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[发明专利]新型单晶炉-CN202011384456.4有效
发明人：欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种新型单晶炉，其包括主炉室和副炉室，副炉室与主炉室连通，其中，该新型单晶炉还包括料室，料室上设置有加料口，料室通过加料口与主炉室连通。料室中设置有加料机构，加料机构可伸缩地穿设在加料口中，用于穿过加料口并向主炉室内的坩埚中加料。本申请提供的新型单晶炉，通过设置料室，实现了在旋出单晶棒的过程中进行加料操作，有效缩短了旋出单晶棒和加料操作共同消耗的时间，提升了生产效率。
新型单晶炉

[实用新型]一种单晶硅生长炉-CN200820168764.1无效
发明人：李国迪;谈志俊;蒋明霞 -专利权人：浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅生长炉，包括主炉室、副炉室和引晶装置，主炉室和副炉室之间设有翻盖阀门，其特征在于：所述单晶硅生长炉还设有二次加料装置。该单晶硅生长炉可以在保持单晶炉处于高温状态时重复加料，完成多根单晶棒生产，既节省了与单晶炉配套的石英坩锅用量、又节约了能耗。
一种单晶硅生长

[发明专利]具备双副炉室结构的单晶炉及单晶硅生产方法-CN201110186275.5有效
发明人：朱亮;王魏;孙明;曹建伟;邱敏秀 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及直拉硅单晶炉设备，旨在提供一种具备双副炉室结构的单晶炉及单晶硅生产方法。该单晶炉有一个主炉室，主炉室上部装配有一个副炉室；该单晶炉还额外配置一个副炉室，两个副炉室均具备炉筒、晶体提升机构、水平调整机构、副炉室旋转机构和控制副炉室升降的液压缸，副炉室旋转机构均通过连接件活动安装于支撑柱上；各副炉室的下端设置一个副炉室闸阀，副炉室闸阀内设置活动的阀板；所述主炉室的上端设有一个隔离阀座，隔离阀座内部设置活动的主炉室隔离阀板，隔离阀座上侧与两个副炉室闸阀相互匹配。通过两个炉筒的交替使用，可在晶棒冷却的同时进行下一根晶棒的拉制，缩短了生产周期，大幅度提高生产效率，有效降低成本。
具备双副炉室结构单晶炉单晶硅生产方法

[发明专利]一种从单晶炉中取出单晶棒的方法-CN201110134324.0无效
发明人：牛小群 -专利权人：浙江星宇能源科技有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从单晶炉中取出单晶棒的方法，该方法是通过提拉头将拉好的单晶棒升至副炉室、观察室及炉盖以上后，再将提拉头及单晶棒随副炉室、观察室、炉盖一起向侧边移至主炉室外，并对准在侧边的主炉室的地下开有的槽孔，然后降下单晶棒，把单晶棒放入槽孔至炉盖以下部位，即可取出单晶棒。采用本发明，可以通过增加直拉单晶棒的有效行程，将每炉的硅料加满，并一次性制成单晶棒，达到提高生产效率，降低生产成本的目的。
一种单晶炉中取出单晶棒方法

[实用新型]具备双副炉室结构的单晶炉-CN201120233866.9有效
发明人：朱亮;王魏;孙明;曹建伟;邱敏秀 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及直拉硅单晶炉设备，旨在提供一种具备双副炉室结构的单晶炉。该单晶炉有一个主炉室，主炉室上部装配有一个副炉室；该单晶炉还额外配置一个副炉室，两个副炉室均具备炉筒、晶体提升机构、水平调整机构、副炉室旋转机构和控制副炉室升降的液压缸，副炉室旋转机构均通过连接件活动安装于支撑柱上；各副炉室的下端设置一个副炉室闸阀，副炉室闸阀内设置活动的阀板；所述主炉室的上端设有一个隔离阀座，隔离阀座内部设置活动的主炉室隔离阀板，隔离阀座上侧与两个副炉室闸阀相互匹配。通过两个炉筒的交替使用，可在晶棒冷却的同时进行下一根晶棒的拉制，缩短了生产周期，大幅度提高生产效率，有效降低成本。
具备双副炉室结构单晶炉

[实用新型]一种新型单晶炉-CN201621055949.2有效
发明人：王永辉 -专利权人：保定爱廸新能源股份有限公司;英利能源（中国）有限公司
申请日： 2016-09-15 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型单晶炉，包括单晶炉体和石墨坩埚，所述单晶炉体由主炉室和设置在主炉室上部的副炉室组成，主炉室的内腔中的固定设置有加热装置和保温层，所述副炉室的内腔与主炉室的内腔相连通，所述石墨坩埚的数量为三个，三个石墨坩埚均匀固定设置在主炉室的内腔的上部空间中，所述加热装置环绕三个石墨坩埚的外围设置，所述保温层环绕加热装置的外围设置，所述副炉室的数量为三个，三个副炉室分别对应设置在三个石墨坩埚的上方，三个副炉室的上端均设置有提拉机构，所述提拉机构均连接有位于副炉室内的提拉绳，所述提拉绳的下端伸入到主炉室内的石墨坩埚的上部。该单晶炉结构简单、生产效率高、能源消极小。
一种新型单晶炉

[发明专利]一种提效降本的单晶炉自动化逻辑工艺方法-CN202310233206.8在审
发明人：董帅;王军磊;王艺澄 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;云南美科新能源发展有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提效降本的单晶炉自动化逻辑工艺方法，依次包括基于PLC控制的拆清、炉盖旋开、主室旋开、主室旋回、装料、合炉盖、主室提升、主室下降、主室爪抓取和副室下降一系列步骤。本发明的优点在于可以更迅速地落实自动化系统，减少单晶炉在机械运动过程中的人员操作时间，提升单晶炉运行过程中的工作效率，有效节省人力成本，促进产业升级。
一种提效降单晶炉自动化逻辑工艺方法

[实用新型]缩短单晶炉熔料时间的加热系统及单晶炉-CN201821547714.4有效
发明人：段均;陈玉林 -专利权人：四川英杰电气股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C30B15/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种缩短单晶炉熔料时间的加热系统及单晶炉，涉及熔炼设备领域。该缩短单晶炉熔料时间的加热系统包括：单晶炉、电子束装置和切换装置；单晶炉包括主炉室、隔离阀和副炉室，隔离阀设于主炉室和所示副炉室之间，主炉室与隔离阀固定连接，副炉室与隔离阀可拆卸连接；切换装置包括第一连接臂、第二连接臂和切换件，第一连接臂和第二连接臂的一端分别与切换件固定连接，副炉室与第一连接臂的另一端固定连接，电子束装置与第二连接臂的另一端固定连接；电子束装置与主炉室可拆卸连接。
单晶炉连接臂熔料副炉室隔离阀主炉室电子束装置加热系统可拆卸连接切换装置切换件本实用新型工艺过程加热效率熔炼设备节约能源污染

[发明专利]一种单晶炉及晶棒生长方法-CN202310789369.4在审
发明人：秦浩;潘浩;郭超超 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种单晶炉及晶棒生长方法，所述单晶炉的炉室包括主炉室及设置在所述主炉室顶部的副炉室，所述副炉室与所述主炉室内腔相通，所述副炉室的腔体沿着竖直方向延伸，所述副炉室的腔体顶部设有用于沿所述竖直方向提拉晶棒的籽晶提升机构，所述炉室的炉壁设有沿所述竖直方向依次排列的四个冷却单元，每个所述冷却单元的冷却温度可独立控制，以在所述竖直方向上分段控制所述炉室的温度。本公开提供了一种单晶炉及晶棒生长方法可减少晶棒原生缺陷的形成。
一种单晶炉生长方法

[实用新型]一种直拉单晶炉冷却水循环系统-CN202223501928.7有效
发明人：卢亮;鞠贵冬;李煜川;黄晶晶;唐姊瑀 -专利权人：江苏双良冷却系统有限公司;双良节能系统股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉单晶炉冷却水循环系统，与直拉单晶炉组件结合安装，所述直拉单晶炉组件包括炉底、副室、主室上部、主室下部、隔离阀、电源柜、水冷屏以及泵，所述直拉单晶炉冷却水循环系统包括第一管路和第二管路；所述第一管路串联紧贴所述炉底、所述副室、所述主室上部、所述主室下部以及所述隔离阀，且所述第一管路包括第一冷却塔和第一蓄水池；所述第二管路串联紧贴所述电源柜、所述水冷屏以及所述泵，且所述第二管路包括第二冷却塔和第二蓄水池所述直拉单晶炉冷却水循环系统节水效果更好。
一种直拉单晶炉冷却水循环系统

[发明专利]一种高质量GaAs单晶合成装置-CN202210145465.0在审
发明人：朱永生;刘春宝 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本申请涉及单晶合成的领域，涉及一种高质量GaAs单晶合成装置，其包括设置于主炉室与副炉室之间的密封盘与密封罩，密封盘与主炉室、副炉室转动连接，且用于分隔主炉室与副炉室，密封罩罩设在密封盘外周，且密封罩内填充有惰性气体本申请具有主炉室与副炉室进行了两道有效的密封，密封罩在密封盘内进一步进行气体密封，有效阻隔外界空气进入，使得主炉室内保持惰性气体填充与恒压，确保合成GaAs单晶的质量的效果。
一种质量 gaas 合成装置

[实用新型]一种应用于电子级硅单晶炉的主炉室结构-CN202022467137.1有效
发明人：刘丁;弋英民;张晶;张新雨;黄伟超 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于电子级硅单晶炉的主炉室结构，包括设置于主炉室的最上部的上法兰和主炉室的最下部下法兰，主炉室的内壁的上下分别与上法兰和下法兰进行双面焊接，内壁外侧的外壁(3)的上下也分别与上法兰和下法兰进行焊接本实用新型解决了现有技术中存在的电子级硅单晶炉在工作时由于高温造成主炉室的变形技术问题以及长期使用主炉室存在的漏水隐患的问题；从而降低了主炉室的故障率提高了电子级硅单晶炉的工作效率。
一种应用于电子级硅单晶炉主炉室结构

[实用新型]一种新型双副室单晶炉-CN202020037070.5有效
发明人：卢阳华;马向东 -专利权人：深圳晶鑫智造科技有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型双副室单晶炉，包括一机架、设置在机架上的一主炉室、一第一驱动机构与一第二驱动机构、以及与第一驱动机构、第二驱动机构输出端对应连接的第一副炉室与第二副炉室。本实用新型的是设计一种全新的双副室单晶炉，一个上部配置高精度提拉头的副室用于拉硅单晶棒，另一个上部配置低成本提升机的副室用于二次加料；从而节约停炉等待时间，大幅提高单炉的产出量和单晶炉主炉室的使用效率，减少电能和Ar气消耗，降低单晶硅生产成本。
一种新型双副室单晶炉

[发明专利]拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片-CN201910562644.2在审
发明人：张婉婉;文英熙;柳清超 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片，其中，拉晶炉用于制造单晶硅锭，包括：炉体，所述炉体内包括主炉室和与所述主炉室相连通的副炉室，所述副炉室上设有用于通入惰性气的进气口；冷却装置，所述冷却装置设置在所述炉体内，用于在拉制单晶硅锭时，对所述单晶硅锭冷却；挡板，所述挡板固定设置在所述副炉室内，并与所述进气口相对设置，用于对从所述进气口通入的惰性气体进行分流，以使得惰性气体流向所述单晶硅锭的外周面并结合所述冷却装置对所述单晶硅棒进行冷却本发明实施例的拉晶炉能够快速的对单晶硅锭降温，提高单晶硅锭的质量。
单晶硅锭拉晶炉进气口冷却装置挡板惰性气体副炉室主炉室硅片制备冷却体内单晶硅棒固定设置相对设置拉制惰性气外周面副炉炉体室内分流制造

[实用新型]一种单晶炉的炉盖及单晶炉-CN202123095843.9有效
发明人：杨西虎;杨超;武绚丽 -专利权人：曲靖晶龙电子材料有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉的炉盖及单晶炉，包括：炉盖主体，上端中心形成圆形通孔，下端覆盖单晶炉的主室体；炉盖小副室筒，竖直延伸并连通在炉盖主体的圆形通孔处；分流环，设置在炉盖小副室筒的顶端，具有输送惰性气体的进气口和出气口，进气口与外部惰性气体源连通，出气口位于炉盖小副室筒的内壁处；导气管，沿炉盖小副室筒的内壁从出气口延伸至炉盖主体的圆形通孔处。本实用新型的单晶炉的炉盖及单晶炉，通过将导气管延伸至炉盖小副室筒的底端，使得惰性气体可以直接进入单晶炉，杜绝了惰性气体与炉盖小副室筒筒壁干扰产生涡流后在筒壁上沉积氧化物的问题，从而也避免了氧化物掉入单晶炉内，造成成晶困难及影响单晶质量的问题。
一种单晶炉

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