专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]底座和多晶开方机构-CN202022193078.3有效
  • 欧子杨;白枭龙;尚伟泽;金浩 - 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
  • 2020-09-29 - 2021-09-17 - B28D5/00
  • 底座设置于多晶开方机上,包含:可旋转装置,带动单晶单晶的轴线旋转,单晶上具有多根平行于单晶轴线的棱线;检测装置,用于检测单晶的棱线;主控系统,与可旋转装置和检测装置通讯连接,用于在检测装置检测到棱线后当检测装置检测到单晶的棱线时,可旋转装置即可带动单晶进行旋转,使得切割单晶的钢线与单晶的棱线之间存在预设夹角,钢线从该预设夹角切割后,即可获得理想的最终产物。因此,通过本发明中的底座与多晶开方机的配合,即可使得多晶开方机也能够切割单晶
  • 底座多晶开方机构
  • [发明专利]一种新型单晶切割方法-CN202011143473.9在审
  • 尚天保;单远 - 尚天保
  • 2020-10-23 - 2021-03-19 - B28D5/00
  • 本发明涉及清洁能源太阳能光伏单晶和半导体单晶技术领域,具体涉及一种新型新型单晶切割方法。包括以下步骤,切割定位端面A;根据预制硅片尺寸与单晶直径关系,确定斜切角度;利用金刚线按照斜切角度,切除单晶两端角;从单晶一端依据斜切角度切割,形成圆形单晶硅片;将硅片去掉多余边角;将切割好的单晶硅片进行清洗测量检验得到成品通过将单晶按照硅片尺寸要求以及直径大小关系计算最优斜切角度后,进行斜切,从而显著提高了材料利用率,及硅片有效总面积。
  • 一种新型单晶圆棒切割方法
  • [发明专利]110偏晶向硅片的制备工艺-CN202111560346.3在审
  • 宫龙飞;曹育红;符黎明 - 常州时创能源股份有限公司
  • 2021-12-20 - 2022-03-15 - B28D5/00
  • 本发明公开了一种110偏晶向硅片的制备工艺,包括:单晶开方制得单晶硅方单晶硅方切片制得硅片;具体的:选择晶向为100的单晶单晶开方过程中,先将硅棱线与晶托棱线一一对准的单晶顺时针或逆时针旋转45°,再将单晶顺时针或逆时针旋转θ角,θ角大于0°小于45°;再将单晶开方,制得与单晶同向延伸的单晶硅方单晶硅方切片过程中,切片方向平行于单晶硅方的某一侧面,制得硅片,该硅片的晶向为本发明能制备晶向偏离110一定角度的偏晶向硅片,且降低了偏晶向硅片的工艺难度,提升了硅的利用率,还降低了偏晶向硅片的制造成本。
  • 110硅片制备工艺
  • [发明专利]100偏晶向硅片的制备方法-CN202111560348.2在审
  • 宫龙飞;曹育红;符黎明 - 常州时创能源股份有限公司
  • 2021-12-20 - 2022-03-18 - B28D5/00
  • 本发明公开了一种100偏晶向硅片的制备方法,包括:单晶开方制得单晶硅方单晶硅方切片制得硅片;具体的:选择晶向为100的单晶单晶开方过程中,先将硅棱线与晶托棱线一一对准的单晶顺时针或逆时针旋转θ角,θ角大于0°小于45°;再将单晶开方,制得与单晶同向延伸的单晶硅方;该单晶硅方包括一对端面以及四个侧面;单晶硅方切片过程中,切片方向平行于单晶硅方的某一侧面,制得硅片,该硅片的晶向为本发明能制备晶向偏离100一定角度的偏晶向硅片,且降低了偏晶向硅片的工艺难度,提升了硅的利用率,还降低了偏晶向硅片的制造成本。
  • 100硅片制备方法
  • [发明专利]一种大尺寸单晶切割装置和切割方法-CN201910692584.6在审
  • 匡文军;史彦龙;马洋;高润飞;谷守伟;徐强 - 内蒙古中环光伏材料有限公司
  • 2019-07-30 - 2021-02-02 - B28D5/00
  • 本发明涉及一种大尺寸单晶切割装置,切割室内设有“井”字型金刚线,“井”字型金刚线设置在单晶一端并与单晶的端面平行;切割室内壁上设有边皮夹紧装置,边皮夹紧装置包括四个,四个边皮夹紧装置分别对应单晶切割得到的四个边皮;切割时在单晶一端通过“井”字型金刚线沿单晶轴线方向对单晶进行切割。本发明的有益效果是:采用“井”字型金刚线从端面下刀,金刚线和单晶接触面积较小,线弓也会较小,能够提升硅的加工效率;采用分段式切割方式,配合边皮夹具固定切下的边皮,能够有效的降低硅崩损的概率,并能够有效提高单晶的表面质量
  • 一种尺寸单晶圆棒切割装置方法
  • [实用新型]一种大尺寸单晶切割装置-CN201921209042.0有效
  • 匡文军;史彦龙;马洋;高润飞;谷守伟;徐强 - 内蒙古中环光伏材料有限公司
  • 2019-07-30 - 2020-07-14 - B28D5/00
  • 本实用新型涉及一种大尺寸单晶切割装置,切割室内设有“井”字型金刚线,“井”字型金刚线设置在单晶一端并与单晶的端面平行;切割室内壁上设有边皮夹紧装置,边皮夹紧装置包括四个,四个边皮夹紧装置分别对应单晶切割得到的四个边皮;切割时在单晶一端通过“井”字型金刚线沿单晶轴线方向对单晶进行切割。本实用新型的有益效果是:采用“井”字型金刚线从端面下刀,金刚线和单晶接触面积较小,线弓也会较小,能够提升硅的加工效率;采用分段式切割方式,配合边皮夹具固定切下的边皮,能够有效的降低硅崩损的概率,并能够有效提高单晶的表面质量,提高产品合格率。
  • 一种尺寸单晶圆棒切割装置
  • [实用新型]一种单晶粘胶装置-CN202220352058.2有效
  • 尚廷泽;王艺澄;王军磊 - 包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
  • 2022-02-22 - 2022-07-22 - B28D7/04
  • 本实用新型涉及一种单晶粘胶装置,包括对中装置、涂胶装置及木托板,木托板水平放置,对中装置垂直设置于木托板上,单晶抵着对中装置竖直放置,涂胶装置设置于单晶上端面,涂胶装置对单晶上端面进行涂胶用于与另一根单晶粘胶拼接,其中:对中装置为与单晶相适配的圆弧形板,涂胶装置为涂胶筛盘;该装置实现了单晶粘胶时AB胶的定容、定量且保证AB胶涂抹均匀,确保拼接晶时晶线处于同一条直线上,保证同规格、同直径拼接晶同心度,解决了开方及磨抛工序加工粘胶困难的问题,提高了粘胶效率,同时大幅提高粘胶拼接棒一次加工合格率。
  • 一种单晶短圆棒粘胶装置
  • [发明专利]边皮籽晶及其制备方法和应用-CN201910235040.7有效
  • 何亮;毛伟;李松林;徐云飞;付志斌;邹贵付 - 新余赛维铸晶技术有限公司
  • 2019-03-26 - 2022-08-23 - B28D5/04
  • 本发明提供了一种边皮籽晶的制备方法,包括:在生长面晶向为(100)的单晶的横截面上确定四条开方标记线,将所述四条开方标记线沿背离所述单晶的横截面圆心的方向平移ΔL,得到四条边皮切割标记线;使用线切割切机同时沿着所述开方标记线和所述边皮切割标记线对所述单晶进行切割,舍弃所述单晶最外缘的四块料,得到单晶硅方及四块边皮;去除所述边皮两端的弧形部分,得到截面为矩形的边皮籽晶。所述制备方法提高了对单晶的利用率,所得边皮籽晶也可用作铸造晶体硅时的单晶籽晶,降低了单晶籽晶的成本。本发明还提供了所得到的边皮籽晶及其应用。
  • 籽晶及其制备方法应用
  • [实用新型]单晶拼接装置-CN201120379720.5有效
  • 范玉红;王建锁;范靖;孙德龙;张云峰;梁宁 - 晶伟电子材料有限公司
  • 2011-10-09 - 2012-05-30 - C30B33/06
  • 本实用新型涉及一种单晶硅生产中的辅助装置,特别是一种单晶拼接装置。单晶拼接装置,包括环形的底座,底座的外侧圆周上设有多个径向贯通的螺孔,螺孔内装配有固定螺栓,其特征在于:还包括在底座顶端圆周上设置有凸起的固定架,固定架的外侧壁上设置有径向贯通的螺孔,螺孔内装配有调节螺栓本实用新型的有益效果是:由于在底座上设置有竖向凸起的固定架,且在固定架的侧壁上设置有径向贯通的螺孔并装配调节螺栓,在将两个短单晶对齐并粘接成长单晶时,调整调节螺栓使单晶互相对齐,使得效率大大提高
  • 单晶硅拼接装置

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