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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410085154.1有效
发明人：石井和敏;小山内润;北岛裕一郎;南志昌;上村启介;和气美和 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410085156.0有效
发明人：石井和敏;小山内润;北岛裕一郎;南志昌;上村启介;和气美和 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造MOS半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410085157.5有效
发明人：石井和敏;小山内润;北岛裕一郎;南志昌;上村启介;和气美和 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410085153.7有效
发明人：石井和敏;小山内润;北岛裕一郎;南志昌;上村启介;和气美和 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410085155.6有效
发明人：石井和敏;小山内润;北岛裕一郎;南志昌;上村启介;和气美和 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2004-09-09 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法
半导体器件制造方法

[发明专利]晶片处理方法-CN202180052076.7在审
发明人：大桥智也;佐佐卓;藤谷德昌 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供以往的检查方法不能检测的半导体制造用硅晶片表面的杂质检测方法、除去了该晶片表面的杂质的半导体制造用晶片的制造方法和半导体制造用晶片的分选方法。一种半导体制造用晶片表面的杂质检测方法，其包含下述工序：在该晶片表面涂布膜形成用组合物，进行烧成，形成膜的工序；和接着利用晶片检查装置检测杂质的工序。
晶片处理方法

[发明专利]半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法-CN202180002514.9在审
发明人：荒卷彻;齐藤刚;米田健一郎;榎本祐治;堤贵志 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供半导体制造装置系统以及半导体装置制造方法，用于在半导体器件的制造工序中减少带来坏影响的异物。半导体装置制造系统具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理平台，半导体装置制造系统中的所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置
半导体装置制造系统以及方法

[发明专利]半导体制造方法及其装置-CN03805802.2无效
发明人：田中利彦 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2003-03-12 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体制造方法，在半导体制造线的各制造工序中对半导体晶片进行加工处理，其中，对被搬入在各制造工序布置的制造装置中的半导体晶片，分别在加工处理前和加工处理后取得图像数据，根据加工处理前的图像数据或者合格品的掩模图像数据以及加工处理后的图像数据，检测上述制造装置的处理条件引起的缺陷，根据该检测结果对上述制造装置的处理条件进行更改控制，对半导体晶片进行加工处理。
半导体制造方法及其装置

[外观设计]半导体制造装置用静电吸盘-CN201930684613.5有效
发明人：高山将步;佐佐木康晴 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体制造装置用静电吸盘。2.本外观设计产品的用途：被用作半导体制造装置用静电吸盘，用于在执行半导体制造的等离子处理等工序时吸附晶片。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
半导体制造装置静电吸盘

[发明专利]半导体制造用夹具及其制造方法-CN201080046653.3无效
发明人：纸透洋一;近藤新二;深泽宁司;川口将德;桥本笃人 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造用夹具及该半导体制造用夹具的制造方法，所述半导体制造用夹具用于半导体制造工序中的CVD装置，并且由夹具基材和形成在夹具基材上的SiC被膜构成，其中，所述SiC被膜的实际的表面积S2与将所述
半导体制造夹具及其方法

[发明专利]半导体用洗涤液及使用该洗涤液的洗涤方法-CN201380035843.9在审
发明人：佐佐卓;志垣修平 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的课题是提供用于在半导体元件制造工序中，预先防止抗蚀剂图案形成后或半导体基板加工后产生的半导体基板上所产生的缺陷，为了在光刻工序中，在光刻用药液向半导体制造装置内通液之前，除去药液通液部分所存在的金属杂质等作为解决本发明的课题的方法是一种洗涤液，其用于对制造半导体的光刻工序中所使用的半导体制造装置内的光刻用药液的通液部分进行洗涤，所述洗涤液包含无机酸、水和亲水性有机溶剂。
半导体洗涤液使用洗涤方法

[发明专利]一种半导体制造系统及其提高半导体制造质量的方法-CN202310677932.9有效
发明人：乔焜;陈治路 -专利权人：雅安宇焜芯材材料科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制造系统及其提高半导体制造质量的方法，包括半导体制造外壳、半导体制造内腔、以及半导体制造下壳，其特征在于，半导体制造外壳和半导体制造内腔呈圆柱形壳体，半导体制造内腔设置于半导体制造外壳内部并与半导体制造外壳同轴心，半导体制造下壳设置于半导体制造外壳的底部、且与半导体制造内腔连通，半导体制造下壳用于收集制造半导体时产生的副产物；本发明的通过对半导体制造系统的重构设计以及生产方法的重新规制确保了设备的安全性、生产的半导体的质量
一种半导体制造系统及其提高质量方法

[发明专利]半导体制造装置的净化方法和半导体器件的制造方法-CN02802808.2有效
发明人：水岛一郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-08-29 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：半导体制造装置的净化方法，具备如下工序：腐蚀工序，用至少含有卤素的清洗气体腐蚀淀积到反应室(2)内的CVD淀积膜，所述反应室(2)构成用CVD法在半导体晶片(12)上进行了CVD膜成膜处理的半导体制造装置；净化工序，在用清洗气体腐蚀了上述CVD淀积膜之后，向上述反应室(2)内流入含氢气体净化残留在上述反应室(2)内的清洗气体。
半导体制造装置净化方法半导体器件

[发明专利]药液的检查方法、半导体器件的制造方法以及抗蚀剂组合物的检查方法-CN202211081279.1在审
发明人：大津晓彦;吉留正洋;河田幸寿;西塔亮 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明提供一种能够分析药液中的微小异物的药液的检查方法、药液的制造方法、药液的管理方法、半导体器件的制造方法、能够分析抗蚀剂组合物中的微小异物的抗蚀剂组合物的检查方法、抗蚀剂组合物的制造方法、抗蚀剂组合物的管理方法、以及能够管理半导体制造装置中的微小异物的半导体制造装置的污染状态确认方法。药液的检查方法包括：准备药液的工序1X；将药液涂布在半导体基板上的工序2X；以及工序3X，测定半导体基板的表面上有无缺陷，获取半导体基板的表面上的缺陷在半导体基板上的位置信息，基于位置信息对半导体基板的表面上的缺陷照射激光
药液检查方法半导体器件制造以及抗蚀剂组合

[发明专利]半导体制造装置用表面处理部件及其制造方法-CN200910006390.2无效
发明人：坪田隆之;久本淳;和田浩司;细川护 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2009-02-16 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供能抑制半导体制造装置在使用中电特性经时变化的半导体制造装置用表面处理部件及其制造方法。半导体制造装置用表面处理部件(1)具备：由铝或铝合金形成的基材(2)；和形成于所述基材(2)的表面的、实施了水合处理的阳极氧化被膜(3)；和形成于所述阳极氧化被膜(3)的表面的氟高浓度化层(4)，其特征在于一种半导体制造装置用表面处理部件(1)的制造方法的特征在于包括下述工序：在由铝或铝合金形成的基材(2)的表面形成阳极氧化被膜(3)的阳极氧化被膜形成工序；和对所述阳极氧化被膜(3)实施水合处理的水合处理工序；和在阳极氧化被膜(3)的表面形成氟浓度高浓度化为1质量％以上的氟高浓度化层(4)的氟高浓度化层形成工序。
半导体制造装置表面处理部件及其方法

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