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[实用新型]低噪声放大器-CN202321646098.9有效
发明人：郑金汪;李侃;李泰安;段连成;孟浩;钱永学;黄鑫 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低噪声放大器，包括：放大单元、开关电路以及功率检测电路，其中，所述放大单元被配置为对输入的射频输入信号进行放大，以输出射频输出信号；所述开关电路被配置为根据功率检测电路生成的控制信号来导通或者关断，以将射频输入信号输入到所述放大单元；以及所述功率检测电路被配置为根据射频输入信号来生成所述控制信号，以在所述射频输入信号大于第一功率阈值时，阻止射频输入信号传输到所述放大单元。
低噪声放大器

[发明专利]功率自适应射频天线开关及其控制方法-CN202111580158.7有效
发明人：路宁;王佩瑶;孙鹏林;党艳杰;李孟;段连成;亓巧云;李侃;孟浩;钱永学;蔡光杰;黄鑫 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频天线开关电路及其控制方法，所述开关电路包括：功率采样电路，所述功率采样电路被配置为对天线端ANT的输出功率进行采样，以及根据所采样的天线端ANT的输出功率来调整所述功率采样电路的输出电压；第一控制电路，所述第一控制电路被配置为根据所述功率采样电路的输出电压值来调整所述第一控制电路的输出电流；振荡器，所述振荡器被配置为根据所述第一控制电路的输出电流值来调整所述振荡器的输出频率；第二控制电路，用于根据所述振荡器的输出来向射频电路施加逻辑控制信号；以及射频电路，所述射频电路被配置为根据所述第二控制电路的逻辑控制信号，调整所述射频电路的开关的工作状态。
功率自适应射频天线开关及其控制方法

[发明专利]一种低噪声放大器-CN202110068728.8有效
发明人：段连成;郑金汪;董铸祥;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请提供的一种低噪声放大器，其电路结构根据设计指标以及设计目标选择共源共栅结构电路，该共源共栅结构电路包括：第一电容、反馈电容、第三电容、第四电容、第五电容、反馈电阻、choke电感、偏置电阻、第一晶体管以及第二晶体管，本申请根据设计指标以及设计目标选择共源共栅结构电路，可以降低结点电容对带宽的影响、相应的提升带宽、具有更好的隔离度、稳定性能高和线性度好的特点；同时，通过利用反馈技术提升电路带宽和增益平坦，同时确保噪声性能不受太大影响，以降低噪声系数，提高线性度，从而可以应用到5G基站N77频段。
一种低噪声放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN202310772467.7在审
发明人：郑金汪;李侃;李泰安;段连成;孟浩;钱永学;黄鑫 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种低噪声放大器，包括：放大单元、开关电路以及功率检测电路，其中，所述放大单元被配置为对输入的射频输入信号进行放大，以输出射频输出信号；所述开关电路被配置为根据功率检测电路生成的控制信号来导通或者关断，以将射频输入信号输入到所述放大单元；以及所述功率检测电路被配置为根据射频输入信号来生成所述控制信号，以在所述射频输入信号大于第一功率阈值时，阻止射频输入信号传输到所述放大单元。
低噪声放大器

[发明专利]一种射频收发开关电路、射频前端电路及射频收发机-CN202010718104.1有效
发明人：武振宇;钱永学;孟震一;王同;闫广;蔡光杰;孟浩;黄鑫 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种射频收发开关电路、射频前端电路及射频收发机，该射频收发开关电路在第一开关断开、第二开关闭合时，串联支路在接收通路的输入端口与天线之间的部分，为π型匹配网络或者π型匹配网络的等效或简化形式，发射通路的输出端口被短接到地；在第一开关闭合、第二开关断开时，串并联支路在发射通路的输出端口与天线之间的部分，为二阶LC阻抗匹配网络或者二阶LC阻抗匹配网络的等效或简化形式，接收通路的输入端口被短接到地；也即，本方案由射频接收和射频发射的匹配电路融合构成，配合处在非信号通路的开关，能够实现射频收发的分时高性能工作，并且由于开关未出现在接收通路或者发发射通路上，能够保证高质量的射频收发性能。
一种射频收发开关电路前端电路

[发明专利]一种晶振的激励信号的生成装置、芯片及晶振激励系统-CN201811581247.1有效
发明人：周晓秋;钱永学;孟浩;叶晓斌;黄鑫 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03M3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶振的激励信号的生成装置、芯片及晶振激励系统，其中，晶振的激励信号的生成装置包括：时钟信号产生器和sigma delta调制器；所述时钟信号产生器与所述sigma delta调制器连接；所述时钟信号产生器，用于产生目标频率的时钟信号；所述目标频率是位于以两倍的目标谐振频率为中心频率的预设范围的频率；所述sigma delta调制器，用于基于所述时钟信号产生量化噪声；将所述量化噪声作为激励信号。通过本申请实施例，以达到快速起振为前提，芯片能够使用的晶振受限程度减小，并且增加对装置的制作工艺的误差容忍度。
一种激励信号生成装置芯片系统

[发明专利]射频开关的静电放电ESD保护电路-CN202210072316.6在审
发明人：李侃;瑞玉;王佩瑶;党艳杰;郑金汪;郭恒;原慎;亓巧云;孟浩;钱永学;蔡光杰;黄鑫 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频开关静电放电ESD保护电路，包括：电平移位电路，其被配置为当芯片被供电时通过第一引脚向其提供第一正电压，通过引脚向其提供第一负电压，以及通过第三引脚输出第一栅极电压；正钳位电路，其被配置为连接到所述第一引脚、第三引脚以及接地节点，并且在正向静电放电ESD发生时，对第一栅极电压进行钳位；反钳位电路，其被配置为连接到所述第二引脚、第三引脚以及接地节点，并且在负向静电放电ESD发生时，对第一栅极电压进行钳位。
射频开关静电放电 esd 保护电路

[发明专利]一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器-CN202011313205.7有效
发明人：雷华奎;董铸祥;郑金汪;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种低噪声系数超宽带的低噪声放大器，包括有源偏置电路、分压电路、输入匹配电路、输出匹配电路、反馈电容、反馈电阻、共栅接地电容、源极退化电感、偏置电阻、第一MOS管和第二MOS管。其中，反馈电容与反馈电阻串联构成的RC反馈电路的一端与第二MOS管的漏极电连接、另一端与第二MOS管的栅极电连接。本方案中由于RC反馈电路的存在，使得在减小额外噪声系数增加的同时，提高了稳定性，减小源极退化电感的使用，从而实现以较低噪声系数输出较高增益的低噪声放大器。
一种噪声系数宽带低噪声放大器

[实用新型]功率放大器-CN202223263574.7有效
发明人：何世海;许林健;黄鑫;孟浩;钱永学 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：一种功率放大器，包括：输入匹配电路，其输入端用于接收输入信号，并且其输出端通过隔直电容器连接到功率放大管的输入端；偏置电路，其连接在功率放大管的输入端和供电电源之间，用于给功率放大管提供偏置电压；功率放大电路，其被配置为从输入端接收输入信号，其输出端通过电感器连接到供电电源以及输出匹配电路以输出放大的信号，并且还包括接地端，以连接到接地节点；输入匹配电路，其被配置为其输入端连接到所述功率放大管的输出端以及电压保护电路，并且其输出端用于输出输出信号；以及电压保护电路，其被配置为包括串联的达林顿管和限流电阻，并且被配置为连接在所述输入匹配电路的输入端和接地节点之间。
功率放大器

[实用新型]低噪声放大器-CN202223555687.4有效
发明人：郑金汪;钱永学;黄鑫;孟浩;亓巧云;段连成;朱彪彪;李泰安;李侃 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低噪声放大器，包括：放大器电路，其被配置为接收射频输入信号并且输出射频输出信号，并且包括第一晶体管和第二晶体管、第一电阻器和第二电阻器以及第一开关和第二开关，所述第一晶体管和第二晶体管被配置为用于形成共源共栅结构，所述第一电阻器和第一开关被配置为并联连接，并且用于向第一晶体管提供第一偏置电压，所述第二电阻器和第二开关被配置为并联连接，并且用于向第二晶体管提供第二偏置电压，以及切换逻辑控制电路，其被配置为向放大器电路提供控制信号，以根据低噪声放大器的启动信号或者增益切换信号来导通第一开关和第二开关。
低噪声放大器

[实用新型]一种用于无线通信的射频功率放大器的散热装置-CN202223065130.2有效
发明人：张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;黄鑫 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于无线通信的射频功率放大器的散热装置，包括：第一层金属、第一层金属通孔、发射极金属、集电极金属、背孔电镀金属、导电胶层、第二层金属和第二层金属通孔，其中，第二层金属通孔和第二层金属构成导热顶盖结构，发射极金属通过第一层金属通孔而连接到第一层金属，第一层金属通过第二层金属通孔而连接到第二层金属，并且第一层金属还通过第一层金属通孔而连接到集电极金属，集电极金属与背孔电镀金属连通，并且背孔电镀金属通过导电胶层连接到共地面。
一种用于无线通信射频功率放大器散热装置

[实用新型]用于射频功率放大器的半导体器件-CN202223065165.6有效
发明人：张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;黄鑫 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于射频功率放大器的半导体器件，包括：衬底层，其被配置为通过GaAs来形成；亚集电极层，其被配置在衬底层上，并且被配置为通过n+型掺杂的GaAs来形成；集电极层，其被配置在亚集电极层上，并且被配置为通过n型掺杂的宽带隙材料来形成；集电极金属层，其被配置在集电极层上；基极层，其被配置在集电极层上，并且被配置为通过p+型掺杂的GaAs来形成；基极金属层，其被配置在基极层上；发射极层，其被配置在基极层上，并且被配置为通过n型掺杂的InGaP来形成；发射极盖帽层，其被配置为在基极层上；以及发射极金属层，其被配置在发射极盖帽层上。
用于射频功率放大器半导体器件

[发明专利]功率放大器-CN202310140968.3在审
发明人：何世海;许林健;黄鑫;孟浩;钱永学 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率放大器，包括：偏置电路，其用于给功率放大单元提供偏置电压；功率放大单元，其被配置为从输入端接收输入信号，以输出放大的信号；输出匹配电路，所述输出匹配电路被配置为其输入端连接到所述功率放大管的输出端以及电压保护电路，并且其输出端用于输出输出信号；以及电压保护电路，所述电压保护电路被配置为连接在所述输出匹配电路的输入端和接地节点之间，并且包括第一电容器、第一晶体管以及第一负温度系数电阻器和第二正温度系数电阻器，其中，串联连接的所述第一电容器和第一负温度系数电阻器的中间节点连接到所述第一晶体管的栅极或者基极以控制所述第一晶体管的导通和关断。
功率放大器

[发明专利]具有改善功率PVT的偏置电路的功率放大器-CN202310041653.3在审
发明人：何世海;许林健;黄鑫;孟浩;钱永学 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明提供一种具有改善功率PVT的偏置电路的功率放大器，包括：功率放大单元，其被配置为用于对输入信号进行放大；偏置电路，包括：第三晶体管、第四晶体管、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第一电容器、偏置电路工作电流接地模块、以及正向串联连接的n个二极管，其中，第三晶体管的基极通过第二电阻器连接到第四晶体管的发射极，并通过第一电容器连接到接地节点，集电极被连接到供电电源VDD，并且发射极通过第三电阻器向功率放大单元提供偏置电压Vbias；其中，第四晶体管的集电极连接到供电电源，基极通过第四电阻器连接到电流源并通过正向串联连接的n个二极管而连接到接地节点，发射极通过偏置电路工作电流接地模块与接地节点连接。
具有改善功率 pvt 偏置电路功率放大器

[发明专利]低噪声放大器-CN202211717973.8在审
发明人：郑金汪;钱永学;黄鑫;孟浩;亓巧云;段连成;朱彪彪;李泰安;李侃 -专利权人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种低噪声放大器，包括：放大器电路，其被配置为接收射频输入信号并且输出射频输出信号，并且包括第一晶体管和第二晶体管、第一电阻器和第二电阻器以及第一开关和第二开关，所述第一晶体管和第二晶体管被配置为用于形成共源共栅结构，所述第一电阻器和第一开关被配置为并联连接，并且用于向第一晶体管提供第一偏置电压，所述第二电阻器和第二开关被配置为并联连接，并且用于向第二晶体管提供第二偏置电压，以及切换逻辑控制电路，其被配置为向放大器电路提供控制信号，以根据低噪声放大器的启动信号或者增益切换信号来导通第一开关和第二开关。
低噪声放大器

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