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[发明专利]光电二极管阵列-CN201680068163.0有效
发明人：罗伯特·艾伦·赫尔米克 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：公开了一种光电二极管阵列，其包括第一光电二极管，第一光电二极管包括第一组空间分离且电互连的光电二极管分段(D1')。第二光电二极管包括第二组空间分离且电互连的光电二极管分段(D2')。第一光电二极管分段群(12)包括来自第一组和/或第二组光电二极管分段的光电二极管分段。来自第一光电二极管分段群的光电二极管分段相对于共同的对称中心以共同的第一距离围绕共同的对称中心(CO)径向布置。第二光电二极管分段群(34)包括来自第一组和/或第二组光电二极管分段的光电二极管分段。来自第二光电二极管分段群的光电二极管分段相对于共同的对称中心以第二共同的距离围绕共同的对称中心径向布置，其中，第一距离不同于第二距离。每个光电二极管具有面积匹配的配对光电二极管，形成匹配的光电二极管对。匹配的配对光电二极管包括一组匹配的空间分离且电互连的光电二极管分段。每个光电二极管分段群包括相应的一组匹配的光电二极管分段。
光电二极管阵列

[发明专利]一种具有面积补偿的光电二极管阵列-CN202211056785.5在审
发明人：梁煜;王熙;张为 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有面积补偿的光电二极管阵列，其特征在于，该光电二极管阵列包括多个具有大面积的主光电二极管和多个小面积的补偿光电二极管，每个主光电二极管和同一列的补偿光电二极管构成一个光电二极管组，若干光电二极管组并行排列构成光电二极管阵列，同一组中的每个补偿光电二极管的输出信号通过开关电路与该组中主光电二极管的输出连在一起；不同位置的主光电二极管的面积不同，从中间位置向两侧，主光电二极管的面积依次增大。
一种具有面积补偿光电二极管阵列

[发明专利]用于使用偏振和相位检测光电二极管获得三维形状信息的装置和方法-CN202011562351.3在审
发明人：陈文首;刘关松;任仡奕;彭进宝;B·帕德马纳班;A·博纳克达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及用于使用偏振和相位检测光电二极管获得三维形状信息的装置和方法。在一些实施例中，提供了图像传感器。图像传感器包括布置成光电二极管阵列的多个光电二极管。多个光电二极管包含被配置为相位检测光电二极管的第一组光电二极管，以及被配置为偏振检测光电二极管的第二组光电二极管。在一些实施例中，提供了控制器。控制器包括电路系统，所述电路系统被配置为处理来自光电二极管阵列的第一组光电二极管的信号以获得深度信息；处理来自光电二极管阵列的第二组光电二极管的信号以获得偏振信息；处理偏振信息以获得模糊的一组表面法线；并且使用深度信息处理模糊的一组表面法线以获得三维形状图像。
用于使用偏振相位检测光电二极管获得三维形状信息装置方法

[实用新型]成像系统和处理器系统-CN201520344557.7有效
发明人： R·A·茂瑞森;D·R·恩格勒布瑞克特;R·A·布莱克 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：成像系统包括：光电二极管的阵列，按照行和列布置，其中所述阵列包括第一组光电二极管和第二组光电二极管，其中第一组光电二极管包括所述阵列中的四个相邻光电二极管；第一滤色器元件，形成在第一组光电二极管上，其中第一滤色器元件被构造为使第一颜色的光前进至第一组光电二极管的每个光电二极管；和第二滤色器元件，形成在第二组光电二极管上，其中第二滤色器元件被构造为使不同于第一颜色的第二颜色的光前进至第二组光电二极管的每个光电二极管。
成像系统处理器

[发明专利]锗硅感光设备-CN201680051058.6有效
发明人：刘汉鼎;那允中;郑斯璘;陈书履;陈慧文;梁哲夫 -专利权人：光程研创股份有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器阵列，所述图像传感器阵列包括：载体基板；第一组光电二极管，所述第一组光电二极管耦合到所述载体基板，其中所述第一组光电二极管包括第一光电二极管，其中所述第一光电二极管包括半导体层，所述半导体层被配置用于吸收处于可见波长的光子并从所吸收的光子生成光载流子；和第二组光电二极管，所述第二组光电二极管耦合到所述载体基板，其中所述第二组光电二极管包括第二光电二极管，其中所述第二光电二极管包括装配在所述半导体层上的锗硅区
感光设备

[发明专利]用于高动态范围图像传感器的多单元像素阵列-CN202011185953.1在审
发明人： J·索尔胡斯维克 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：一种像素包含多个光电二极管的阵列。所述光电二极管阵列包含多个行的光电二极管和多个列的光电二极管。所述多个光电二极管包含具有第一表面积的一组第一光电二极管和具有小于所述第一表面积的第二表面积的至少一个第二光电二极管。所述第一光电二极管经布置以相对于所述至少一个第二光电二极管对称。输出电路系统电耦合到所述一组第一光电二极管中的所述第一光电二极管中的每一者。开关选择性地以可操作方式闭合以将所述输出电路系统电耦合到所述第二光电二极管。
用于动态范围图像传感器单元像素阵列

[发明专利]一种双线光电二极管阵列器件及粒子速度测量方法-CN201810078235.0有效
发明人：雷恒池;陈家田;黄敏松;张晓庆;郑首印 -专利权人：中国科学院大气物理研究所
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01P3/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种双线光电二极管阵列器件，所述双线光电二极管阵列器件为在一块光电传感元件上封装出两列规格和性能相同的光电二极管阵列单元；所述双线光电二极管阵列包括平行设置的第一光电二极管阵列单元和第二光电二极管阵列单元本发明通过在单个感光元件上集成两组的光电二极管阵列，大大减小两组光电二极管阵列的距离，能够对粒子速度进行更加准确地测量。
一种双线光电二极管阵列器件粒子速度测量方法

[实用新型]CMOS影像传感器-CN201320129306.8有效
发明人：肖海波;李全宝;费孝爱 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种CMOS影像传感器，通过所述光电二极管组包括：摄取红外光的红外光光电二极管，位于所述红外光光电二极管上的、摄取红光的红光光电二极管，位于所述红光光电二极管上的、摄取绿光的绿光光电二极管，位于所述绿光光电二极管上的、摄取蓝光的蓝光光电二极管，实现了对于红外光、红光、绿光及蓝光等多种入射光线的光电转换；同时红外光光电二极管、红光光电二极管、绿光光电二极管及蓝光光电二极管的垂直式设置，降低了对硅衬底空间的占用
cmos 影像传感器

[发明专利]环境光传感器和接近度检测器中的双层光电二极管-CN201110285396.5有效
发明人： D·斯库尔尼克 -专利权人：美信集成产品公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明的实施方案提供了用于检测环境光和与物体的接近度二者的系统、装置和方法。这种检测通过双层光电二极管阵列和对应的电路执行，使得可以由多个集成的光电二极管来使能环境光和接近度检测。在本发明的各种实施方案中，使用第一组光电二极管和第二组光电二极管感测环境光，使得形成大致等于可见光谱的光谱响应。使用位于第一组光电二极管和第二组光电二极管下的集成的光电二极管来实现接近度检测，所述集成的光电二极管检测红外光并对其产生响应。
环境传感器接近检测器中的双层光电二极管

[发明专利]在多个子像素之间具有共享微透镜的图像传感器-CN202011162342.5有效
发明人：杨晓冬;刘关松;P·林;彭进宝;孟达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器像素包含：多个光电二极管、共享微透镜和多个微透镜。所述多个光电二极管被布置为光电二极管阵列，其中所述多个光电二极管中的每一个被设置在半导体材料内。所述共享微透镜与包含在所述多个光电二极管中的一组相邻光电二极管光学地对准。所述多个微透镜中的每一个与所述多个光电二极管中除所述组相邻光电二极管之外的个别光电二极管光学地对准。
个子像素之间具有共享透镜图像传感器

[发明专利]用于具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器的灵活曝光控制-CN202110428858.8在审
发明人：王睿;船津英一;崔雲;马渕圭司;彭进宝;陈晴飞;孟达;V·王 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：一种成像装置包含光电二极管阵列。所述光电二极管包含配置为图像感测光电二极管的第一组光电二极管及配置为相位检测自动聚焦PDAF光电二极管的第二组光电二极管。所述PDAF光电二极管至少成对布置在相邻列中且经散布在所述图像感测光电二极管当中。转移晶体管经耦合到对应光电二极管。响应于控制所述光电二极管阵列的活动行的所有所述图像感测光电二极管的第一转移控制信号或第二转移控制信号而控制耦合到所述活动行中包含的所述图像感测光电二极管的所述转移晶体管。转移晶体管经耦合到所述活动行的一对所述PDAF光电二极管中的一者。响应于独立于所述第一或第二转移控制信号的第一PDAF控制信号而控制所述第一转移晶体管。
用于具有相位检测自动聚焦像素图像传感器灵活曝光控制

[发明专利]图像传感器-CN202011036929.1在审
发明人：藤田雅人;李允基;沈殷燮;李景镐;金范锡;金泰汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：公开了一种图像传感器，其包括：第一光电二极管组；第二光电二极管组；第一转移晶体管组；第二转移晶体管组；其中存储有第一光电二极管组中产生的电荷的衬底的浮置扩散区；以及用于向第二光电二极管组施加电源电压的电源节点将势垒电压施加到第二转移晶体管组的至少一个转移晶体管。电源电压使第二光电二极管组中产生的电荷迁移到电源节点，势垒电压在第二光电二极管组与浮置扩散区之间形成势垒。
图像传感器

[发明专利]使用多个雪崩光电二极管元件检测光-CN201910760185.9有效
发明人：萨沙·施泰因科格勒;马丁·马拉;克劳斯·克莱门斯 -专利权人：西克股份公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本申请涉及使用多个雪崩光电二极管元件检测光。提出了一种光接收器(22)，该光接收器具有多个雪崩光电二极管元件(24)，这些雪崩光电二极管元件各自可以在高于击穿电压的偏置电压下进行偏置并且因此可以在盖革模式下运行，其中雪崩光电二极管元件(24)构成多个组，并且该光接收器具有控制单元(30)，以改变相应组的雪崩光电二极管元件(24)的灵敏度。在此，控制单元(30)被设计成分别在分配给一组雪崩光电二极管元件的至少一个时间点改变该组雪崩光电二极管元件(24)的灵敏度，其中不同的时间点被分配给这些组。
使用雪崩光电二极管元件检测

[发明专利]一种CMOS影像传感器-CN201510765705.7在审
发明人：王佳;何晓锋;黄建冬 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMOS影像传感器，包括衬底层和位于衬底层上方的微透镜层和光过滤层；微透镜层包括若干个阵列分布的聚光透镜；光过滤层包括若干个阵列分布的透射光栅；衬底层包括若干个阵列分布的光电二极管组，光电二极管组包括依次排列的红色光电二极管、绿色光电二极管和蓝色光电二极管；透射光栅的出射面的下方均设置有一列光电二极管组，且其红色光电二极管对应于透射光栅的红光出射区，绿色光电二极管对应于透射光栅的绿光出射区，蓝色光电二极管对应于透射光栅的蓝光出射区本发明用透射光栅取代彩色滤光片，波长范围宽，不存在光过滤损失，增加进入光电二极管的光强；提高CMOS影像传感器分辨率和色彩还原性，扩大其环境使用范围和应用领域。
一种 cmos 影像传感器

[发明专利]一种CMOS影像传感器-CN201510765448.7在审
发明人：何晓锋;黄建冬 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMOS影像传感器，包括衬底层和位于衬底层上方的微透镜层和光过滤层；微透镜层包括若干个阵列分布的聚光透镜；光过滤层包括若干个阵列分布的三棱镜和用于支撑三棱镜的透光介质；衬底层包括若干个阵列分布的光电二极管组，光电二极管组包括依次排列的红色光电二极管、绿色光电二极管和蓝色光电二极管；每个三棱镜的出射面的下方均设置有一列光电二极管组，且光电二极管组的红色光电二极管对应于三棱镜的顶部一端，蓝色光电二极管对应于三棱镜的基底一端本发明用三棱镜取代现有的彩色滤光片，波长范围宽，且不存在光过滤损失，增加进入光电二极管的光强；提高CMOS影像传感器分辨率和色彩还原性，扩大其环境使用范围和应用领域。
一种 cmos 影像传感器

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