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[发明专利]一种功率放大器-CN201110077931.8有效
发明人：刘孝辉;龚夺;杨云 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种功率放大器，包括：共源晶体管、共栅晶体管以及电容，所述共源晶体管的源极连接地信号，所述共源晶体管的栅极用以连接第一偏置电压；所述共栅晶体管的源极与共源晶体管的漏极连接，所述共栅晶体管的栅极用以连接第二偏置电压，所述共栅晶体管的漏极耦合一直流电压源，所述电容连接所述共栅晶体管的栅极和漏极。由于共栅晶体管的栅极和漏极之间连接有一电容，在该栅极和漏极之间形成一高通通路，使该栅极和漏极的压差减小，这样能够使漏极具有一个更大信号摆幅而不会达到栅极和漏极的击穿电压。
一种功率放大器

[发明专利]折叠式共源共栅放大器-CN201480039753.1有效
发明人： O·拉杰 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：放大器可以包括含有第一晶体管和第二晶体管的第一共源共栅电路。放大器可以包括第二共源共栅电路，第二共源共栅电路耦合到差分输出并且包括第一对晶体管和第二对晶体管，第一对晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，第二对晶体管包括第三晶体管和第四晶体管。另外，放大器可以包括差分输入，差分输入包括耦合到第一共源共栅电路的第一晶体管以及第二共源共栅电路的第一和第二晶体管中的每个晶体管的第一晶体管，差分输入还包括耦合到第一共源共栅电路的第二晶体管以及第二共源共栅电路的第三和第四晶体管中的每个晶体管的第二晶体管
折叠式共源共栅放大器

[发明专利]多共源共栅放大器偏置技术-CN201380042002.0有效
发明人： W·苏;C·纳拉斯隆;G·尹;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：用于生成多共源共栅放大器的偏置电压的技术。在一个方面，提供了多共源共栅偏置网络，该偏置网络中的每一个晶体管都是多共源共栅放大器中的相应晶体管的复制，这实现了对多共源共栅放大器中的晶体管的准确偏置。在又一方面，多共源共栅放大器的供电电压是与复制偏置网络的供电电压分开提供的，以有利地将放大器供电电压的变化与偏置网络供电电压解耦。在又一方面，多共源共栅放大器中的晶体管的偏置电压可通过调整耦合至晶体管栅极偏置的电阻性分压器的阻抗来配置。由于放大器的增益取决于共源共栅放大器的偏置电压，因而放大器的增益可有利地以此方式调整而无需将可变增益元件直接引入到放大器信号路径中。
多共源共栅放大器偏置技术

[发明专利]混合放大器-CN201480004443.6有效
发明人： O·拉加 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：该放大器可进一步包括共源共栅电路，该共源共栅电路包括第一对晶体管，该第一对晶体管耦合到该差分对中的该至少一个晶体管以形成配置成生成第一输出的第一多个电流路径。该共源共栅电路还可包括第二对晶体管，该第二对晶体管耦合到该差分对的该至少一个其他晶体管以形成配置成生成第二输出的第二多个电流路径。
混合放大器

[发明专利]一种可抑制本振三次谐波的功率混频器-CN202110649341.1在审
发明人：赵英相;张荣辉;杨丽娟 -专利权人：翱捷科技股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种可抑制本振三次谐波的功率混频器，包括本振信号链路电路、跨导级电路、开关级电路、共源共栅级电路和负载电路。所述跨导级电路有两个，用来将基带电压信号转化为电流信号。所述开关级电路有两个，分别使用所述两路本振信号将来自两个跨导级电路的电流信号上变频为所需的射频信号。所述共源共栅级电路有两个，分别将两个开关级电路输出的射频信号传递给负载电路。所述负载电路实现两个共源共栅级电路的输出电流相加。通过特殊的相位差设计，实现了抑制三次谐波的功能。
一种可抑制三次谐波功率混频器

[发明专利]部分共源－共栅锁相环结构-CN200710105337.9无效
发明人：塞伊德·阿巴西 -专利权人： M/A－COM公司
申请日： 2007-01-04 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：描述了部分共源－共栅锁相环结构的不同实施例。在一个实施例中，设备可以包括具有多个部分共源－共栅电路(206、914、924)的锁相环电路(1000)。可以配置多个部分共源－共栅电路(206、914、924)以降低来自接地电压和电源电压的相位噪声。
部分共栅锁相环结构

[发明专利]一种检测宽动态范围内接收光信号强度的电路及方法-CN201510318958.X有效
发明人：秦大威;程妮;许胜国 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：该电路包括电源、光电二极管、缓冲器、阈值电流源、4个NMOS晶体管构成的共源共栅结构的光电流镜、4个PMOS晶体管构成的共源共栅结构的阈值电流镜；电源与光电二极管的负极相连，光电二极管的正极与光电流镜的输入端相连，光电流镜的输出端接地；电源还与阈值电流镜的输入端相连，阈值电流镜的输出端与阈值电流源的正极相连，阈值电流源的负极接地；光电流镜、阈值电流镜和缓冲器之间的共同节点为vcmp。
一种检测动态范围内接收信号强度电路方法

[发明专利]一种低功耗的基准电压源-CN202111116306.X在审
发明人：向耀明;赵伟兵;滕庆宇 -专利权人：珠海一微半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开一种低功耗的基准电压源，该低功耗的基准电压源包括：偏置补偿电路，包括N级PMOS管，用于为基准电压源提供偏置电流；基准电压输出电路，包括N级自共源共栅结构，用于产生并输出基准电压；其中，所述偏置补偿电路的本发明采用全CMOS结构的基准电压源，只需要较低的电源电压和较小的偏置电流，同时，无需设置电阻器件，大幅减少占用芯片面积，提高芯片利用率，基准电压输出电路中采用同一类型的MOS晶体管，利用N级自共源共栅结构的堆叠，降低基准电压源功耗的同时实现输出基准电压可调节。
一种功耗基准电压

[实用新型]低功耗的基准电压源-CN202122304457.X有效
发明人：向耀明;赵伟兵;滕庆宇 -专利权人：珠海一微半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低功耗的基准电压源，该低功耗的基准电压源包括：偏置补偿电路，包括N级PMOS管，用于为基准电压源提供偏置电流；基准电压输出电路，包括N级自共源共栅结构，用于产生并输出基准电压；其中，所述偏置补偿电路的本实用新型采用全CMOS结构的基准电压源，只需要较低的电源电压和较小的偏置电流，同时，无需设置电阻器件，大幅减少占用芯片面积，提高芯片利用率，基准电压输出电路中采用同一类型的MOS晶体管，利用N级自共源共栅结构的堆叠，降低基准电压源功耗的同时实现输出基准电压可调节。
功耗基准电压

[实用新型]一种应用于霍尔传感器的恒流源电路-CN202223347492.0有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：上海鑫雁微电子股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种应用于霍尔传感器的恒流源电路，包括基准电路、运算放大器、源极跟随器、共源共栅电流镜、和霍尔元件，其特征在于，所述基准电路设有线路与运算放大器相连，且基准电压与运算放大器的正极相连，所述源极跟随器包括MN1，所述MN1设于运算放大器的一侧并通过线路相连，所述MN1的一侧设有R1与R2，所述MN1的一端设有线路与运算放大器的负极相连，所述R1的一侧设有二极管与MN1相连，所述共源共栅电流镜包括MP1至MP4，所述MP3与MP1一端与MN1相连，MP1与MP2相连，MP2和MP3与MP4相连，所述MP4输出Iout电流，并设有线路与霍尔元件相连。本实用新型的优点：通过设置MN1、R1和R2可以有效减少电路产生的热量，通过设置共源共栅电流镜可以稳定输出的电流。
一种应用于霍尔传感器恒流源电路

[发明专利]具有改进隔离的放大器-CN201480005407.1有效
发明人： S·阿伯德尔海姆;W·J·比德尔曼三世 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：在示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路等)包括具有增益晶体管(514)、第一和第二共源共栅晶体管(513，515)以及分流晶体管(517)的放大器(500)。第一共源共栅晶体管耦合在增益晶体管与中间节点(X)之间并接收经放大信号。第二共源共栅晶体管耦合在中间节点与输出节点之间并提供输出信号(RFout)。分流晶体管耦合在中间节点与电路接地之间。第一和第二共源共栅晶体管被启用以提供输出信号。分流晶体管(i)在共源共栅晶体管被启用时被禁用并且(ii)在共源共栅晶体管被禁用时被启用以使中间节点短路至电路接地。
具有改进隔离放大器

[发明专利]共源共栅单元-CN202110325591.X在审
发明人：李文君;C·珀金斯闫;T·埃西拉詹;C·E·泽姆克 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有电阻和电容优化的一体式共源共栅单元及制造方法。该结构包括：位于单个公共半导体区域的第一部分中的共源极FET(CS‑FET)，所述CS‑FET包括源极区和漏极区；位于单个公共半导体区域的第二部分中的共栅极FET(CG‑FET)，所述CG‑FET包括源极区和漏极区；以及单个公共半导体区域的掺杂连接区域，其连接CS‑FET的漏极与CG‑FET的源极。
共源共栅单元

[发明专利]共源共栅电路-CN201510384844.5有效
发明人： F.希尔勒;A.毛德 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种共源共栅电路。一种电子电路包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件包括负载路径和具有分压器抽头的内部分压器。第二半导体器件包括负载路径和控制节点。
共源共栅电路

[发明专利]一种混合模式电容倍增器电路-CN201410425796.5有效
发明人：曾衍瀚;谭洪舟;唐伟杰;李毓鳌;陈荣军 -专利权人：中山大学;广州晶锐信息技术有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H03H11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合模式电容倍增器电路，包括连接电压模式倍增电路单元和电流模式倍增电路单元；电压模式倍增电路单元包括运算放大器和源跟随器，输入电压信号输入到运算放大器的正输入端，运算放大器的输出端经源跟随器加到运算放大器的负输入端，运算放大器的输出端接电流模式倍增电路单元；电流模式倍增电路单元包括电容C、高摆幅共源共栅电流镜的偏置电路和高摆幅共源共栅电流镜，运算放大器的输出端接电容C的一端，电容C的另一端接电流镜的输入端，电流镜的输出端接输入电压；电流镜的偏置电路为电流镜提供偏置。
一种混合模式电容倍增器电路

[发明专利]一种应用于红外探测器电路的运算跨导放大器-CN201610608258.9在审
发明人：赵毅强;章建成;赵公元 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H03F3/26 文献下载
摘要：偏置级采用共源共栅结构，由2个PMOS管和2个NMOS管组成，用以提高增益和电源电压抑制比；输出级用共源共栅电流镜，由4个PMOS管和4个NMOS管组成，该结构将电流输出的同时还能提供较大的输出阻抗，另一方面用电流镜结构可以避免使用共模反馈结构本发明克服了五管单元结构增益低，折叠共源共栅结构带宽小等问题，满足红外读出后级电路的时序要求。
一种应用于红外探测器电路运算放大器