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[发明专利]一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法-CN201710816578.8有效
发明人：陈材;黄志召;李宇雄;陈宇;康勇 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法，其中，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC板)、引线、散热基板、解耦电容、功率端子和驱动端子以及外壳，这个封装结构形成由功率器件组成的半桥电路；本发明提供的这种封装结构及封装方法，利用DBC+DBC，形成多层结构，同时优化功率回路结构，利用互感抵消减小换流回路的寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡。
一种功率器件 dbc 封装结构方法

[发明专利]功率器件背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片-CN201910521437.2在审
发明人：赵哿;金锐;朱涛;和峰;刘江;李立;高明超;崔磊;王耀华;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网湖北省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种功率器件背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片，功率器件背面多峰值缓冲层结构包括：N型半导体衬底材料(100)、功率器件背面的表面界限(101)和设置于N型半导体衬底材料(100)和表面界限(101)之间的缓冲层；缓冲层包括：至少由两次离子注入形成的N型掺杂区域，本发明提供的背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片，减少了功率器件的加工工艺整体热过程，大大提高了器件可靠性
功率器件背面峰值缓冲结构 igbt 芯片 frd

[发明专利]反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法-CN202010278050.1在审
发明人： F.D.普菲尔施 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法。一种反向阻断功率半导体器件（1）包括：第一负载端子结构（11）和第二负载端子结构（12）；半导体本体（10），其被配置用于在第一负载端子结构（11）与第二负载端子结构（12）之间传导负载电流；多个控制单元（14），其与第一负载端子结构（11）电连接并且包括：正向阻断结（103），其被配置用于在反向阻断功率半导体器件（1）的正向阻断状态中阻断第一负载端子结构（11）与第二负载端子结构（12）之间的正向电压；以及控制电极（150），其借助于控制电极绝缘层（151）与正向阻断结（103）分离并且被配置用于在正向阻断状态与正向导通状态之间切换反向阻断功率半导体器件（1）。
反向阻断功率半导体器件处理方法

[发明专利]一种散热风道结构及电网模拟器-CN202210830889.0在审
发明人：陈强;晏辉;杨叶 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热风道结构及电网模拟器，用于对功率单元进行散热，功率单元包括功率模组和与功率模组相匹配的电气器件，散热风道结构包括风道腔和风道挡板，其中，风道腔具有进风口和出风口；风道挡板设置于风道腔内，且将风道腔分隔成与进风口连通的进风腔和与出风口连通的排风腔；功率模组安装于进风腔，电气器件安装于排风腔，且风道挡板上设置有用于将功率模组的出风侧气流引流至电气器件的进风侧的通风口。该散热风道结构，位于排气腔内的电气器件的热气流能够及时排走，避免电气器件温升难以控制的情况发生，从而有助于提升功率单元的散热效果。
一种散热风道结构电网模拟器

[实用新型]一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管-CN202023162489.2有效
发明人：祁晓峰;周晔;魏良 -专利权人：江苏长弘半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，包括封装本体和设置在封装本体内部的VDMOS功率器件芯片，封装本体包括基岛和管脚结构，VDMOS功率器件芯片设置在基岛内部，且VDMOS功率器件芯片和管脚结构通过线路连接；基岛包括安装座和设置在安装座上的密封板，安装框架用于安装VDMOS功率器件芯片，密封板与安装座滑动连接，且安装座配合密封板能够形成封闭的腔体结构。将安装VDMOS功率器件芯片的基岛设置为由安装座和密封板构成，实现了对基岛内芯片的封装，同时便于芯片的拆装更换；封装本体的管脚设置为上管脚和下管脚两个部分，当原来使用的电路板想用同一型号的功率器件时，不需要使用新的封装本体进行重新封装
一种可靠 vdmos 垂直场效应晶体管

[发明专利]一种功率元器件共用散热器的二级散热构造-CN201210021955.6无效
发明人：胡广武 -专利权人：胡广武
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明是一种功率元器件共用散热器的二级散热构造。在多路功率元器件共用散热器的场合，必须使每路功率元器件与共用散热器之间绝缘。传统采用绝缘导热布或绝缘导热膜隔离的多管并联方式，用多管并联结构降低单管的发热量不但增加了成本，还造成了多管共同工作时的均流问题，成为影响功率元器件寿命的另一个主要原因。本发明采用在传统的散热结构中的绝缘导热层与功率元器件之间加入功率单元散热片的二级散热构造。功率单元散热片面积为10平方厘米时，功率元器件管芯产生的热量传导出的速度提高了一百多倍，而这些热量被传导到共用散热器的速度提高了8倍，多管并联的功率元器件数量减少40％，成本大幅度下降。
一种功率元器件共用散热器二级散热构造

[实用新型]一种功率元器件共用散热器的二级散热构造-CN201220031220.7有效
发明人：胡广武 -专利权人：北京东方智明科技有限公司
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型是一种功率元器件共用散热器的二级散热构造。在多路功率元器件共用散热器的场合，必须使每路功率元器件与共用散热器之间绝缘。传统采用绝缘导热布或绝缘导热膜隔离的多管并联方式，用多管并联结构降低单管的发热量不但增加了成本，还造成了多管共同工作时的均流问题，成为影响功率元器件寿命的另一个主要原因。本实用新型采用在传统的散热结构中的绝缘导热层与功率元器件之间加入功率单元散热片的二级散热构造。功率单元散热片面积为10平方厘米时，功率元器件管芯产生的热量传导出的速度提高了近百倍，而这些热量被传导到共用散热器的速度提高了8倍，多管并联的功率元器件数量减少40％。
一种功率元器件共用散热器二级散热构造

[发明专利]氮化镓功率器件及其制造方法-CN202110613530.3在审
发明人：孙娜;高绪兵 -专利权人：宁波达新半导体有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓功率器件，形成于半导体衬底上方；在半导体衬底中还同时集成有温敏器件；温敏器件设置在氮化镓功率器件的旁侧或周侧并用于测试氮化镓功率器件的结温；氮化镓功率器件的形成区域中，半导体衬底表面上叠加有多层氮化镓功率器件的外延层，氮化镓功率器件的外延层包括氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，在氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层形成的异质结界面处形成有二维电子气；温敏器件的形成区域中，氮化镓功率器件的多层外延层都被去除，温敏器件的顶部直接通过金属互连结构引出本发明还公开了一种氮化镓功率器件的制造方法。本发明能实现准确的在线结温检测，能兼容现有的硅器件的成熟测试方法和测试设备。
氮化功率器件及其制造方法

[实用新型]集成化功率组件、换流装置以及风力发电系统-CN201921330821.6有效
发明人：杨有涛 -专利权人：北京金风科创风电设备有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种集成化功率组件、换流装置以及风力发电系统。该集成化功率组件包括：支撑电容以及依次层叠设置的功率器件层、集成驱动板和复合母排；功率器件层包括沿依次排布的第一IGBT器件、第二IGBT器件、第三IGBT器件和功率二极管；集成驱动板上设置有至少一个集成驱动器，第一IGBT器件、第二IGBT器件、第三IGBT器件分别与对应的集成驱动器连接；第一IGBT器件、第二IGBT器件、第三IGBT器件、支撑电容和功率二极管通过复合母排相叠压连接；功率二极管、支撑电容、第二IGBT器件的反并联二极管形成故障短路电流的流通路径。采用本实用新型实施例能够简化功率单元的结构，在省略直流断路器和晶闸管的前提下，避免器件损坏并抑制直流短路故障。
集成化功率组件换流装置以及风力发电系统

[实用新型]一种变频器-CN201921429266.2有效
发明人：唐浚源 -专利权人：深圳市麦格米特驱动技术有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件安装结构，包括安装板、功率器件、正极导电排以及负极导电排，其中，功率器件包括正极连接柱以及负极连接柱，正极导电排与正极连接柱进行连接，负极导电排与负极连接柱进行连接，且功率器件横卧地安装于安装板上
一种变频器

[发明专利]功率器件终端结构及其制作方法以及功率器件-CN201910209974.3在审
发明人：黄宝伟;肖秀光 -专利权人：比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种功率器件终端结构及其制作方法以及功率器件，所述终端结构包括：基片；在所述基片上的第一预定区域形成的第一导电区，以及在所述基片上的第二预定区域形成的第二导电区，在所述第一预定区域与所述第二预定区域之间形成有预设数量的沟槽；所述沟槽内填充有绝缘物质；位于所述沟槽底部且与所述沟槽相接触的第一超结结构，所述第一超结结构包括第一半导体块，以及与所述第一半导体块相接触的第二半导体块；所述第一半导体块的导电类型与所述第二半导体块的导电类型不同
功率器件终端结构及其制作方法以及

[发明专利]功率器件元胞结构及其制备方法和功率器件-CN202111384986.3在审
发明人：黄宝伟;罗娜娜 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件元胞结构及其制备方法和功率器件，功率器件元胞结构包括：依次叠层设置的集电极、第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区、第一导电类型的注入区、第一绝缘层和发射极，第一绝缘层中开设有接触孔，发射极通过接触孔与注入区接触；栅槽结构，栅槽结构的顶部与第一绝缘层接触，栅槽结构贯穿注入区和阱区，栅槽结构的底部延伸到漂移区；栅槽结构的至少一侧形成有第二导电类型的发射区，发射区沿栅槽结构的顶部向栅槽结构的底部延伸本发明实施例的功率器件元胞结构，能够缩短沟道长度，减小沟道电阻，降低正向导通压降。
功率器件结构及其制备方法

[发明专利]一种大功率元器件的散热测温一体化结构-CN202111350878.4在审
发明人：张琳璐;陈卓;雷冰;刘曦 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种大功率元器件的散热测温一体化结构，可以直接测量大功率元器件的壳温，减少测量温度与器件实际温度的误差，实现系统在运行时同时满足散热与温度测量的功能升级，为产品可靠性提供技术支撑。一种大功率元器件的散热测温一体化结构，包括与大功率元器件一体化设置的散热器，大功率元器件设置在PCB上；所述大功率元器件的周边设置有第一温度传感器；所述散热器的内部嵌入有第二温度传感器，第二温度传感器的管腿焊接有电路板
一种大功率元器件散热测温一体化结构

[发明专利]功率器件及其制备方法、电子设备-CN202111352441.4在审
发明人：殷玉喆;刘伟;何力;黄永锋 -专利权人：成都挚信电子技术有限责任公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件及其制备方法、电子设备。其中，所述功率器件的外延片包括至少两个功放区域，所述至少两个功放区域的垂直结构不同。本发明中，功率器件中至少两个功放区域的垂直结构不同，使得至少两个功放区域的性能不同，例如增益、启动阈值、可靠性、饱和功率P‑1等性能不同。具体地，通过分别对不同功放区域的垂直结构进行定制可以达到提高功放区域性能的目的，进而可以提高功率器件的性能。
功率器件及其制备方法电子设备

[实用新型]通信设备-CN201620897235.X有效
发明人：陈立波;吴国刚 -专利权人：杭州昆海信息技术有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通信设备，包括设备机箱、入风口、出风口、第一风扇组、第一功率器件、第二功率器件；该入风口和出风口位于设备机箱的相对两端，第一风扇组设置于入风口处或出风口处，第一功率器件和第二功率器件依序排列在入风口朝向出风口的方向；所述通信设备还包括位于所述第一功率器件上方和所述第二功率器件上方的导风罩组件，所述导风罩组件包括与所述第一功率器件之间形成的第一导风通道、以及将部分入风引导向所述第二功率器件的第二导风通道。本实用新型设计了一种适用于串行布局的功率器件的导风罩组件，通过导风罩组件的结构改进，以使串行布局的功率器件均可以进行散热处理，提升了通信设备内的散热效果。
通信设备