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[发明专利]升华法焦性没食子酸一步作业法升华装置-CN201210151703.5无效
发明人：王余祥;王愈华;赵应堂;王鹏;李颖璘;林娅君 -专利权人：六盘水神驰生物科技有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B01D7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种升华法焦性没食子酸一步作业法升华装置，包括电加热器（1）、升华器（2）、结晶器（11）和洗涤缶（9），其特征在于：升华器（2）的底部设有电加热器（1），升华器（2）出口与结晶器（11）头部连接，结晶器（11）尾部与洗涤缶（9）之间通过结晶器真空系统连接管（8）连接，洗涤缶（9）的出口端与真空泵（10）的进口端连接；升华器（2）的顶端与洗涤缶（9）之间通过结晶水真空回流管（6）连接；升华器（2）的上方设有升华器真空表（4），升华器（2）下方设有升华器温度计（3）。
升华法焦性没食子酸一步作业装置

[发明专利]一种升华结晶提纯制备高纯硫酸乙烯酯的方法-CN202210580354.2在审
发明人：李军;冯天瀚;张黎;杨昌林 -专利权人：重庆敏恒科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C07D327/10 文献下载
摘要：本发明涉及硫酸乙烯酯制备技术领域，公开了一种升华结晶提纯制备高纯硫酸乙烯酯的方法，包括如下步骤：步骤一、升华：将工业级硫酸乙烯酯置于升华器中，通入干燥热气体加热使其受热升华，得到含硫酸乙烯酯的混合升华气体；步骤二、除杂：将含硫酸乙烯酯的混合升华气体除杂得到净化混合升华气；步骤三、凝华结晶：将净化混合升华气引入凝华结晶器中，降温使硫酸乙烯酯凝华结晶析出；步骤四、分离产品后的气体经过净化后循环用于升华或凝华步骤本发明彻底的解决了溶剂提纯法所存在的纯度偏低、水分和酸值等不易达标等问题，从源头上解决了溶剂提纯法中溶剂对环境的污染，具有较好的环境效益。
一种升华结晶提纯制备高纯硫酸乙烯方法

[发明专利]利用升华法实现大型超声速风洞流动转捩位置观测的方法-CN202310359476.3有效
发明人：袁吉森;钱战森;高亮杰 -专利权人：中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01M9/06 文献下载
摘要：利用升华法实现大型超声速风洞流动转捩位置观测的方法，属于风洞试验技术领域。其包括：布置光学相机和照明装置，对准模型待测区域；用滴管量取液体溶剂至试管中，用电子天平称取固态升华物质至称量纸上，固态升华物质倒入试管，升华物质完全溶解，形成透明溶液；将透明溶液均匀喷涂在模型的测量区域，形成升华涂层；固定模型后，风洞开始吹风，待转捩位置稳定，升华涂层不再变化后，停止吹风；用刻度尺测量转捩位置，并拍照记录。目的是为了提出利用升华法实现大型超声速风洞流动转捩位置观测的方法，升华涂层能够在大型超声速流场中显示出转捩位置，并且不影响流动转捩机制，本发明的升华涂层均匀性更好，转捩分界线清晰，准确性更高。
利用升华实现大型超声速风洞流动转捩位置观测方法

[发明专利]一种三罐法镁还原生产海绵锆（铪）的工艺方法-CN202310829930.7在审
发明人：黄绍荣;吴建勋;涂征烈;张小龙 -专利权人：四川铖特新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种三罐法镁还原生产海绵锆(铪)的工艺方法，涉及海绵锆生产技术领域，原材料的升华还原反应：将四氯化锆(铪)装入升华反应罐、镁装入还原反应罐中,使四氯化锆升华、镁的熔融及还原反应分别在升华反应罐与还原反应罐中进行；海绵锆混合体的获得：在两个反应罐之间联接电热通道,控制通道温度高于四氯化锆升华温度,当镁在坩埚中熔融,ZrCl4在升华炉中升华成气体。本发明三罐法镁还原生产生产海绵锆是一个升华反应罐配两个还原反应罐，分别用带有管道阀电热通道联接，还原反应罐轮流使用，避免了海绵铪在蒸馏除杂期间升华反应罐的冷却闲置，提高生产系统的热效率和生产能力。
一种三罐法镁还原生产海绵工艺方法

[发明专利]标记用布料材料-CN200680013592.4无效
发明人：东口繁二;永井伸一 -专利权人：株式会社宝来社
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： D06Q1/14 文献下载
摘要：构成标记用布料材料的标记料使用由与升华性染料具有亲和性的构成成分构成的纤维制成的白坯底料；在作为上述底料的标记料的背面，通过层压法或涂布法将由合成树脂构成的层以层积状态形成中介层，以使其不会从上述底料的背面剥离，所述合成树脂与作为所述底料标记料的构成材料的底料的构成成分具有亲和性，且熔点高度设定为比升华性染料的升华温度高的温度；在上述中介层的面上通过层压法或涂布法形成由热熔性的热塑性树脂构成的转印粘合层；在该转印粘合层的面上贴合剥离纸通过以上构成，能够制成在背面形成有转印粘合层的作为标记料的底料的表面，可以由以升华性染料施有印刷的转印纸转印所需的着色、花样、图案的标记用布料材料。
标记布料材料

[发明专利]一种基于升华法的转移石墨烯的方法-CN201510962569.0有效
发明人：邓玉豪;王逸伦;张晓伟;戴伦;马仁敏 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：该方法利用易升华的物质作为转移石墨烯的支撑层，首先通过加热易升华物质，使其在生长于初始基体上的石墨烯表面凝华形成致密支撑层，然后去除初始基体并将石墨烯/支撑层转移至目标衬底，再将支撑层升华即可。相比现有PMMA法、PDMS法存在的残胶问题以及热压印法、热释放胶带法对目标衬底平整性、粘附性要求较高等问题，本发明使用易升华物质作为支撑层，转移过程更加简单、便捷，可实现石墨烯向任意目标衬底的大面积、
石墨烯支撑层衬底升华物质有机太阳能电池微纳电子器件致密热释放胶带有机传感器升华能量存储柔性电子有机材料有机纳米平整性热压印升华法无残胶粘附性电子学残胶凝华去除无损加热拓展应用

[发明专利]CdTe薄膜太阳能电池制备方法-CN200910057602.X无效
发明人：赖建明;苏青峰;张根发;刘红梅;冯世军;韩新江;杨文平;胡之骥 -专利权人：上海联孚新能源科技有限公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdTe薄膜太阳能电池制备方法，CdTe薄膜采用近空间升华法在透明导电玻璃上制备CdS/CdTe电池，Ni背电极采用磁控溅射获得，首先进行透明玻璃衬底预处理；制备In₂O₃∶F透明导电薄膜；在制备好的透明导电薄膜上使用近空间升华法生长CdS薄膜；在制备好的CdS薄膜上使用近空间升华法生长CdTe薄膜，用CdCl₂对薄膜进行退火处理，使CdS/CdTe界面重组；使用磁控溅射仪在CdTe表面溅射Ni背电极，在高温下退火形成欧姆接触；获得高效CdTe薄膜太阳能电池；其中，所述磁控溅射仪和近空间升华炉通过插板阀连接，并由磁力机械手进行样品传递
cdte 薄膜太阳能电池制备方法

[实用新型]一种预定义工艺法的热升华转印纸-CN202120660204.3有效
发明人：周梦超;戚裕;钱霞萍;谢伊晨;王樱 -专利权人：苏州吉谷新材料有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B41M5/40 文献下载
摘要：本实用新型公开一种预定义工艺法的热升华转印纸，包括原纸纸基、铜箔屏蔽层、热升华染料吸附层、染料水分吸收层、硅胶条带、硅胶折耳、软磁条、NFC标签、钕磁铁环，所述原纸纸基上表面叠加设置有铜箔屏蔽层，所述铜箔屏蔽层上表面涂覆有热升华染料吸附层，所述热升华染料吸附层上表面涂布有染料水分吸收层，所述铜箔屏蔽层与原纸纸基之间包埋有硅胶条带，所述硅胶条带向原纸纸基外部延伸出硅胶折耳，所述硅胶折耳以180度翻折在所述原纸纸基下表面。通过上述方式，本实用新型提供一种预定义工艺法的热升华转印纸，集成柔性磁吸折叠结构的硅胶折耳，并嵌入可循环利用的NFC标签，实现对热升华转印工艺的记忆，代替人工操作，提高工作效率。
一种预定义工升华转印纸

[发明专利]升华法焦性没食子酸多点多温度控制升华装置-CN201210151701.6无效
发明人：赵应堂;王鹏;王余祥;王愈华;李颖璘;林娅君 -专利权人：六盘水神驰生物科技有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B01D7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种升华法焦性没食子酸多点多温度控制升华装置，升华器（6）上设有升华器底部加热层（5）、升华器顶部加热层（15），结晶器（8）头部设有结晶器进口喉管加热层（7），升华器（6）的物料升华出口和结晶器进口喉管加热层（7）的物料结晶进口连接；升华器底部加热层（5）的进口、出口分别连接到1号导热油电加热器（1）的出口、进口；升华器顶部加热层（15）的进口、出口分别连接到2号导热油电加热器（19）的出口、进口；结晶器进口喉管加热层
升华法焦性没食子酸多点温度控制装置

[发明专利]升华法精制苯绕蒽酮工艺-CN97107086.5无效
发明人：马骋 -专利权人：马骋
申请日： 1997-08-19 - 公布日： 2000-10-04 - 主分类号： C07C49/617 文献下载
摘要：本发明公开了一种升华法精制苯绕蒽酮工艺，该工艺将粗制苯绕蒽酮装入不锈钢料槽中，再投入升华釜中，间接加热，真空脱水、熔融，升华，排空、卸料。本发明采用升华的方法，将能升华的产品与不能升华的杂质彻底分开。
升华精制苯绕蒽酮工艺

[发明专利]SiC多晶体的制造方法-CN202180053215.8在审
发明人：伊藤征一朗;石崎雄一郎;梅木阳贵 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：SiC多晶体的制造方法通过利用了SiC籽晶的升华再结晶法进行，作为SiC籽晶，使用多晶SiC基板，该多晶SiC基板是通过升华再结晶法制作的SiC多晶，相比于β‑SiC，更多地包含α‑SiC。
sic 多晶体制造方法

[发明专利]一种基于氢还原法的四氯化锆提纯方法-CN202010991511.X在审
发明人：王俊博;梁军;韩志强;周可心 -专利权人：宝钛华神钛业有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C01G25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于氢还原法的四氯化锆提纯方法，现提出一种用于该提纯方法的制备装置，包括机体，所述机体的内部固定固定安装有升华炉，计时机构的下方固定安装有第一杂质室，气囊的左侧活动安装有活动套筒，活动套筒的内部固定安装有氢气开关该基于氢还原法的四氯化锆提纯方法，通过温度到达149.85℃以上时，此时TiCl4、SiCl4等杂质升华进入到第二杂质室中，气囊膨胀推动活动套筒向左移动打开氢气开关，氢气进入到升华炉内部发生还原反应，当升华炉内部温度升高至449.85℃以上，四氯化锆升华成气态进入到收集室中，残渣落到第一杂质室中，实现了杂质的分类回收的效果
一种基于还原法氯化提纯方法

[实用新型]一种升华泵冷却装置-CN201620561999.1有效
发明人：陈林;刘玥峰;郭艳玲;邱顺利;任飞 -专利权人：兰州大学
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： F04B39/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种升华泵冷却装置，所述冷却装置位于所述升华泵的壳体内部，所述冷却装置包括冷却管道、导入装置和导出装置，所述冷却管道为螺旋式管道，所述螺旋式管道沿升华蒸汽分子路径法向曲面螺绕升华泵泵芯，且与泵芯之间有一定距离本实用新型以一种简单可行的方式为升华泵提供低温冷却装置，加快新鲜钛膜吸附速度从而加快抽真空的速度。与此同时维持升华泵泵体低温还可以促进升华泵表面吸附更多分子从而在实验过程中暂时性创造出相比于常温条件下更低的真空度。
一种升华冷却装置

[发明专利]一种聚酰亚胺蒸镀薄膜的制备方法-CN202110013899.0在审
发明人：闵永刚;刘屹东;张继升 -专利权人：慧迈材料科技（广东）有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明公开一种聚酰亚胺蒸镀薄膜的制备方法，本发明的薄膜的制造方法,使用由双胺构成的升华性蒸镀材和由双酐构成的升华性蒸镀材,利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法,在基材上形成由双胺和双酐反应生成的聚酰胺酸构成的薄膜
一种聚酰亚胺薄膜制备方法

[发明专利]一种利用PVT法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法-CN202110834372.4有效
发明人：吴洁君;赵起悦;于彤军;王泽人;韩彤;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公布了一种利用物理气相输运法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法，设计包含蒸气饱和微腔的坩埚结构，微腔内部可抽真空和充气；在AlN生长初期，通过采用蒸气饱和微腔抑制初期SiC的正向分解升华并实现AlN的生长，通过留有微弱气孔的粘接剂覆盖抑制初期SiC的侧向升华，AlN多晶隔离片逐渐背升华并沉积在SiC表面；多晶隔离片升华消失后，AlN源粉处升华得到的Al原子输运至生长表面；在AlN多晶隔离片和AlN粘接剂升华之后，在SiC籽晶上的AlN层覆盖，SiC侧面的AlN粘接剂升华离开坩埚区域，使得SiC侧向升华分解，SiC籽晶层逐步消失，由此得到无SiC的AlN籽晶。
一种利用 pvt sic 籽晶上异质生长 aln 方法

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