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- [实用新型]一种内置天线低噪声放大电路-CN201020131208.4无效
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何其娟;孔宪君
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比亚迪股份有限公司
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2010-03-11
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2011-09-07
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H03F1/26
- 本实用新型提供了一种内置天线低噪声放大电路，包括：三极管、第一偏置电阻、第二偏置电阻、匹配网络；匹配网络连接于所述内置天线与三极管的基极之间；三极管的集电极经第一偏置电阻与电源相连；三极管的集电极与所述内置天线低噪声放大电路的输出端相连；第二偏置电阻连接于三极管的集电极与基极之间；三极管的发射极与地相连；还包括用以调节所述内置天线低噪声放大电路输出增益的增益调节单元，所述增益调节单元连接于匹配网络和三极管的基极之间，与现有技术相比，增加了用以调节所述内置天线低噪声放大电路输出增益的增益调节单元，可根据实际需要对内置天线低噪声放大电路的输出增益进行调节，增强内置天线低噪声放大电路的适应性。
- 一种内置天线噪声放大电路
- [发明专利]集成电路中的高频放大器-CN03811971.4无效
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让－弗朗索瓦·德布鲁
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ATMEL格勒诺布尔公司
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2003-05-16
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2006-11-15
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H03F3/195
- 本发明涉及一个集成电路放大器，该放大器被设计为在1到几GHz频段内提供几百毫瓦功率的放大信号。该放大器的末级包括两个以差分模式接收待放大信号的信号放大输入端(E和E′)和四个具有相同传导类型的主晶体管，每个主晶体管有一个基极、一个发射极和一个集电极，该四个主晶体管包括一个以共发射极配置的方式安装的第一晶体管或输出晶体管(Q1)，其集电极与集成电路的输出端S相连，以电压跟随配置的方式安装在端点E和输出晶体管(Q1)基极之间的第二个晶体管(Q2)，以共发射极配置的方式安装的第三晶体管(Q3)，其集电极与输出晶体管(Q1)的基极相连，以电压跟随配置的方式安装的晶体管(Q4)，其基极与端点E′相连，其发射极与第三晶体管(Q3)的基极相连，该集成电路还包括与第一晶体管(Q1)的基极相连的第一电流源(M2)和与第三晶体管(Q3)的基极相连的第二电流源(M4)。
- 集成电路中的高频放大器
- [发明专利]功率放大电路-CN202310305812.6在审
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岛本健一
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株式会社村田制作所
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2023-03-24
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2023-10-17
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H03F3/21
- 提供一种功率放大电路，抑制输出信号的品质劣化。功率放大电路具备：第一放大晶体管，其具有被输入作为平衡信号的一个的第一信号的基极或栅极、输出将第一信号放大后的第一放大信号的集电极或漏极以及与接地电连接的发射极或源极；第二放大晶体管，其具有被输入作为所述平衡信号的另一个的第二信号的基极或栅极、输出将第二信号放大后的第二放大信号的集电极或漏极以及与接地电连接的发射极或源极；第一可变电容部，其电连接在第二放大晶体管的集电极或漏极与第一放大晶体管的基极或栅极之间；以及第二可变电容部，其电连接在第一放大晶体管的集电极或漏极与第二放大晶体管的基极或栅极之间
- 功率放大电路
- [发明专利]功率放大电路-CN201811530380.4有效
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佐藤秀幸
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株式会社村田制作所
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2018-12-13
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2023-03-14
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H03F1/02
- 本发明提供一种使增益色散扩展的功率放大电路。功率放大电路(10A)具备：第一晶体管(Q1)，具有被供给RF信号的基极和被供给与RF信号的电平相应的可变电源电压(Vcc)的集电极，第一晶体管(Q1)对RF信号进行放大；偏置电路(20)，具有对第一晶体管(Q1)的基极供给偏置电流(Ibias)的第二晶体管(Q20)；以及偏置调整电路(40)，可变电源电压(Vcc)越低，使从第二晶体管(Q20)的发射极供给的电流越减少，由此使供给到第一晶体管(Q1)的基极的偏置电流
- 功率放大电路
- [发明专利]一种电压测量电路-CN201510257837.9有效
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王运国
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王运国;湖北伊佳科技有限公司
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2015-05-20
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2017-11-14
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G01R19/00
- 本发明公开了一种电压测量电路，属于电子技术领域。所述电压测量电路包括包括振荡电路、光耦隔离器、频率计数器和输出模块，振荡电路的输入端与被测电源电连接，振荡电路的输出端与光耦隔离器电连接；振荡电路包括限流电阻、储能电容、稳压二极管、放大三极管、正反馈电路和输出三极管，储能电容、限流电阻与被测电源串联，稳压二极管与储能电容并联，放大三极管的基极和发射极均连接在储能电容与稳压二极管的阳极之间，且放大三极管的发射极与储能电容之间接地，放大三极管的基极通过正反馈电路与输出三极管的集电极电连接，放大三极管的集电极与输出三极管的基极电连接，输出三极管的基极和发射极均连接在储能电容与稳压二极管的阴极之间。
- 一种电压测量电路
- [发明专利]功率放大电路-CN201610915606.7有效
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本多悠里
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株式会社村田制作所
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2016-10-20
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2020-02-21
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H03F1/32
- 本发明提供一种功率放大电路，在较大范围的输出电平和宽频带的频率下改善输出信号的失真特性。其包括：第一输出晶体管，其集电极或漏极被提供电源电压，发射极或源极接地，对提供至基极或者栅极的输入信号进行放大并从集电极或漏极输出第一放大信号；第一晶体管，其集电极或者漏极被提供电源电压，第一电流被提供至基极或者栅极，将第一偏置电流从发射极或者源极提供至第一输出晶体管的基极或者栅极；以及第二晶体管，其集电极或者漏极与第一晶体管的基极或者栅极连接，基极或者栅极被提供第二电流，将第二偏置电流从发射极或者源极提供至第一输出晶体管的基极或者栅极，该功率放大电路能对第一电流和第二电流中的至少一方的电流量进行调整。
- 功率放大电路
- [发明专利]受光放大电路及使用该电路的光传感器装置-CN200610106111.6无效
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茶藤哲夫;山口博史
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松下电器产业株式会社
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2006-07-20
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2007-01-24
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H03F3/08
- 提供一种受光放大电路，能防止在具备限幅电路的受光放大电路中限幅动作时的振荡，并且能自由设定限幅电压。本发明的受光放大电路具备：光电二极管(1)、运算放大器(20)、运算放大器(20)的输出端子与反转输入端子之间连接的变换电阻(11)、使运算放大器(20)的输出电压限幅在规定值的限幅电路。限幅电路具备检测运算放大器的输出电压变化的PNP晶体管(12)及与其基极相连接的电压源(14)，随着构成运算放大器(20)的输出增幅级的NPN晶体管(9)的发射极电位的上升，当PNP晶体管(12)导通，电压源(14)的电压通过PNP晶体管(12)供给NPN晶体管(9)的基极。
- 放大电路使用传感器装置
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