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[发明专利]一种功率器件过流保护方法及装置-CN202310266115.4在审
发明人：张威;王钦;王普威;王瑾潘;臧超 -专利权人：飞翎智能科技（广东）有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种功率器件过流保护方法及装置，属于机电控制技术领域，其中方法内容包括：采集功率器件输出三相电流值；实时计算所述功率器件最大过电流值；所述三相电流值大于所述功率器件最大过电流值时输出过流信号；根据所述过流信号，对功率器件进行关断处理，以保护所述功率器件安全。本申请根据功率器件物理特性，实现不同温度，不同运行时长，功率器件过流保护阈值的动态调整，极大提高了功率器件的安全性能，解决了采用单一过流阈值设置电路导致无法发挥电机真实运载能力和功率器件损坏风险增加的问题
一种功率器件保护方法装置

[发明专利]板级电路中功率器件退化监测方法、装置和系统-CN201811594169.9有效
发明人：陈义强;陈媛;贺致远;恩云飞;黄云;刘昌;侯波 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种板级电路中功率器件退化监测方法、装置和系统。所述方法包括：接收功率器件的电场感应电动势以及磁场感应电动势；根据电场感应电动势和磁场感应电动势，得到功率器件的开关损耗；基于开关损耗，确认功率器件的退化状况，从而，本申请板级电路中功率器件退化监测方法根据采集到的功率器件的电场感应电动势和磁场感应电动势，得到开关损耗，并根据开关损耗诊断板极电路中的功率器件的故障状况，进而实现对功率器件的性能进行监测，在发现功率器件出现可能的故障时及时对功率器件修复，避免导致更严重的后果。
电路功率器件退化监测方法装置系统

[实用新型]半导体功率器件-CN202122841877.1有效
发明人：龚轶;刘磊;刘伟;袁愿林 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括封装在同一个封装体内的超级结MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片，其中：所述超级结MOSFET功率器件芯片的漏极与所述IGBT功率器件芯片的集电极均电性连接所述封装体的集电极引脚；所述超级结MOSFET功率器件芯片的源极和栅极、以及所述IGBT功率器件芯片的发射极均电性连接所述封装体的发射极引脚；所述IGBT功率器件芯片的栅极电性连接所述封装体的栅极引脚本实用新型可以降低IGBT功率器件的反并联二极管的正向导通损耗。
半导体功率器件

[发明专利]磁悬浮轴承冗余电路及控制方法-CN202310763797.X在审
发明人：程虎;黎科;张锟;李中秀;温鹏 -专利权人：湖南凌翔磁浮科技有限责任公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： F16C32/04 文献下载
摘要：所述电路包括：四个功率开关器件组成的桥式结构，其中每个桥臂上设置一个功率开关器件；功率开关器件用于给磁悬浮轴承的线圈提供工作电流；磁悬浮轴承的线圈控制模块两端分别连接第一功率开关器件的输出端和第二功率开关器件的输入端，第一功率开关器件的输出端和第三功率开关器件的输出端通过第三二极管相连，第三功率开关器件的输出端与第二功率开关器件的输入端之间通过第二二极管相连，第一二极管的一端连接所述第一功率开关器件的输出端，另一端接地，第一功率开关器件的输入端和第二功率开关器件的输出端分别连接直流电源的两端。
磁悬浮轴承冗余电路控制方法

[实用新型]一种功率半导体器件保护装置-CN201821548271.0有效
发明人：李百尧;贾捷;王平生;何卫华 -专利权人：广东智科电子股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率半导体器件保护装置，包括PCB板以及设置在PCB板上的功率半导体器件、散热器和温度传感器，温度传感器通过导热垫粘贴在功率半导体器件的下表面，直接采样功率半导体器件表面的温度，而且导热垫可以填充功率半导体器件和温度传感器之间的间隙，增大功率半导体器件和温度传感器之间的热传递界面，导热垫优良的热传导率提高了温度传感器对功率半导体器件温度上升的响应时间，使功率半导体器件的温度保护具有较好的保护效果，另一方面，散热器设置在功率半导体器件的上表面对功率半导体器件进行散热的同时，可以作为功率半导体器件的保护外壳，避免在运输、安装过程中功率半导体器件受到损伤。
功率半导体器件温度传感器导热垫散热器保护装置半导体器件本实用新型安装过程热传导率温度保护增大功率直接采样热传递上表面下表面散热填充粘贴损伤响应运输

[实用新型]智能功率模块和电力电子设备-CN201720308930.2有效
发明人：冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种智能功率模块和电力电子设备，其中，智能功率模块包括导电组件层，设有电路布线和多个器件引脚部，电路布线用于连通多个器件引脚部；多个MOSFET功率器件，多个MOSFET功率器件的底侧面焊接于器件引脚部的顶侧面；栅极驱动器件，设于每个MOSFET功率器件的顶侧面；封装外壳，完全包覆于电路布线、MOSFET功率器件和栅极驱动器件，其中，器件引脚部自封装外壳的内侧向外侧伸出，MOSFET功率器件、电路布线和栅极驱动器件中的任两个之间通过邦定线连接通过本实用新型技术方案，有效地减小了智能功率模块的表面积，提高了智能功率模块的集成度和散热效率，更利于市场推广和批量生产。
智能功率模块电力电子设备

[发明专利]一种变流器功率模块的配置方法-CN202210400164.8在审
发明人：谢峰;周党生;吕一航 -专利权人：深圳市禾望电气股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种变流器功率模块的配置方法，根据变流器需求对变流器功率模块中开关器件和二极管的电流容量进行分解，得到二极管器件和开关器件的电流需求，通过二极管器件和开关器件的电流需求并根据器件配置策略进行器件组合配置得到所述变流器需要的功率模块；该器件配置策略为：标准开关器件及纯二极管器件进行配置、标准开关器件及纯开关器件进行配置、多个组合器件进行配置；该变流器功率模块的配置方法大幅提高功率半导体器件的电流利用率，减少开关器件或二极管器件在使用上的浪费，减少整体系统的成本，可以灵活应对不同应用场景的需求，配置功率模块内部器件，减少整体系统开发工作量，提高生产效率，功率模块的功率密度高。
一种变流器功率模块配置方法

[发明专利]功率半导体模块、其制造方法和电转换器-CN202180087075.6在审
发明人： S·基辛;G·里德尔;J·舒德雷尔;F·莫恩 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种功率半导体模块(34)，其包括承载多个功率半导体器件(10)的衬底(12)，其中，所述多个功率半导体器件(10)包括第一组功率半导体器件(10)和第二组至少一个功率半导体器件(10)。第一组功率半导体器件(10)由至少两个未损坏的功率半导体器件(10b、10c)组成，并且第二组功率半导体器件(10)由至少一个损坏的功率半导体器件(10a)组成。所述至少两个未损坏的功率半导体器件(10b、10c)以并联配置电互连，并且第二组至少一个功率半导体器件(10)与第一组功率半导体器件(10)的成员电分离。本公开进一步涉及一种电转换器和一种用于制造功率半导体模块(34)的方法。
功率半导体模块制造方法转换器

[实用新型]变频一体机-CN202222295533.X有效
发明人：滕建新;陈华;吴伟东 -专利权人：深圳市汇川技术股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种变频一体机，该变频一体机包括机箱和功率器件模组，所述机箱设有容腔，所述功率器件模组设于所述容腔内，所述功率器件模组包括固定支架以及功率器件，所述固定支架上设有导轨，所述功率器件卡接于所述导轨本实用新型技术方案旨在将分散的功率器件组装成多个模组，简化各功率器件的装配过程，便于维护。
变频一体机

[发明专利]一种电源输出缓冲电路及其控制方法-CN202110448072.2在审
发明人：彭元贞;孙传辉;王振 -专利权人：北京嘉捷恒信能源技术有限责任公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H02M1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源输出缓冲电路及其控制方法，属于电流缓冲领域；当第一功率开关器件和第二功率开关器件断开时，通过缓冲电路的控制电路使第三功率开关器件先闭合，然后延时后使第四功率开关器件闭合。先使第三功率开关器件闭合时，第二供电回路处于断开状态，此时第三功率开关器件闭合不会产生冲击电流；而当第四功率开关器件闭合时，此时第三功率开关器件已经闭合，相当于导线，也不会对第三功率开关器件产生冲击。因此对第三功率开关器件的要求较低；同时由于第二供电电路中存在第一电阻和第二电阻，对第四功率开关器件产生的冲击也较小。因此可以大大降低缓冲电路的成本。
一种电源输出缓冲电路及其控制方法

[发明专利]功率器件的结温估算方法、功率器件、电机控制器及计算机可读存储介质-CN202011641199.8在审
发明人：王宇;韩浩;黄立勇;黄宜坤 -专利权人：联合汽车电子有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种功率器件的结温估算方法、功率器件、电机控制器及计算机可读存储介质，其中所述方法包括：获取第一功率器件的开关损耗和导通损耗，对所述开关损耗和所述导通损耗进行损耗计算得到所述第一功率器件的平均损耗，根据所述第一功率器件的平均损耗计算所述第一功率器件的总温升，确定所述第一功率器件相邻的温度传感器并根据所述温度传感器计算冷却水的水温，对所述第一功率器件的总温升和所述冷却水的水温进行结温估算得到所述第一功率器件的结温通过实施本申请，能准确估算功率器件MOSFET的结温，进而依据该结温对功率器件MOSFET进行过温保护。
功率器件估算方法电机控制器计算机可读存储介质

[发明专利]功率器件恒结温老化装置-CN202111581977.3在审
发明人：郭跃伟;刘子浩;王鹏;段磊;黎荣林;崔健 -专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件恒结温老化装置，包括：热源模块，包括功率器件本身或者功率器件本身和相邻功率器件，用于基于施加的热耗通过自热或互热的方式产生热量为恒结温老化提供底温；温度监控模块分别与功率器件和热耗控制模块连接，用于监测和控制功率器件的温度，使功率器件的温度维持在目标底温，并将监测的温度发送给热耗控制模块；热耗控制模块还与热源模块连接，用于当功率器件的温度超过预设温度阈值且无法通过调节达到预设温度阈值范围内时，产生温度预警信息，并根据温度预警信息调节功率器件的热耗到目标热耗，使功率器件基于目标底温和目标热耗进行恒结温老化。本发明能够实现精准控制功率器件的底温和热耗，实现恒结温老化。
功率器件恒结温老化装置

[发明专利]一种功率半导体器件老化程度确定方法及系统-CN202210223263.3在审
发明人：徐国卿;潘正云;徐雪亮;向大为;肖正炜;佘辰;赵晖;董京阁;徐君;吴天宜 -专利权人：淮北矿业股份有限公司朱仙庄煤矿;煤炭工业合肥设计研究院有限责任公司;上海大学;阆芯（上海）电子科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件老化程度确定方法及系统，涉及功率半导体器件监测技术领域，包括：构建不同工况条件下的健康功率半导体器件数据模型；获取实际工况条件下电力电子设备中的被测功率半导体器件运行时的实际工作参数；根据实际工况条件确定被测功率半导体器件对应的健康功率半导体器件数据模型，并根据实际工作参数和被测功率半导体器件对应的健康功率半导体器件数据模型，确定测功率半导体器件的预测电压上升时间；根据实际电压上升时间和所述预测电压上升时间，确定被测功率半导体器件的老化程度。本发明能够准确确定功率半导体器件的老化程度，提高电力电子设备的可靠性。
一种功率半导体器件老化程度确定方法系统

[发明专利]功率开关器件串联限压电路-CN201010110043.7有效
发明人：范家闩 -专利权人：深圳市科陆变频器有限公司
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率开关器件串联限压电路，包括由多个功率开关器件Q1～Qn组成的功率开关器件串联支路，所述功率开关器件包括控制端、高端SD和低端WD，所述功率开关器件串联支路中，多个功率开关器件Q1～Qn串联方式为一个功率开关器件的高端SD与另一个功率开关器件的低端WD依次串联，还包括多个能量暂存电路K1～Kn，每个功率开关器件的两端对应并联一个能量暂存电路，用于储存各个功率开关器件开、关不同步而短暂流过的负载电流的能量，还包括对所述功率开关器件串联支路进行限压的集中限压电路H。
功率开关器件串联压电

[发明专利]一种半导体功率器件斩波测试电路及方法-CN200810212231.3有效
发明人：黄长强;曹怀志;刘长清;蹇芳;张宁 -专利权人：铁道部运输局;株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件斩波测试电路，采用电感作为测试负载，在对第一半导体功率器件的恢复电压进行测试时，连接电感和电源正极，在对第二半导体功率器件的恢复电压进行测试时，连接电感和电源负极。本发明还公开了一种半导体功率器件斩波测试方法，当对第一半导体功率器件进行测试时，控制第二半导体功率器件动作，测得第一半导体功率器件的恢复电压值，当对第二半导体功率器件进行测试时，控制第一半导体功率器件动作，测得第二半导体功率器件的恢复电压值。本发明所提供的测试电路及方法可以实现对半导体功率器件中续流二极管的恢复电压的有效测试。
一种半导体功率器件测试电路方法