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- [发明专利]深硅刻蚀设备及其组装方法-CN202210152759.6在审
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刘国峰
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上海新微技术研发中心有限公司
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2022-02-18
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2023-08-29
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H01L21/67
- 本发明提供一种深硅刻蚀设备及其组装方法，设备包括：限位装置，限位装置包括一环形侧壁，环形侧壁顶部设有自环形侧壁顶面超环形侧壁内部凹陷的多个缺口，多个缺口间隔排布；深硅反应腔体，限位装置套设于深硅反应腔体的下部；法拉第屏蔽罩，环绕覆盖于深硅反应腔体的外壁，法拉第屏蔽罩的下边缘与限位装置的上边缘相接，限位装置的缺口显露深硅反应腔体的外壁；固定胶片，粘贴于法拉第屏蔽罩上以及缺口显露的深硅反应腔体的外壁上，以将法拉第屏蔽罩固定于深硅反应腔体上本发明可避免深硅反应腔体下边缘损坏情况发生，降低备件消耗，降低生产成本，同时可简化安装，提高设备维护效率，提高生产效率。
- 刻蚀设备及其组装方法
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