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[发明专利]互补金属氧化物半导体器件-CN202111402444.4在审
发明人：金尚昱;南胜杰;文泰欢;李光熙;许镇盛;裵鹤烈;李润姓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包括具有半导体沟道层和金属氧化物半导体沟道层的第一半导体晶体管，并且具有其中第二半导体晶体管堆叠在第一半导体晶体管的顶部上的结构。第二半导体晶体管的栅极堆叠和第一半导体晶体管的栅极堆叠的顶部可以重叠大于或等于90％。第一半导体晶体管和第二半导体晶体管可以具有相似水平的操作特性。
互补金属氧化物半导体器件

[发明专利]反并联二极管装置-CN201811187244.X有效
发明人：赵传珍 -专利权人：立积电子股份有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种反并联二极管装置。所述反并联二极管装置包括第一半导体、第二半导体、第三半导体以及第三二极管。第一半导体的导电型为第一导电型，而第二半导体的导电型与第三半导体的导电型为第二导电型。第二半导体接触于第一半导体，使得第一半导体与第二半导体形成第一二极管。第三半导体接触于第一半导体，使得第一半导体与第三半导体形成第二二极管。第三二极管的第一端电性连接至第一半导体。第三二极管的第一端的导电型为第二导电型。
并联二极管装置

[发明专利]嵌入式半导体器件的制作方法-CN200910247207.8有效
发明人：居建华;神兆旭;王文博 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式半导体器件的制作方法，具有以下几个特点：低功耗型半导体器件的NMOS管和PMOS管栅极大于预定宽度；分别对低功耗型半导体器件的NMOS管和PMOS管以及常规型半导体器件的NMOS管和PMOS管的栅极进行预掺杂；低功耗型半导体器件的NMOS管和PMOS管的LDD注入的剂量小于预定剂量；采用应力记忆工艺在低功耗型半导体器件的NMOS管、低功耗型半导体器件的PMOS管、常规型半导体器件的NMOS管和常规型半导体器件的PMOS管的栅极下方的沟道中产生张应力。该方法采用同一制作流程在同一晶圆上同时完成了常规型半导体器件和低功耗型半导体器件的制作，简化了半导体器件的制作流程。
嵌入式半导体器件制作方法

[发明专利]显示装置和用于修复显示装置的方法-CN202111488948.2在审
发明人：全映宰;李禹根;崔宰凡;金钟仁;李进元 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示装置包括：驱动晶体管的半导体层；开关晶体管的半导体层；初始化晶体管的半导体层；驱动晶体管的栅极电极，与驱动晶体管的半导体层重叠；下存储电极，连接到开关晶体管的半导体层；上存储电极，连接到驱动晶体管的半导体层、光阻挡图案和初始化晶体管的半导体层，并且与下存储电极重叠；第一辅助晶体管的半导体层，与开关晶体管的半导体层和/或初始化晶体管的半导体层相邻；第一辅助晶体管的第一电极，连接到第一辅助晶体管的半导体层；以及第一辅助晶体管的第二电极，连接到第一辅助晶体管的半导体层。
显示装置用于修复方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201810986580.4在审
发明人：刘埃森;蔡滨祥;林进富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括绝缘体上有半导体基底、高电子迁移率晶体管元件以及金属氧化物半导体场效晶体管元件。绝缘体上有半导体基底，包括：第一半导体层、第二半导体层以及绝缘层。第二半导体层位于第一半导体层上。绝缘层位于第一半导体层与第二半导体层之间。高电子迁移率晶体管元件位于第一半导体层上。金属氧化物半导体场效晶体管元件位于第二半导体层上且与高电子迁移率晶体管元件电连接。高电子迁移率晶体管元件的顶面与第二半导体层的顶面共平面。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN200610002411.X有效
发明人：宋均镛;阎江;丹尼·P－C.·舒姆;阿洛艾斯·古特曼 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括半导体主体，其包含具有第一晶向的半导体材料。第一晶体管在具有第一晶向的半导体材料中形成。绝缘层覆盖半导体主体的部分并且半导体层覆盖绝缘层。该半导体层具有第二晶向。第二晶体管在具有第二晶向的半导体层中形成。在优选实施方案中，半导体主体是(100)硅，第一晶体管是NMOS晶体管，半导体层是(110)硅并且第二晶体管是PMOS晶体管。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]一种半导体功率管的弹性连接结构-CN201110026443.4无效
发明人：牟英峰 -专利权人：无锡风光新能源科技有限公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体功率管的弹性连接结构，包括半导体功率管、半导体功率管模块及平卧式散热片，所述半导体功率管模块上安装半导体功率管，半导体功率管通过螺丝固定于平卧式散热片上，特征是：固定底座固定于主功率板上，弹性连接件固定于半导体功率管模块上，固定底座以及弹性连接件通过螺丝紧固连接。本发明有效地解决了半导体功率元件的管脚应力问题以及大幅增加了半导体功率元件散热稳定性。
一种半导体功率管弹性连接结构

[发明专利]半导体装置-CN201210313561.8有效
发明人：斋藤涉;小野升太郎;仲敏行;谷内俊治;山下浩明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具有场效应型晶体管、第5半导体层、第1二极管和第2二极管，该场效应型晶体管具有：半导体基板、设在所述半导体基板内的多个第2半导体层、以及设在所述第1半导体层的另一方的表面的第6半导体层，该第5半导体层设在所述半导体基板的一方的表面侧，该第1二极管与所述第5半导体层连接，该第2二极管以与所述第1二极管逆串联的方式连接。
半导体装置

[发明专利]P型差分式电场微传感器-CN200510040658.6无效
发明人：黄庆安;王立峰;秦明;茅盘松 -专利权人：东南大学
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：N型差分式电场微传感器，由p沟道电场传感器、p沟道耗尽型金属氧化物半导体管、N型金属氧化物半导体管电流镜及P型金属氧化物半导体管组成，N型金属氧化物半导体管电流镜由2个N型金属氧化物半导体管组成，2个N型金属氧化物半导体管的源极相连并接地，其栅极互连并与一个N型金属氧化物半导体管的漏极连接且与p沟道电场传感器的漏极连接，另一N型金属氧化物半导体管的漏极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的漏极连接且该节点作为输出端，p沟道电场传感器的源极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的源极连接并与P型金属氧化物半导体管的漏极连接，P型金属氧化物半导体管的源极与电源相连，P型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。
分式电场传感器

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202110416131.8在审
发明人：上村和贵;洼内源宜 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具备二极管区和IGBT区，并且能够使二极管区的耐压比IGBT区的更高的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有晶体管部和二极管部。晶体管部具有第一导电型的半导体基板、第二导电型的第一半导体区、第一导电型的第二半导体区、栅极绝缘膜、栅电极、第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第三半导体区、第一电极、第二电极。二极管部具有半导体基板、第一半导体区、第一半导体层、第一导电型的第四半导体区、第一电极、第二电极。晶体管部的第一半导体层距半导体基板的背面的深度大于二极管部的第一半导体层距半导体基板的背面的深度。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN200710185194.7无效
发明人：野田刚史;贺茂尚广;新本秀明 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-11-12 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，形成在基板的第一区域的第一MIS晶体管和形成在与所述第一区域不同的第二区域的第二MIS晶体管分别在所述基板和所述半导体层之间具有栅电极，所述第一MIS晶体管的所述半导体层只由非晶半导体构成，所述第二MIS晶体管的所述半导体层包括多晶半导体，所述第二MIS晶体管的栅电极比所述第一MIS晶体管的栅电极薄。在形成有半导体层为非晶半导体的MIS晶体管和半导体层包括多晶半导体的MIS晶体管的显示装置中，在各MIS晶体管采用底栅结构时，能使由多晶半导体构成的半导体层的结晶性良好。
显示装置制造方法

[发明专利]发光二极管-CN201410846808.1有效
发明人：李关红;李群庆;金元浩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，其包括：一绝缘基底；一P型半导体层，该P型半导体层设置于该绝缘基底的表面；一第一电极，该第一电极与P型半导体层电连接；一半导体碳纳米管层，该半导体碳纳米管层设置于P型半导体层远离绝缘基底的表面并延伸至P型半导体层外一部分，该半导体碳纳米管层与第一电极绝缘设置；一第二电极，该第二电极与该第一电极间隔设置，并与半导体碳纳米管层延伸至P型半导体层外的部分电连接，且与P型半导体层绝缘设置；其中，进一步包括一氧化镁层，该氧化镁层设置于该半导体碳纳米管层远离该P型半导体层的表面，并与半导体碳纳米管层接触设置；一功能介质层，该功能介质层设置于氧化镁层远离半导体碳纳米管层的表面。
发光二极管

[发明专利]基于级联电路的半导体封装结构-CN201510991622.X有效
发明人：赵树峰 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于级联电路的半导体封装结构，包括：高压耗尽型半导体晶体管；低压增强型半导体晶体管；导电支撑片，高压耗尽型半导体晶体管和所述低压增强型半导体晶体管固定于导电支撑片上；管壳，管壳上设有高压端子、第一低压端子及第二低压端子；级联电路，高压耗尽型半导体晶体管、低压增强型半导体晶体管及管壳间通过级联电路电连接，其中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极直接固定于导电支撑片上并导电支撑片电连接本发明的半导体封装结构中，高压耗尽型半导体晶体管的源极与低压增强型半导体晶体管的漏极通过导电支撑片电连接，可有效减少引入的寄生电感和寄生电阻，提高器件的工作性能。
基于级联电路半导体封装结构

[发明专利]分离半导体激光二极管的方法-CN02145883.9无效
发明人：崔光基 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2002-10-17 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离半导体激光二极管的方法。在该方法中，在一衬底上形成n型化合物半导体层。在n型化合物半导体层上形成具有n型化合物半导体层的多个半导体激光二极管，使得半导体激光二极管的激光发射区彼此相连。在半导体激光二极管和用于彼此连接半导体激光二极管的激光发射区周围，去除n型化合物半导体层和形成半导体激光二极管的材料层。在半导体激光二极管之间的衬底背部形成垂直横穿激光发射区的基础切割线。沿各基础切割线彼此分离半导体激光二极管。于是，可以获得垂直于有源层的且具有清洁表面的激光发射面。此外，在分离半导体激光二极管的工艺中可将故障减至最小。
分离半导体激光二极管方法

[发明专利]半导体二极管以及用于形成半导体二极管的方法-CN201310010391.0有效
发明人： A.毛德;H-J.舒尔策;P.森格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及半导体二极管以及用于形成半导体二极管的方法。提供了一种半导体二极管。所述半导体二极管包括单晶硅半导体本体，所述单晶硅半导体本体包括第一导电类型的第一半导体区，延伸至半导体本体的第一表面并具有第一最大掺杂浓度；以及第二导电类型的第二半导体区，与所述第一半导体区形成pn结。所述半导体二极管还包括所述第一导电类型的多晶硅半导体区，具有比所述第一最大掺杂浓度更高的第二最大掺杂浓度并在所述第一表面上邻接所述第一半导体区；第一金属化部，布置在所述多晶硅半导体区上并与所述多晶半导体区电接触；以及边缘终止结构，被布置为紧接所述第一半导体区。此外，提供了一种用于生产半导体二极管的方法。
半导体二极管以及用于形成方法

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