专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种浪涌保护电路、芯片及电子设备-CN202111073787.0有效
  • 不公告发明人 - 浙江地芯引力科技有限公司
  • 2021-09-14 - 2022-01-07 - H02H9/04
  • 本发明提供了一种浪涌保护电路、芯片及电子设备,该浪涌保护电路包括钳位电路模块、泄放控制模块、电流泄放模块及电流比较模块。钳位电路模块用于接收浪涌信号,并将浪涌信号的电压钳位至器件击穿电压以下。泄放控制模块用于利用被电压钳位后的浪涌信号产生电流泄放控制信号。电流泄放模块用于根据接收的电流泄放控制信号对浪涌信号的电流进行泄放,并用于镜像出支路电流电流比较模块用于根据基准电流与支路电流的比较结果输出用于关断电流泄放通路的反馈信号。本发明通过钳位电路模块将浪涌电压钳位至器件击穿电压以下和通过电流泄放模块对浪涌电流进行泄放,以实现对持续时间较短、电压电流峰值极高的电涌进行有效处理,对芯片进行保护。
  • 一种浪涌保护电路芯片电子设备
  • [发明专利]气体放电管直流击穿电压测量装置及方法-CN201010199158.8无效
  • 姚学玲;陈景亮 - 西安交通大学
  • 2010-06-12 - 2010-09-29 - G01R31/12
  • 一种气体放电管直流击穿电压测量装置及方法,包括液晶和键盘组成的人机交互参数设置和测量结果显示单元、微型计算机控制与测量单元、可调上升速率直流电源、限流单元、气体放电管负载、微电流微分传感器和电压传感器。本发明通过微电流微分传感器快速准确地判断气体放电管在施加规定上升速率的直流电压条件下绝缘状态到导通状态、幅值小于1mA的微电流转换信号,并采用高精度的峰值保持和高分辨率的A/D采集电路,实现了气体放电管直流击穿电压的准确测量微电流信号的快速提取减少了直流电压对气体放电管电极表面发射材料的消耗,气体放电管直流击穿电压测量的不一致性低于5‰。
  • 气体放电直流击穿电压测量装置方法
  • [实用新型]一种具有耐击穿结构的二极管-CN202220250142.3有效
  • 涂长招 - 福建康博电子技术股份有限公司
  • 2022-02-07 - 2022-06-14 - H01L23/06
  • 本实用新型公开了一种具有耐击穿结构的二极管,包括外壳,所述外壳的内壁固定连接有绝缘壳,所述外壳的两侧分别连接有阳极引线与阴极引线,所述阳极引线的一端固定连接有金属触丝,所述阴极引线的一端固定连接有N型锗片本实用新型所述的一种具有耐击穿结构的二极管,根据焦耳定律,电流通过导体产生的热量跟电流的二次方成正比,当电流过大时,金属触丝会产生较多的热量,对周围的环境进行加热,使得膨胀球内部的二氧化碳气体迅速膨胀,使得膨胀球将输电线上的金属触点接触到金属触丝,然后输送到电阻进行消耗,进而减小经过金属触丝的电流,增加二极管的击穿极限。
  • 一种具有击穿结构二极管
  • [发明专利]过电压保护元件-CN99107616.8有效
  • G·克拉赫特;E·勒曼;K·谢贝;J·施曼斯基;M·维特 - 凤凰接触公司
  • 1999-04-27 - 2000-01-12 - H01T4/02
  • 本发明涉及一种用于分路瞬时过电压的过电压保护元件,它具有两个电极(3、4)、一个在该两电极(3、4)之间作用的空气击穿火花间隙(5)和一个容纳电极(3、4)的外壳(6),各电极(3、4)带有一电流接线端按照本发明,提供了一种带有空气击穿火花间隙(5)的过电压保护元件,它以特殊的方式满足了触发电压、瞬间脉冲电流—负荷量比、网络续电流-负荷量比及网络续电流-熄弧比的当今要求,其中电极(3、4)是彼此平行的
  • 过电压保护元件
  • [实用新型]一种新型72对棒还原炉高压击穿系统-CN201921999603.1有效
  • 邹分红;简凤麟;赵小飞;梁国东;梁瑞锋;张龙刚 - 新疆东方希望新能源有限公司
  • 2019-11-18 - 2020-08-14 - C01B33/035
  • 本实用新型公开了一种新型72对棒还原炉高压击穿系统,包括8个高压击穿柜和至少1个功率控制柜,高压击穿柜串接每相硅芯,能够为硅芯加载电压以进行击穿和维持,功率控制柜串接6相硅芯,能够在每相硅芯被击穿后以恒定电流加热该相硅芯第1~3相硅芯中每相的12对硅芯设置为两组,第1组包括8对硅芯,第2组包括4对硅芯,第1组的8对硅芯由第1~4个高压击穿柜进行击穿并维持,第2组的4对硅芯由第5~8个高压击穿柜进行击穿;第4~6相硅芯中每相的12对硅芯仅设置为一组,并由第1~6个高压击穿柜进行击穿。本实用新型缩短了硅芯的高压维持时间,减小了长时间维持高压状态对硅芯的损伤,将高压击穿柜由传统的12面减少为8面,节省了设备投资。
  • 一种新型72还原高压击穿系统

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