专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种金属双层复合管的加工工艺-CN201610733710.4有效
  • 吴尧锋;刘文;刘明亮;于艳东;李继强 - 宁波市沃瑞斯机械科技有限公司
  • 2016-08-25 - 2018-08-17 - B21D26/051
  • 本发明公开的一种金属双层复合管的加工工艺,该工艺依次包括如下步骤:将套接在一起的金属外管和金属内管置入内管模型腔中;向金属内管的内部通入高压水,完成对金属内管的内高压成形,制成金属双层复合管一次半成品;将金属双层复合管一次半成品置入外管模型腔中;向金属外管的内部通入高压水,完成对金属外管的内高压成形,制成金属双层复合管二次半成品;对金属双层复合管二次半成品进行端部后处理,制成金属双层复合管成品。本发明通过采用两道内高压成型,既保证了金属内管及金属外管的成型效果,还优化了加工工序,使得加工工艺更加简洁,从而提高了加工效率和利润率,降低了产品报废率。
  • 一种金属双层复合管加工工艺
  • [发明专利]一种LED芯片的制备方法-CN202310120572.2在审
  • 张炳伟;吕守贵;郭磊;董国庆;文国昇;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-02-16 - 2023-03-21 - H01L33/00
  • 本发明提供一种LED芯片的制备方法,包括提供一衬底,在衬底上生长N型外延层以及P型外延层,并颠倒两个外延层的位置,同时露出两个外延层的位置,并在半成品芯片上得到P金属电极和N金属电极,接着在半成品芯片上覆盖绝缘层,接着在半成品芯片上形成牵引电极孔,然后生成牵引电极,以使P金属电极与N金属电极处于同一高度平面,通过干法刻蚀将半成品芯片分成若干独立芯粒,接着生长钝化层以及焊线电极,形成成品芯片。本发明能够更好的优化目前工艺所带来的P金属电极导电孔内PAD金属断层的风险,同时能够有效改善P金属电极与N金属电极上的导电孔在烘烤作业后台面下方图形出现异常偏移的情况。
  • 一种led芯片制备方法
  • [发明专利]金属罐的制造方法-CN201610588908.8在审
  • 苏玲 - 苏玲
  • 2016-07-22 - 2016-12-14 - B21D51/18
  • 本发明公开了一种金属罐的制造方法,包括以下步骤:步骤a:将金属原料进行第一次冲压,得到预加工料;步骤b:将所述预加工料的边缘进行拉伸,得到第一半成品;步骤c:将所述第一半成品的顶部进行第二次冲压,得到第二半成品;步骤d:将所述第二半成品的边缘进行膨胀,得到金属罐。以本发明所制作得到的金属罐,其底部和外围一体成型,无接痕,强度高且美观,能根据各种需要形状设计,泛用性和实用性强。
  • 金属罐制造方法
  • [发明专利]金属复合催化剂的制备方法及贵金属复合催化剂-CN202110477324.4在审
  • 黄垒;吴昊成;施利毅 - 上海大学
  • 2021-04-29 - 2021-07-30 - B01J23/52
  • 本发明涉及的是纳米功能材料制备领域,具体是一种贵金属复合催化剂的制备方法,上述贵金属复合催化剂的制备方法包括:向载体中加入贵金属前驱液,获取半成品催化剂;将半成品催化剂置于流化床反应器中;向流化床反应器中通入气体,以使半成品催化剂流化;通过光源照射流化的半成品催化剂,获取催化剂;其中,贵金属前驱液中的贵金属和载体的质量比为1~50:1000,通过上述方法制备的贵金属复合催化剂的颗粒小且均匀,且贵金属的原子利用效率高
  • 贵金属复合催化剂制备方法

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