专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]量子点及其制造方法与应用-CN201911098749.3在审
  • 林耕竹 - 奇美实业股份有限公司
  • 2019-11-12 - 2020-06-30 - C09K11/02
  • 量子点包含纳米晶体及配体。纳米晶体为选自由XII‑XV族化合半导体纳米晶体、XII‑XVI族化合半导体纳米晶体、XIII‑XV族化合半导体纳米晶体与XIII‑XVI族化合半导体纳米晶体所组成的族群中的至少一种。配体配置于纳米晶体的表面上。配体包含15~70%的脂肪酸化合、1~35%的膦化合0~55%的硫醇化合、及0~10%其它配位基。本发明可以提升量子点的量子效率。
  • 量子及其制造方法应用
  • [发明专利]一种晶体硅铸锭用籽晶及其制备方法和晶体硅及其制备方法-CN201610817314.X在审
  • 陈红荣;徐云飞;胡动力;何亮 - 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
  • 2016-09-12 - 2016-12-14 - C30B11/14
  • 本发明提供了一种晶体硅铸锭用籽晶,包括籽晶本体以及包覆在籽晶本体表面的硅系化合膜,硅系化合膜的熔点大于或等于硅的熔点。该硅系化合膜可保护籽晶避免被杂质污染,在该籽晶上生长出来的晶体硅位错较少,少子寿命较高。另外,该籽晶可实现多次重复使用,大大降低了铸造晶体硅的成本。本发明还提供了该晶体硅铸锭用籽晶的制备方法,包括:提供籽晶本体,通过气相沉积法在籽晶本体表面沉积硅系化合,形成硅系化合膜,从而得到晶体硅铸锭用籽晶,或将籽晶本体置于反应室中,在800℃‑1400℃温度下,通入可与硅反应生成硅系化合的气体,使气体与籽晶表面的硅反应生成硅系化合,从而在籽晶本体表面形成硅系化合膜,得到晶体硅铸锭用籽晶。
  • 一种晶体铸锭籽晶及其制备方法

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