专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单晶导流单晶-CN202310685822.7在审
  • 郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 - 中电科先进材料技术创新有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-08-01 - C30B29/06
  • 本申请适用于半导体技术领域,提供了一种单晶导流单晶。该单晶导流包括:外导流和设置于外导流内部的内导流;内导流包括锥部件和直部件;锥部件靠近单晶口,直部件靠近单晶底;锥部件为倒锥形结构,锥部件的下口与直部件的上口相连接本申请提供的单晶导流能够有效减小固液生长界面径向方向上单晶中心与边缘的温度梯度差异,提高固液生长界面的径向V/G的均匀性,同时增大单晶上半部分的散热,从而减小直拉生长的单晶中COP缺陷的尺寸和数量。
  • 单晶炉导流
  • [实用新型]一种单晶盖及单晶-CN202123095843.9有效
  • 杨西虎;杨超;武绚丽 - 曲靖晶龙电子材料有限公司
  • 2021-12-10 - 2022-05-24 - C30B15/00
  • 本实用新型提供一种单晶盖及单晶,包括:盖主体,上端中心形成圆形通孔,下端覆盖单晶的主室体;盖小副室,竖直延伸并连通在盖主体的圆形通孔处;分流环,设置在盖小副室的顶端,具有输送惰性气体的进气口和出气口,进气口与外部惰性气体源连通,出气口位于盖小副室的内壁处;导气管,沿盖小副室的内壁从出气口延伸至盖主体的圆形通孔处。本实用新型的单晶盖及单晶,通过将导气管延伸至盖小副室的底端,使得惰性气体可以直接进入单晶,杜绝了惰性气体与盖小副室壁干扰产生涡流后在壁上沉积氧化物的问题,从而也避免了氧化物掉入单晶内,造成成晶困难及影响单晶质量的问题。
  • 一种单晶炉
  • [发明专利]一种单晶单晶用热场-CN202310374884.6在审
  • 闫洪嘉;李安君;许堃 - 云南宇泽半导体有限公司
  • 2023-04-10 - 2023-07-14 - C30B29/06
  • 本发明公开了一种单晶单晶用热场,涉及单晶技术领域。该单晶单晶用热场,包括固定台,所述固定台的上侧固定连接有下,所述下的上侧放置有盖,所述盖的上侧中部开孔,所述盖的上侧固定连接有副室,所述副室的下端通过盖上的孔与盖的下侧连通,所述副室的外壁固定连接有连接架,所述副室的上侧固定连接有安装台,所述安装台的上侧固定连接有支架,所述支架的上侧固定连接有卷扬机,所述卷扬机的外壁上侧固定连接有连接杆。该单晶单晶用热场,通过设置有防掉落机构可保障在限位环断裂时避免出现晶棒掉落造成的断晶问题。
  • 一种单晶炉单晶炉用热场
  • [实用新型]单晶二次加料装置-CN201020628818.5有效
  • 孙飞鹏 - 镇江环太硅科技有限公司
  • 2010-11-29 - 2011-10-26 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及单晶制造设备,具体是一种单晶二次加料装置。它包括单晶、设置在单晶内的石英坩埚,单晶内石英坩埚的上方设有加料,加料的顶端通过法兰盘设置在口上,加料中心处设有套管;吊杆自上而下贯穿于套管并通到加料底部;吊杆底部设置有与加料相配合的托碗;托碗的顶面为锥形面;单晶口处设置有控制吊杆升降的升降装置。采用这样的结构后,由于加料内能够放置硅料增加了单晶的投料量;手柄控制的升降装置使结构简单方便操作;设置于底部的锥形面的托碗使其与加料的密封性良好同时也有利于硅料顺利的掉落到单晶内进一步提高了使用性能;简单的结构与良好的密封性提高了单晶的投料量增加了产能。
  • 单晶炉二次加料装置
  • [实用新型]一种单晶系统-CN201520270350.X有效
  • 苏金玉;战永强;陈洁;肖慧转 - 特变电工新疆新能源股份有限公司
  • 2015-04-29 - 2015-11-25 - C30B15/14
  • 本实用新型公开了一种单晶系统,其包括副室、盖及主室,该单晶系统还包括冷却装置,所述冷却装置包括法兰和中空的体,所述体设于盖内部,晶棒能够从体中穿过,所述法兰设于主室与盖结合的位置,法兰与体连通,体的顶端的高度高于法兰的高度,冷却水进入法兰后,再流到体内,然后从体流回至法兰中,最后从法兰流出。该单晶系统中的冷却装置的安装方式不受单晶脖口的限制,且所述冷却装置的冷却效果好,能够加快热场上部及晶棒表面热量的散失。
  • 一种单晶炉系统
  • [实用新型]单晶掺杂料斗-CN200920041773.9有效
  • 程宜红;吴伟忠 - 常州有则科技有限公司
  • 2009-04-03 - 2010-01-20 - C30B15/04
  • 本实用新型公开了一种单晶掺杂料斗,用于直拉式硅单晶掺杂、二次或多次投料。包括料、卸料立杆和斗瓣。卸料立杆自上而下穿过料内壁刚性支架上的导套,通向料底部。斗瓣与料由料底端外壁上铰臂相连接,斗瓣闭合时,斗瓣底部卡合在卸料立杆下端的柱头凹槽内,此时斗瓣与斗瓣侧边接缝处、斗瓣与料接缝处合拢无间隙。料上部外壁有一法兰盘,投料时缓慢下降单晶掺杂料斗,当法兰盘与单晶盖法兰接触后,料停止下降而卸料立杆继续下降,三瓣斗瓣自动打开,物料落入单晶。该设备结构简单,可在硅单晶的生产过程中,方便、精确地进行掺杂、二次或多次加料,且不影响单晶内工艺环境,提高硅单晶质量且降低生产成本。
  • 单晶炉掺杂料斗
  • [实用新型]一种单晶-CN201320274825.3有效
  • 余小金;郑裕财;金炯;郜勇军 - 浙江矽盛电子有限公司
  • 2013-05-20 - 2013-11-13 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及一种单晶,该单晶的本体上且位于单晶的中保温的底部位置处设有挂钩,挂钩与单晶的中保温的底部相衔接。采用本实用新型,可通过挂钩直接将中单晶的上保温盖、上保温、上连接环和中保温直接取出,然后,只需要等待10~20分钟的时间降温,就可以依次取出下连接环、加热器、下保温和底部碳毡,大大缩短辅助生产时间
  • 一种单晶炉筒

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