专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]沟槽的刻蚀方法-CN202210420631.3在审
  • 张振兴 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-04-20 - 2022-07-29 - H01L21/3065
  • 本申请公开了一种沟槽的刻蚀方法,包括:在硅衬底上覆盖光阻,使目标区域暴露;进行刻蚀,在目标区域的硅衬底中形成深沟槽,在刻蚀过程中,通过控制刻蚀的轰击能量和频率降低深沟槽的表面形成状缺陷的几率;去除光阻本申请通过在进行深沟槽的刻蚀过程中,通过控制刻蚀的轰击能量和频率以降低深沟槽的表面形成状缺陷的几率,改善了形成得到的深沟槽的形貌,提高了器件的可靠性和良率。
  • 沟槽刻蚀方法

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