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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]单晶炉导流筒及单晶炉-CN202310685822.7在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种单晶炉导流筒及单晶炉。该单晶炉导流筒包括：外导流筒和设置于外导流筒内部的内导流筒；内导流筒包括锥筒部件和直筒部件；锥筒部件靠近单晶炉的炉口，直筒部件靠近单晶炉的炉底；锥筒部件为倒锥形结构，锥筒部件的下口与直筒部件的上口相连接本申请提供的单晶炉导流筒能够有效减小固液生长界面径向方向上单晶中心与边缘的温度梯度差异，提高固液生长界面的径向V/G的均匀性，同时增大单晶上半部分的散热，从而减小直拉生长的单晶中COP缺陷的尺寸和数量。
单晶炉导流

[实用新型]一种单晶炉的炉盖及单晶炉-CN202123095843.9有效
发明人：杨西虎;杨超;武绚丽 -专利权人：曲靖晶龙电子材料有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉的炉盖及单晶炉，包括：炉盖主体，上端中心形成圆形通孔，下端覆盖单晶炉的主室体；炉盖小副室筒，竖直延伸并连通在炉盖主体的圆形通孔处；分流环，设置在炉盖小副室筒的顶端，具有输送惰性气体的进气口和出气口，进气口与外部惰性气体源连通，出气口位于炉盖小副室筒的内壁处；导气管，沿炉盖小副室筒的内壁从出气口延伸至炉盖主体的圆形通孔处。本实用新型的单晶炉的炉盖及单晶炉，通过将导气管延伸至炉盖小副室筒的底端，使得惰性气体可以直接进入单晶炉，杜绝了惰性气体与炉盖小副室筒筒壁干扰产生涡流后在筒壁上沉积氧化物的问题，从而也避免了氧化物掉入单晶炉内，造成成晶困难及影响单晶质量的问题。
一种单晶炉

[实用新型]一种用于晶体生长的单晶炉系统-CN202021245706.1有效
发明人：汪沛渊;尚伟泽;白枭龙;张涛 -专利权人：晶科能源有限公司;晶科绿能(上海)管理有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于晶体生长的单晶炉系统，单晶炉系统包括：保温筒；炉体，所述炉体包括炉底，且所述炉底用于支撑所述保温筒；以及提升装置；其中，当所述单晶炉处于工作状态时，所述保温筒支撑于所述炉底，当所述单晶炉处于非工作状态时，所述提升装置用于驱动所述保温筒沿高度方向运动到离所述炉底预设距离的位置。本申请的设置方式能够增大保温筒底部的换热面积，从而提高保温筒的冷却效率，降低保温筒冷却到预设温度(例如低于400度)时所需的时间，即降低单晶炉系统的停炉冷却时间，提高单晶的生产效率，降低生产成本。
一种用于晶体生长单晶炉系统

[发明专利]一种单晶炉及单晶炉用热场-CN202310374884.6在审
发明人：闫洪嘉;李安君;许堃 -专利权人：云南宇泽半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉及单晶炉用热场，涉及单晶炉技术领域。该单晶炉及单晶炉用热场，包括固定台，所述固定台的上侧固定连接有下炉筒，所述下炉筒的上侧放置有炉盖，所述炉盖的上侧中部开孔，所述炉盖的上侧固定连接有副室筒，所述副室筒的下端通过炉盖上的孔与炉盖的下侧连通，所述副室筒的外壁固定连接有连接架，所述副室筒的上侧固定连接有安装台，所述安装台的上侧固定连接有支架，所述支架的上侧固定连接有卷扬机，所述卷扬机的外壁上侧固定连接有连接杆。该单晶炉及单晶炉用热场，通过设置有防掉落机构可保障在限位环断裂时避免出现晶棒掉落造成的断晶问题。
一种单晶炉单晶炉用热场

[发明专利]一种用于单晶硅制备的单晶炉及单晶硅的制备方法-CN202110651170.6有效
发明人：欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能单晶硅制造领域，特别涉及一种用于单晶硅制备的单晶炉，单晶炉可在第一工作状态与第二工作状态之间转换，其中，当单晶炉在第一工作状态与第二工作状态之间转换时，第一保温筒相对于第二保温筒移动；当单晶炉处于第一工作状态时，第二保温筒的侧壁盖合第一开口、以将反应腔室与单晶炉的外部隔断；当单晶炉处于第二工作状态时，第二保温筒露出第一开口、以使反应腔室经由第一开口连通至单晶炉的外部。本申请实施例还提供一种单晶硅的制备方法。本申请实施例提供的用于单晶硅制备的单晶炉及单晶硅的制备方法，可简化将单晶炉内的反应腔室与单晶炉的外部连通的操作过程。
一种用于单晶硅制备单晶炉方法

[实用新型]单晶炉二次加料装置-CN201020628818.5有效
发明人：孙飞鹏 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉制造设备，具体是一种单晶炉二次加料装置。它包括单晶炉、设置在单晶炉内的石英坩埚，单晶炉内石英坩埚的上方设有加料筒，加料筒的顶端通过法兰盘设置在炉口上，加料筒中心处设有套管；吊杆自上而下贯穿于套管并通到加料筒底部；吊杆底部设置有与加料筒相配合的托碗；托碗的顶面为锥形面；单晶炉炉口处设置有控制吊杆升降的升降装置。采用这样的结构后，由于加料筒内能够放置硅料增加了单晶炉的投料量；手柄控制的升降装置使结构简单方便操作；设置于底部的锥形面的托碗使其与加料筒的密封性良好同时也有利于硅料顺利的掉落到单晶炉内进一步提高了使用性能；简单的结构与良好的密封性提高了单晶炉的投料量增加了产能。
单晶炉二次加料装置

[实用新型]一种单晶炉的导流筒结构-CN202222258234.9有效
发明人：叶钢飞;高宇;石明智;詹文平;倪军夫;俞安洲;朱亮;傅林坚 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请涉及单晶炉，尤其是涉及一种单晶炉的导流筒结构，连接于单晶炉本体上，包括：导流筒，所述导流筒连接于所述单晶炉本体上，所述导流筒与所述单晶炉本体之间形成有至少三个连接点位；其中，所有所述连接点位不在同一直线上解决了现有技术中导流筒的连接结构不稳定的技术问题；达到提高导流筒稳定性的技术效果。
一种单晶炉导流结构

[实用新型]一种单晶炉停炉快速冷却热场装置及单晶炉-CN202220398472.7有效
发明人：龚小伦;关树军;张鹏;路建华;李飞剑;杨春祥 -专利权人：乐山市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅生产设备的技术领域，具体涉及一种单晶炉停炉快速冷却热场装置及单晶炉。一种单晶炉停炉快速冷却热场装置，包括可上下分离的上保温筒和中下保温筒，所述上保温筒与中下保温筒分离后形成中间缝隙，所述中间缝隙的缝距可调节。本实用新型利用上保温筒与中下保温筒之间的间隙大量辐射热场内部的热量，单晶炉内高温区的热量直接辐射到炉壁上，炉壁维持单晶生产低压环境，带走热场余热，形成横向温度梯度，停炉时吸收上保温筒与中下保温筒形成的缝隙间辐射出来的热量利用此装置，可有效降低停炉时间，并提升单晶炉和热场使用效率。
一种单晶炉停炉快速冷却装置单晶炉

[实用新型]一种单晶炉副室炉筒内壁除尘装置-CN201420306480.X有效
发明人：王新海;张永军;李俊涛 -专利权人：陕西国防工业职业技术学院
申请日： 2014-06-10 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： B08B9/087 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉清洁技术领域，具体为一种单晶炉副室炉筒内壁除尘装置。本实用新型通过在清洁材料下层添加弹性材料，增加清洁材料的柔性，实现所述清洁材料与炉筒内壁的软性接触，减少清洁除尘操作中因操作不当导致的清洁装置对炉筒内壁造成的划伤；通过采用支杆铰接结构设计，所述单晶炉副室炉筒内壁除尘装置可适应多种内径尺寸的炉筒的清洁需求；通过采用多弧形刷结构设计，所述单晶炉副室炉筒内壁除尘装置增大了清洁材料与炉筒内壁的接触面积，提高清洁效率。
一种单晶炉副室炉筒内壁除尘装置

[实用新型]一种单晶炉系统-CN201520270350.X有效
发明人：苏金玉;战永强;陈洁;肖慧转 -专利权人：特变电工新疆新能源股份有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉系统，其包括副炉室、炉盖及主炉室，该单晶炉系统还包括冷却装置，所述冷却装置包括法兰和中空的筒体，所述筒体设于炉盖内部，晶棒能够从筒体中穿过，所述法兰设于主炉室与炉盖结合的位置，法兰与筒体连通，筒体的顶端的高度高于法兰的高度，冷却水进入法兰后，再流到筒体内，然后从筒体流回至法兰中，最后从法兰流出。该单晶炉系统中的冷却装置的安装方式不受单晶炉脖口的限制，且所述冷却装置的冷却效果好，能够加快热场上部及晶棒表面热量的散失。
一种单晶炉系统

[实用新型]单晶炉掺杂料斗-CN200920041773.9有效
发明人：程宜红;吴伟忠 -专利权人：常州有则科技有限公司
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉掺杂料斗，用于直拉式硅单晶炉掺杂、二次或多次投料。包括料筒、卸料立杆和斗瓣。卸料立杆自上而下穿过料筒内壁刚性支架上的导套，通向料筒底部。斗瓣与料筒由料筒底端外壁上铰臂相连接，斗瓣闭合时，斗瓣底部卡合在卸料立杆下端的柱头凹槽内，此时斗瓣与斗瓣侧边接缝处、斗瓣与料筒接缝处合拢无间隙。料筒上部外壁有一法兰盘，投料时缓慢下降单晶炉掺杂料斗，当法兰盘与单晶炉炉盖法兰接触后，料筒停止下降而卸料立杆继续下降，三瓣斗瓣自动打开，物料落入单晶炉。该设备结构简单，可在硅单晶的生产过程中，方便、精确地进行掺杂、二次或多次加料，且不影响单晶炉炉内工艺环境，提高硅单晶质量且降低生产成本。
单晶炉掺杂料斗

[实用新型]硅单晶生长炉的导流筒升降机构-CN201120066960.X无效
发明人：蔡光进;韩喆;李国迪;蒋明霞 -专利权人：浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅单晶生长炉的导流筒升降机构，其特征在于：硅单晶生长炉的导流筒升降机构包括吊钩、拉杆和座套，座套套接在硅单晶生长炉的引晶装置的重锤杆上，吊钩固定在导流筒的上端口，拉杆的上端与座套铰接连接本实用新型用于硅单晶生长炉，可以提高硅单晶生长炉每次的投料量，增大硅单晶生长炉的产能，节约成本。
硅单晶生长导流升降机构

[发明专利]一种增高单晶炉-CN201110301515.1无效
发明人：张燕青 -专利权人：镇江大成新能源有限公司
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增高单晶炉，包括炉筒和连接在所述炉筒上方的磁流体，还包括增高筒，所述增高筒连接在所述炉筒和所述磁流体之间。本发明的优点是在原有单晶炉炉筒和磁流体之间加装一段高度适合的增高筒，既保留了投料最大化的生产要求，又适应了单晶硅棒长度增长情况下的取棒操作。
一种增高单晶炉

[实用新型]一种新型单晶硅生长炉保温筒-CN201420356526.9有效
发明人：黄建明;方海明;詹国彬 -专利权人：上海东洋炭素有限公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种新型单晶硅生长炉保温筒，包括炉底炭毡保温筒和石墨炉底保温筒，其特征在于：所述炉底炭毡保温筒位于外层，所述石墨炉底保温筒位于内层；所述石墨炉底保温筒被分成几部分；所述炉底炭毡保温筒厚度加大本实用新型通过在单晶硅生长炉炉底电极位置作避让措施，使保温层的厚度增加，从而在单晶硅长晶运行过程中提高底部保温作用，有效降低能耗。
一种新型单晶硅生长保温

[实用新型]一种单晶炉筒-CN201320274825.3有效
发明人：余小金;郑裕财;金炯;郜勇军 -专利权人：浙江矽盛电子有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉筒，该单晶炉筒的本体上且位于单晶炉的中保温筒的底部位置处设有挂钩，挂钩与单晶炉的中保温筒的底部相衔接。采用本实用新型，可通过挂钩直接将中单晶炉的上保温盖、上保温筒、上连接环和中保温筒直接取出，然后，只需要等待10～20分钟的时间降温，就可以依次取出下连接环、加热器、下保温筒和底部碳毡，大大缩短辅助生产时间
一种单晶炉筒

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