明专利]一种类单晶籽晶的铺设模具及方法-CN201810442963.5在审
发明人：汪沛渊;张涛;王全志;欧子杨;晏文勇;李省平;黄开发;李照武;刘文婷;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种类单晶籽晶的铺设模具及方法，其中该铺设模具包括尺寸与坩埚的尺寸相匹配的铺设模具本体；其中，铺设模具本体上设置有与单晶籽晶的尺寸相匹配、用于在将单晶籽晶铺设至坩埚的底部时供单晶籽晶穿过的安装部本申请公开的上述技术方案，铺设模具包括尺寸与坩埚的尺寸相匹配的铺设模具本体，在其上设置与单晶籽晶的尺寸相匹配、且供单晶籽晶穿过的安装部，通过借助铺设模具本体即可快速地确定单晶籽晶所要铺设的中心区域，从而缩短了铺设所花费的时间，提高了铺设的效率，并且通过借助铺设模具本体还可以使单晶籽晶尽可能准确地铺设在坩埚的中心区域，从而降低了单晶籽晶的铺设偏差，提高了类单晶硅块中的单晶占比。
单晶籽晶铺设模具本体坩埚模具匹配中心区域穿过类单晶硅准确地铺单晶申请

[发明专利]一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法-CN202010357713.9在审
发明人：何亮;何新根;雷琦;毛伟;徐云飞;周成;罗鸿志;程小娟;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司;赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括：(1)将类单晶硅锭的开方尺寸相同的单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，形成籽晶层；并利用该籽晶层制得类单晶硅锭；(2)将类单晶硅锭的底面朝上，将底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出，并使其延伸至类单晶硅锭的四个侧面；对类单晶硅锭开方得到多个第一硅块，且在开方前使开方钢线与籽晶拼接缝对齐，将第一硅块对应坩埚底部和开口的两个端面打磨平整后，再切割掉其上的籽晶区域，得到回收后的多块单晶硅籽晶，并标记每块的类型；(3)将步骤(2)得到的籽晶按步骤(1)的方法进行再利用。该方法可实现籽晶的多次高质量重复利用，降低了铸造类单晶的籽晶成本。
一种铸造类单晶用籽晶重复利用方法

[实用新型]自动稳定籽晶的单晶炉定位机构、单晶炉系统-CN202020649299.4有效
发明人：赵国伟;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;张红霞;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种自动稳定籽晶的单晶炉定位机构，设于单晶炉副室的顶端，包括连接装置和定位装置，连接装置的一端与单晶炉副室连接，连接装置的另一端与定位装置连接；以及，定位装置两端均与外界连通，且定位装置与副室同轴设置，以便于对籽晶进行定位、稳定。一种自动稳定籽晶的单晶炉系统，包括上述的自动稳定籽晶的单晶炉定位机构、籽晶提升装置和控制装置，定位机构设于单晶炉副室上部，籽晶提升装置穿过定位机构设于单晶炉副室内，控制装置与籽晶提升装置电连接，籽晶提升装置在控制装置的作用下，进行上升，并在定位机构的作用下对籽晶进行定位、稳定。本实用新型的有益效果是应用于直拉单晶过程中，能够在直拉单晶过程中对籽晶进行稳定，使得籽晶稳定这一过程实现自动进行，实现籽晶的自动稳定，降低了劳动的强度，提高了生产效率。
自动稳定籽晶单晶炉定位机构系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 37414 条